【技术实现步骤摘要】
一种非密排贵金属纳米颗粒有序点阵及其制备方法
[0001]本专利技术属于微纳光学材料制备
,具体涉及一种非密排贵金属纳米颗粒有序点阵及其免刻蚀、低成本、批量制备方法。
技术介绍
[0002]以纳米尺度的物质结构单元为基础,按照一定规律排列而成的非密排有序点阵,在光电器件和先进制造领域具有重大意义。尤其,由贵金属(Au,Ag等)纳米单元构成的非密排有序点阵,在光场激发下,不仅可产生局域表面等离激元共振(LSPR),而且可产生一种全新的等离激元表面晶格共振耦合(SLR)等效应,被广泛应用于光学传感、表面增强拉曼散射(SERS)、光电器件、光催化等领域。因此,实现贵金属非密排有序点阵的高质量制备,不仅是研究其新型光学性能的关键材料基础,而且对其实际应用推广具有重要意义。
[0003]目前贵金属纳米结构非密排点阵的制备方法主要有:荫罩压印模板法和胶体晶体原位煅烧法。传统的荫罩压印模板法,其原理是:利用具有缕空结构阵列为掩膜,结合磁控溅射沉积,在平片基底上直接沉积金属,去除掩膜后即可获得高质量非密排结构阵列。该方法具有阵 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种非密排贵金属纳米颗粒有序点阵的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将平片基底经过处理,得到清洁和亲水的表面;S2、在经上述处理的平片基底表面均匀地涂一层固化光学胶,厚度为2
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100μm;S3、取压印模板,该压印模板的表面设置有非贯穿、有序点阵排布的凹槽,将设置有凹槽的一面覆盖在固化光学胶上压印,然后将固化光学胶经固化处理形成准连续膜结构,去掉压印模板;S4、在形成准连续膜结构的固化光学胶的表面沉积一层厚为2
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50nm的贵金属膜;S5、将沉积贵金属膜的平片基底放入马弗炉中进行退火煅烧处理,煅烧温度为500
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1500℃,时间为0.5
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10h,结束后自然降温,即制得非密排贵金属纳米颗粒有序点阵。2.根据权利要求1所述的非密排贵金属纳米颗粒有序点阵的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述平片基底的材质为硅片或石英或蓝宝石。3.根据权利要求1所述的非密排贵金属纳米颗粒有序点阵的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述平片基底通过在等离子体清洗机中采用O2清洗,获得清洁和亲水表面。4.根据权利要求1所述的非密排贵金属纳米颗粒有序点阵的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述固化光学胶为紫外固化光学胶,置于紫外灯下进行固化处理;或者,所述固化光学胶为热固化胶,在加热条件下进行固化处理。5.根据权利要求1或4所述的非密排贵金属纳米颗粒有序点阵的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述固化光学胶通过喷涂或者旋涂的方式涂在平片基底的表面,所述旋涂的转速为1000
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【专利技术属性】
技术研发人员:刘迪龙,陈志明,曹安,李越,
申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院,
类型:发明
国别省市:
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