多串并联紫外LED防击穿电路制造技术

本实用新型专利技术涉及紫外LED技术领域，提出了多串并联紫外LED防击穿电路，包括电源模块，还包括防击穿LED电路，所述防击穿LED电路包括电阻R3、稳压二极管D1和矩阵式并联LED，所述电阻R3的第一端连接电源V+端，所述电阻R3的第二端连接所述矩阵式并联LED的阳极，所述矩阵式并联LED的阴极连接电源V

【技术实现步骤摘要】
多串并联紫外LED防击穿电路


[0001]本技术涉及紫外LED
，具体的，涉及多串并联紫外LED防击穿电路。

技术介绍

[0002]窄谱UVB
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LED作为光源，多应用在生物医疗器械光疗产品中，为保证光源能均匀的直接照射人体皮肤，多采用多串UVB
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LED并联的方式。但是由于UVB
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LED本身波长、发光角度、电压、电流、光功率等特性，多串UVB
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LED并联输出均匀辐射照度对各方面的设计提出了严格的要求。
[0003]在将多串紫外LED并联使用的过程中，由于串联数量较多，工作状态无法保持一致，同时供电电压存在波动，在电压突然增大的情况下，会存在部分紫外LED被击穿的问题。

技术实现思路

[0004]本技术提出多串并联紫外LED防击穿电路，解决了现有技术中供电电压存在波动，在电压突然增大的情况下，会存在部分紫外LED被击穿的问题。
[0005]本技术的技术方案如下：
[0006]多串并联紫外LED防击穿电路，包括电源模块，
[0007]还包括防击穿LED电路，所述防击穿LED电路包括电阻R3、稳压二极管D1和矩阵式并联LED，所述电阻R3的第一端连接电源V+端，所述电阻R3的第二端连接所述矩阵式并联LED的阳极，所述矩阵式并联LED的阴极连接电源V
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端，所述矩阵式并联LED的阴极连接所述稳压二极管D1的阳极，所述稳压二极管D1的阴极连接所述电阻R3的第一端。
[0008]作为进一步的技术方案，还包括电感L1，所述电感L1的第一端连接所述稳压二极管D1的阳极，所述电感L1的第二端连接所述矩阵式并联LED的阴极。
[0009]作为进一步的技术方案，还包括保护电路，所述保护电路包括电阻R6、电容C3、单向晶闸管Q1、稳压二极管D2和电阻R4，所述电阻R6的第一端连接所述矩阵式并联LED的阳极，所述电阻R6的第二端连接所述电容C3的第一端，所述电容C3的第二端连接所述矩阵式并联LED的阴极，所述电阻R6的第一端连接所述单向晶闸管Q1的阳极，所述单向晶闸管Q1的阴极连接所述电容C3的第二端，所述单向晶闸管Q1的阳极连接所述稳压二极管D2的阴极，所述稳压二极管D2的阳极连接所述电阻R4的第一端，所述电阻R4的第二端连接所述单向晶闸管Q1的门极。
[0010]作为进一步的技术方案，所述保护电路还包括热敏电阻R5和稳压二极管D3，所述单向晶闸管Q1的阳极连接所述热敏电阻R5的第一端，所述热敏电阻R5的第二端连接所述稳压二极管D3的阴极，所述稳压二极管D3的阳极连接所述单向晶闸管Q1的门极。
[0011]作为进一步的技术方案，所述电源模块包括恒流恒压驱动电路，所述恒流恒压驱动电路包括依次连接的整流电路、PWM控制电路和恒流恒压控制电路，所述PWM控制电路包括控制芯片U1、换能变压器B、光耦U2、电阻R8、电容C5和二极管D5，所述整流电路的输出端连接所述换能变压器B第一初级线圈的第一端，所述整流电路的输出端连接所述电容C5的
第一端，所述电容C5的第一端连接所述电阻R8的第一端，所述电阻R8的第二端连接所述二极管D5的阴极，所述二极管D5的阳极连接所述换能变压器B第一初级线圈的第二端，所述换能变压器B第一初级线圈的第二端连接所述控制芯片U1的输出端，所述控制芯片U1的控制端连接所述光耦U2三极管的发射极，所述光耦U2三极管的集电极连接所述换能变压器B第二初级线圈的第一端，所述换能变压器B第二初级线圈的第二端接地，所述光耦U2二极管的阳极连接所述换能变压器B次级线圈的第一端，所述光耦U2二极管的阴极连接所述恒流恒压控制电路，所述换能变压器B次级线圈的第一端连接所述矩阵式并联LED的阳极，所述换能变压器B次级线圈的第二端连接所述矩阵式并联LED的阴极。
