复合膜、天线模组、电路板组件、电子设备制造技术

本申请提供了一种复合膜、天线模组、电路板组件、电子设备。复合膜包括层叠设置的屏蔽膜、绝缘层和天线辐射层，绝缘层用于阻挡屏蔽膜和天线辐射层短路。绝缘层的绝缘延伸部伸入屏蔽膜上的屏蔽膜通孔，天线辐射层的天线延伸部伸入绝缘层上的绝缘层通孔，绝缘层通孔位于绝缘延伸部，绝缘延伸部用于阻挡屏蔽膜通孔的孔壁和天线延伸部短路。由此可以将屏蔽结构和辐射结构复合在同一膜层内，有利于使天线模组或电路板组件兼具占用空间、射频性能、制造成本和工艺效率等性能。本和工艺效率等性能。本和工艺效率等性能。

【技术实现步骤摘要】
复合膜、天线模组、电路板组件、电子设备


[0001]本申请涉及电子设备领域和天线领域，并且更具体地，涉及复合膜、天线模组、电路板组件、电子设备。

技术介绍

[0002]天线模组可以包括射频芯片、天线辐射体、屏蔽结构。射频芯片可以通过天线辐射体辐射信号。屏蔽结构围绕射频芯片设置，可以用于减少对射频芯片的信号干扰。天线模组的结构设计通常难以兼具占用空间小、射频性能优良、制造成本低和工艺效率高等优点。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种复合膜、天线模组、电路板组件、电子设备，目的是提供一种容易兼顾占用空间、射频性能、制造成本和工艺效率等性能的技术方案。
[0004]第一方面，提供了一种复合膜，包括屏蔽膜，所述屏蔽膜包括屏蔽层和导电粘接层，所述屏蔽膜包括屏蔽膜通孔，所述复合膜还包括：
[0005]绝缘层，包括绝缘层本体和绝缘延伸部，所述绝缘层本体贴覆在所述屏蔽层上，所述绝缘延伸部与所述绝缘层本体相连，并伸入所述屏蔽膜通孔内，所述绝缘层还包括绝缘层通孔，所述绝缘层通孔在所述绝缘延伸部贯穿所述绝缘层；
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合膜(30)，包括屏蔽膜(310)，所述屏蔽膜(310)包括屏蔽层(311)和导电粘接层(312)，其特征在于，所述屏蔽膜(310)包括屏蔽膜通孔(313)，所述复合膜(30)还包括：绝缘层(320)，包括绝缘层本体(321)和绝缘延伸部(322)，所述绝缘层本体(321)贴覆在所述屏蔽层(311)上，所述绝缘延伸部(322)与所述绝缘层本体(321)相连，并伸入所述屏蔽膜通孔(313)内，所述绝缘层(320)还包括绝缘层通孔(323)，所述绝缘层通孔(323)在所述绝缘延伸部(322)贯穿所述绝缘层(320)；天线辐射层(330)，所述天线辐射层(330)包括天线辐射层本体(331)和天线延伸部(332)，所述天线辐射层本体(331)位于所述绝缘层本体(321)的远离所述屏蔽膜(310)的一侧，所述天线延伸部(332)与所述天线辐射层本体(331)相连，并伸入所述绝缘层通孔(323)内。2.根据权利要求1所述的复合膜(30)，其特征在于，所述复合膜(30)还包括电连接件，所述电连接件至少部分位于所述绝缘层通孔(323)内，所述电连接件与所述天线延伸部(332)的远离所述天线辐射层本体(331)的一侧电连接。3.根据权利要求2所述的复合膜(30)，其特征在于，所述电连接件为导电粘接件(314)，所述导电粘接件(314)贴覆在所述绝缘层通孔(323)的孔壁。4.根据权利要求3所述的复合膜(30)，其特征在于，所述绝缘层通孔(323)包括内径不同的第一孔(3231)和第二孔(3232)，所述第一孔(3231)和所述第二孔(3232)通过台阶面相连，所述导电粘接件(314)的侧面贴覆在所述第一孔(3231)的孔壁，所述导电粘接件(314)的端面贴覆在所述台阶面，所述第二孔(3232)自所述导电粘接件(314)的端面延伸至所述天线辐射层本体(331)。5.根据权利要求1所述的复合膜(30)，其特征在于，所述天线延伸部(332)的远离所述天线辐射层本体(331)的一侧与所述导电粘接层(312)的远离所述屏蔽层(311)的一侧齐平，或者，所述天线延伸部(332)的远离所述天线辐射层本体(331)的一侧突出所述导电粘接层(312)的远离所述屏蔽层(311)的一侧。6.根据权利要求1至5中任一项所述的复合膜(30)，其特征在于，所述绝缘延伸部(322)的远离所述绝缘层本体(321)的一侧与所述导电粘接层(312)的远离所述屏蔽层(311)的一侧齐平，或者，所述绝缘延伸部(322)的远离所述绝缘层本体(321)的一侧突出所述导电粘接层(312)的远离所述屏蔽层(311)的一侧。7.根据权利要求1至6中任一项所述的复合膜(30)，其特征在于，所述屏蔽层(311)的厚度为1um～20um。8.根据权利要求1至7中任一项所述的复合膜(30)，其特征在于，所述屏蔽层(311)的电导率为4
×
10^5S/m～6.3
×
10^7S/m。9.根据权利要求1至8中任一项所述的复合膜(30)，其特征在于，所述导电粘接层(312)的厚度为10um～50um。10.根据权利要求1至9中任一项所述的复合膜(30)，其特征在于，所述导电粘接层(312)的电导率大于10^4S/m。11.根据权利要求1至10中任一项所述的复合膜(30)，其特征在于，所述绝缘层本体(321)的厚度为10um～500um。12.根据权利要求1至11中任一项所述的复合膜(30)，其特征在于，所述绝缘层(320)的
材料可包括以下中的一个或多个：环氧树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酯、聚丙烯、聚乙烯、聚氯乙烯。13.根据权利要求1至12中任一项所述的复合膜(30)，其特征在于，所述绝缘层(320)的介电常数为3～5，介电损耗小于0.02。14.根据权利要求1至13中任一项所述的复合膜(30)，其特征在于，所述天线辐射...

【专利技术属性】
技术研发人员：温淏然，章自强，
申请(专利权)人：华为终端有限公司，
类型：发明
国别省市：