【技术实现步骤摘要】
一种纳米浓差发电装置及其制备、发电方法
[0001]本专利技术涉及发电装置领域,特别涉及一种纳米浓差发电装置及其制备、发电方法。
技术介绍
[0002]纳米沟道一般是指在至少一个特征尺寸为纳米尺寸的微小通道,这种结构在纳流体研究领域具有广泛的应用。从微观的角度看,当固态介质与水溶液接触时,固体表面会发生水解反应,从而使得固体表面产生表面电荷(例如PDMS,带负电)。因为纳米沟道的特征尺寸一般比较接近水溶液中的离子德拜长度,所以这个现象更加明显,并且对沟道的离子浓度大小和离子分布有很大影响,从而引起纳米沟道的离子选择性和动电效应(包括电泳和电渗)。利用以上原理可以将不同浓度盐溶液间的化学势能转化为电能。
[0003]纳米沟道可以通过对纳米线倒模制备而成,并且通过与半导体微纳加工工艺结合能够大规模制备纳米线,纳米沟道与外部电路连接简单,因而能广泛应用于为微小设备供电,例如可穿戴设备,微纳尺度的传感器等等,纳流体发电机以其纳米尺度的发电装置,能够满足微纳电子设备的所需的低工作电压和低功耗。
[0004]目前主流的纳 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种纳米浓差发电装置,其特征在于,包括基底,所述基底上设置有多个微米沟道、纳米沟道和多个储蓄池;至少两个储蓄池之间通过依次连接的至少一个微米沟道、纳米沟道和至少一个微米沟道连通,并且这两个储蓄池内分别设置电极;所述微米沟道的长度、宽度和深度都为微米尺寸;所述纳米沟道的长度、宽度和深度中的至少一个为纳米尺寸。2.根据权利要求1所述的纳米浓差发电装置,其特征在于,所述纳米沟道的深度为1
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150nm,宽度为1
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200nm,长度为5
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10μm。3.根据权利要求1或2所述的纳米浓差发电装置,其特征在于,所述微米沟道的深度为1
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100μm,宽度为1
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2000μm,长度约1
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9000μm。4.根据权利要求1所述的纳米浓差发电装置,其特征在于,所述电极为银/氯化银电极;优选地,所述基底包括PDMS、氧化硅中的至少一种。5.根据权利要求1所述的纳米浓差发电装置,其特征在于,包括4个储蓄池,所述4个储蓄池呈矩阵形分布;优选地,所述4个...
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