包括低折射率层的光电子器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件，该半导体器件具有在由该器件的侧向轴限定的至少一个侧向朝向的界面部分和非界面部分中延伸的多个层。(较)低折射率层设置在至少该界面部分中的第一层表面上，该(较)低折射率层能够包括在某一波长具有第一折射率的低折射率材料。较高折射率层设置在该器件的暴露层表面上，以限定与该界面部分中的该(较)低折射率层的折射率界面，该较高折射率层能够包括在某一波长具有第二折射率的高折射率材料。该第二折射率超过该第一折射率。一定量的沉积材料能够设置在该非界面部分的第二层表面上。该较高折射率层能够覆盖该非界面部分中的该沉积材料。覆盖该非界面部分中的该沉积材料。覆盖该非界面部分中的该沉积材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括低折射率层的光电子器件
[0001]相关专利申请
[0002]本申请要求以下申请的优先权权益：2020年7月24日提交的美国临时专利申请No.63/056,499、2020年8月12日提交的美国临时专利申请No.63/064,633、2020年10月9日提交的美国临时专利申请No.63/090,098、2020年10月29日提交额美国临时专利申请No.63/107,393、2021年2月25日提交的美国临时专利申请No.63/153,834、2021年3月19日提交的美国临时专利申请No.63/163,453、2021年4月28日提交的美国临时专利申请No.63/181,100、2020年12月7日提交的美国临时专利申请No.63/122,421和2021年1月26日提交的美国临时专利申请No.63/141,857，它们中的每一个的内容全文以引用方式并入本文中。


[0003]本公开涉及分层半导体器件，并且具体地涉及在(较)低折射率涂层和较高折射率涂层之间具有界面的分层光电子器件，无论电磁(EM)辐射是否由该器件发射，都可以穿过该界面或者从该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，所述半导体器件具有多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向的界面部分和非界面部分中延伸，所述多个层包括：设置在至少所述界面部分中的第一层表面上的(较)低折射率层，所述(较)低折射率层在第一波长范围中的一定波长具有第一折射率；和设置在所述器件的第二暴露层表面上的较高折射率层，所述较高折射率层在第二波长范围中的一定波长具有第二折射率，以在所述界面部分中限定与所述(较)低折射率层的折射率界面，其中所述第二折射率超过所述第一折射率。2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一波长范围选自约315nm
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400nm、450nm
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460nm、510nm
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540nm、600nm
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640nm、456nm
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624nm、425nm
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725nm、350nm
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450nm、300nm
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450nm、300nm
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550nm、300nm
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700nm、380nm
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740nm、750nm
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900nm、380nm
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900nm和300nm
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900nm之间的至少一者。3.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述第一折射率在所述第一波长范围内变化不大于约0.4、0.3、0.2和0.1中的至少一者。4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中所述第一折射率不大于约1.7、1.6、1.5、1.45、1.4、1.35、1.3和1.25中的至少一者。5.根据权利要求1至4中任一项所述的器件，其中所述第一折射率为约1.2
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1.6、1.2
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1.5、1.25
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1.45和1.25
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1.4之间的至少一者。6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其中所述(较)低折射率层包括低折射率材料。7.根据权利要求6所述的器件，其中所述(较)低折射率层和所述低折射率材料中的至少一者在所述第一波长范围中表现出不大于约0.1、0.08、0.05、0.03和0.01中的至少一者的消光系数。8.根据权利要求6或7所述的器件，其中所述(较)低折射率层和所述低折射率材料中的至少一者为基本上透明的。9.根据权利要求6至8中任一项所述的器件，其中所述(较)低折射率层和所述低折射率材料中的至少一者在其内包括至少一个空隙。10.根据权利要求6至9中任一项所述的器件，其中所述低折射率材料包括有机化合物和有机
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无机杂化材料中的至少一者。11.根据权利要求1至10中任一项所述的器件，其中所述第二波长范围选自约315nm
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400nm、450nm
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460nm、510nm
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540nm、600nm
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640nm、456nm
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624nm、425nm
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725nm、350nm
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450nm、300nm
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450nm、300nm
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550nm、300nm
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700nm、380nm
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740nm、750nm
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900nm、380nm
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900nm和300nm
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900nm之间的至少一者。12.根据权利要求1至11中任一项所述的器件，其中所述第二波长范围与所述第一波长范围不同。13.根据权利要求1至12中任一项所述的器件，其中所述第二折射率为至少约1.7、1.8和1.9中的至少一者。14.根据权利要求1至13中任一项所述的器件，其中所述第二折射率超过所述第一折射率至少约0.3、0.4、0.5、0.7、1.0、1.2、1.3、1.4和1.5中的至少一者。15.根据权利要求1至14中任一项所述的器件，其中对应于在所述第二波长范围内测量
的所述第二折射率的最大值的第二最大折射率超过对应于在所述第一波长范围内测量的所述第一折射率的最大值的第一最大折射率。16.根据权利要求15所述的器件，其中所述第一最大折射率对应于所述第一波长范围内的第一波长，所述第一波长与所述第二最大折射率所对应的所述第二波长范围内的第二波长不同。17.根据权利要求15或16所述的器件，其中所述第二最大折射率超过所述第一最大折射率至少约0.5、0.7、1.0、1.2、1.3、1.4、1.5和1.7中的至少一者。18.根据权利要求1至17中任一项所述的器件，其中所述较高折射率层包括选自以下至少一者的物理涂层：封盖层、阻隔涂层、封装层、薄膜封装层和偏振层。19.根据权利要求1至18中任一项所述的器件，其中所述较高折射率层包括气隙。20.根据权利要求1至18中任一项所述的器件，其中所述较高折射率层包括高折射率材料。21.根据权利要求20所述的器件，其中所述较高折射率层和所述高折射率材料中的至少一者在所述第二波长范围中表现出不大于约0.1、0.08、0.05、0.03和0.01中的至少一者的消光系数。22.根据权利要求20或21所述的器件，其中所述较高折射率层和所述高折射率材料中的至少一者为基本上透明的。23.根据权利要求20至22中任一项所述的器件，其中所述高折射率材料包括有机化合物。24.根据权利要求1至23中任一项所述的器件，其中所述第一层表面为在第三波长范围中的波长具有超过所述第一折射率的第三折射率的下面层。25.根据权利要求24所述的器件，其中所述第三波长范围选自约315nm
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400nm、450nm
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【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：OTI照明公司，
类型：发明
国别省市：