一种有序点阵化超光滑纯金导电微球及其制备方法技术

本发明专利技术属于电子封装材料技术领域，具体涉及一种有序点阵化超光滑纯金导电微球的制备方法。不同于传统的种子生长法或者通过在聚合物微球表面化学镀金膜的方法，本方法基于水

【技术实现步骤摘要】
一种有序点阵化超光滑纯金导电微球及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子封装材料
，特别是一种有序点阵化超光滑纯金导电微球及其制备方法。

技术介绍

[0002]低成本、高密度与海量化电子生产技术的快速发展推动了电子产品，诸如液晶显示器、笔记本电脑、手机、平板电脑等都以小巧轻薄为发展趋势，这就需要小体积、高密度、安装自由的新一代封装技术来满足电子行业的发展需求。COF(chip on film)和COG(chip on glass)封装应运而生并迅速发展壮大，成为平板电脑等电子产品的主流封装技术。这两种封装技术都需要配合各向异性导电胶(ACF)的使用，各向异性导电胶的导电性依靠的是填充在亚克力胶或者环氧树脂内的导电金球的传导性实现的。长久以来如何制备高质量的导电金球一直是ACF领域的一项关键技术，传统的导电金球采用化学镀的方法制备，首先在聚合物微球表面包裹镍层，然后再在镍层表面包裹金层。整个流程复杂耗时，需要多步预处理和纯化过程，而且在处理过程中需要使用大量的强酸，会产生严重的水污染。同时由于导电金球是由聚合物微球、镍层、金层复合而成，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有序点阵化超光滑纯金导电微球的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、取微孔阵列膜，该膜的材料为疏水材料，膜的表面有蜂窝状非贯穿的阵列微孔，非贯穿微孔的直径为0.1
‑
100微米；S2、在微孔阵列膜上微孔开口所在的表面滴加正丁醇，待充分浸润后将膜表面位于阵列微孔外多余的正丁醇去除；S3、在正丁醇浸润后的微孔阵列膜的表面滴加金纳米粒子胶体溶液，待金纳米粒子在微孔中组装完毕，用正丁醇冲洗微孔阵列膜表面，将多余的金纳米粒子冲洗掉；S4、将组装金纳米粒子的微孔阵列膜放置在激光器下照射1
‑
600秒，脉冲激光器的功率为1
‑
100mJ
·
cm
‑2，即可制得亚微米级或微米级的有序点阵化超光滑纯金导电微球。2.根据权利要求1所述的有序点阵化超光滑纯金导电微球的制备方法，其特征在于，所述微孔阵列膜的材料为聚苯乙烯或聚二甲基硅氧烷。3.根据权利要求1所述的有序点阵化超光滑纯金导电微球的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘迪龙，曹安，陈志明，李越，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：