射频传输器及天线制造技术

本发明专利技术提供一种射频传输器，属于射频技术领域。本公开实施例提供的射频传输器包括：介质基板，设置在介质基板的至少一侧的第一传输结构和第二传输结构；第一传输结构包括同层设置的第一传输电极和第一参考电极；第二传输结构包括同层设置的第二传输电极和第二参考电极；其中，第一传输电极和第二传输电极被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。该射频传输器能够在实现隔直效果的同时具有较小的尺寸，从而不影响天线的尺寸。从而不影响天线的尺寸。从而不影响天线的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
射频传输器及天线


[0001]本专利技术属于射频
，具体涉及一种射频传输器及天线。

技术介绍

[0002]在天线的射频传输部分，由于用于射频传输的传输结构会被加载直流信号和射频信号，因此需要对传输结构进行隔离直流信号的处理。目前，通常采用将一个电容量较大的电容串接在传输结构上的方式，利用电容能够隔离直流信号且导通射频信号的特性，实现隔离直流信号的目的。但单独设置电容，电容所占空间较大，因此会增大天线的尺寸，且会增加天线的工艺复杂度。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种射频传输器，其能够在实现隔直效果的同时具有较小的尺寸，从而不影响天线的尺寸。
[0004]本公开实施例提供一种射频传输器，其中，其包括：介质基板，设置在所述介质基板的至少一侧的第一传输结构和第二传输结构；
[0005]所述第一传输结构包括同层设置的第一传输电极和第一参考电极；
[0006]所述第二传输结构包括同层设置的第二传输电极和第二参考电极；
[0007]其中，所述第一传输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频传输器，包括：介质基板，设置在所述介质基板的至少一侧的第一传输结构和第二传输结构；所述第一传输结构包括同层设置的第一传输电极和第一参考电极；所述第二传输结构包括同层设置的第二传输电极和第二参考电极；其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。2.根据权利要求1所述的射频传输器，其中，所述第一传输结构和所述第二传输结构同层设置；所述第一传输电极在所述介质基板上的正投影，与所述第二传输电极在所述介质基板上的正投影无重叠；所述第一传输电极在垂直于所述介质基板的平面上的正投影，与所述第二传输电极在垂直于所述介质基板的平面上的正投影至少部分重叠。3.根据权利要求2所述的射频传输器，其中，所述第一传输电极和所述第二传输电极相邻设置，所述第一参考电极设置在所述第一传输电极背离所述第二传输电极一侧，所述第二参考电极设置在所述第二传输电极背离所述第一传输电极一侧。4.根据权利要求3所述的射频传输器，其中，所述第一传输电极包括第一主体部、与所述第一主体部相连且向靠近所述第二传输电极的方向延伸的第一耦合部；所述第二传输电极包括第二主体部、与所述第二主体部相连且向靠近所述第一传输电极的方向延伸的的第二耦合部；其中，所述第一耦合部和所述第二耦合部被配置为二者中的一者将所加载的射频信号传输给另一者。5.根据权利要求4所述的射频传输器，其中，所述第一耦合部和所述第二耦合部均采用叉指电极，且所述第一耦合部的多个叉指和所述第二耦合部的多个叉指交替且间隔设置。6.根据权利要求2所述的射频传输器，其中，还包括：第三参考电极，设置在所述介质基板背离所述第一传输结构和所述第二传输结构的一侧；所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述介质基板上的正投影，位于所述第三参考电极在所述介质基板上的正投影内。7.根据权利要求1所述的射频传输器，其中，所述第一传输结构和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚丽，郭俊伟，曲峰，李必奇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：