[0012]作为进一步的技术方案，所述恒流恒压控制电路包括电阻R9、三极管Q2、变阻器RP2、电阻R11、电阻R10、切换开关K、电阻R12、变阻器RP3、可控精密稳压源U3、稳压二极管D7和电容C9，所述换能变压器B次级线圈的第一端连接所述电阻R9的第一端，所述电阻R9的第二端连接所述光耦U2二极管的阳极，所述光耦U2二极管的阴极连接所述三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的基极连接所述变阻器RP2的第一端，所述变阻器RP2的第二端接地，所述三极管Q2的集电极连接所述稳压二极管D7的阴极，所述稳压二极管D7的阳极接地，所述三极管Q2的发射极连接所述电阻R11的第一端，所述三极管Q2的发射极连接所述电阻R10的第一端，所述电阻R10的第二端接地，所述电阻R11的第二端连接所述切换开关K的第一选择端，所述电阻R9的第一端连接所述变阻器RP3的第一端，所述变阻器RP3的第二端连接所述电阻R12的第一端，所述电阻R12的第二端接地，所述电阻R12的第一端连接所述切换开关K的第二选择端，所述切换开关K的切换闸刀端接地，所述三极管Q2的集电极连接所述可控精密稳压源U3的阴极，所述可控精密稳压源U3的阳极接地，所述可控精密稳压源U3的参考极连接所述电阻R12的第一端。
[0013]本技术的工作原理及有益效果为：
[0014]在矩阵式并联LED接通电源照射的过程中，电源模块的电压会发生波动，电压值忽大忽小，在电压过大时，会将矩阵式并联LED击穿，导致LED损坏；本实施例中，采用了稳压二极管D1，使得在电源模块的输出电压过大时，稳压二极管D1可被击穿导通，形成短路，对矩阵式并联LED形成保护，避免电压过大发生击穿。
附图说明
[0015]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0016]图1为本技术中防击穿LED电路原理图；
[0017]图2为本技术中保护电路原理图；
[0018]图3为本技术中恒流恒压驱动电路原理图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都涉及本技术保护的范围。
[0020]如图1所示，本实施例提出了多串并联紫外LED防击穿电路，包括电源模块，
[0021]还包括防击穿LED电路，所述防击穿LED电路包括电阻R3、稳压二极管D1和矩阵式并联LED，所述电阻R3的第一端连接电源V+端，所述电阻R3的第二端连接所述矩阵式并联LED的阳极，所述矩阵式并联LED的阴极连接电源V
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端，所述矩阵式并联LED的阴极连接所述稳压二极管D1的阳极，所述稳压二极管D1的阴极连接所述电阻R3的第一端。
[0022]在矩阵式并联LED接通电源照射的过程中，电源模块的电压会发生波动，电压值忽大忽小，在电压过大时，会将矩阵式并联LED击穿，导致LED损坏；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.多串并联紫外LED防击穿电路，包括电源模块，其特征在于，还包括防击穿LED电路，所述防击穿LED电路包括电阻R3、稳压二极管D1和矩阵式并联LED，所述电阻R3的第一端连接电源V+端，所述电阻R3的第二端连接所述矩阵式并联LED的阳极，所述矩阵式并联LED的阴极连接电源V
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端，所述矩阵式并联LED的阴极连接所述稳压二极管D1的阳极，所述稳压二极管D1的阴极连接所述电阻R3的第一端。2.根据权利要求1所述的多串并联紫外LED防击穿电路，其特征在于，还包括电感L1，所述电感L1的第一端连接所述稳压二极管D1的阳极，所述电感L1的第二端连接所述矩阵式并联LED的阴极。3.根据权利要求2所述的多串并联紫外LED防击穿电路，其特征在于，还包括保护电路，所述保护电路包括电阻R6、电容C3、单向晶闸管Q1、稳压二极管D2和电阻R4，所述电阻R6的第一端连接所述矩阵式并联LED的阳极，所述电阻R6的第二端连接所述电容C3的第一端，所述电容C3的第二端连接所述矩阵式并联LED的阴极，所述电阻R6的第一端连接所述单向晶闸管Q1的阳极，所述单向晶闸管Q1的阴极连接所述电容C3的第二端，所述单向晶闸管Q1的阳极连接所述稳压二极管D2的阴极，所述稳压二极管D2的阳极连接所述电阻R4的第一端，所述电阻R4的第二端连接所述单向晶闸管Q1的门极。4.根据权利要求3所述的多串并联紫外LED防击穿电路，其特征在于，所述保护电路还包括热敏电阻R5和稳压二极管D3，所述单向晶闸管Q1的阳极连接所述热敏电阻R5的第一端，所述热敏电阻R5的第二端连接所述稳压二极管D3的阴极，所述稳压二极管D3的阳极连接所述单向晶闸管Q1的门极。5.根据权利要求1～4任一项所述的多串并联紫外LED防击穿电路，其特征在于，所述电源模块包括恒流恒压驱动电路，所述恒流恒压驱动电路包括依次连接的PWM控制电路和恒流恒压控制电路，所述PWM控制电路包括控制芯片U1、换能变压器B、光耦U2、电阻R8、电容C5和二极管D5，所述换能变压器B第一初级线圈的第一端用于连接整流电路的输出端，所述电容C5的第一端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雪飞，蓝卫，吴亮斌，
申请(专利权)人：河北奥特维力医疗器械有限公司，
类型：新型
国别省市：