发光装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光装置。所述发光装置包括：衬底；发光二极管，设置于所述衬底上，所述发光二极管包括依次设置于所述衬底上的第一电极层、第一功能层、第二电极层；第一散热层，设置于所述衬底上；并且，所述发光装置具有发光区和非发光区；所述发光二极管对应设置于所述发光区，所述第一散热层位于所述非发光区。本申请的发光装置可以在不影响器件性能的前提下，可以大幅降低焦耳热的累积速率，可以提升器件在长时间电流驱动时的工作寿命。提升器件在长时间电流驱动时的工作寿命。提升器件在长时间电流驱动时的工作寿命。

【技术实现步骤摘要】
发光装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种发光装置。

技术介绍

[0002]QLED(Quantum Dots Light
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Emitting Diode，量子点发光二极管)器件，是一种新兴的显示器件，结构与OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)器件相似，即空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。QLED是一项介于液晶和OLED之间的新型技术，其核心技术为“Quantum Dot(量子点)”，量子点由锌、镉、硒和硫原子构成。早在1983年，美国贝尔实验室的科学家就对其进行深入研究，数年后美国耶鲁大学的物理学家马克
·
里德正式将其命名为“量子点”。量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，由锌、镉、硫、硒原子组成。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：衬底；发光二极管，设置于所述衬底上；所述发光二极管包括依次设置于所述衬底上的第一电极层、第一功能层、第二电极层；第一散热层，设置于所述衬底上；并且，所述发光装置具有发光区和非发光区；所述发光二极管对应设置于所述发光区，所述第一散热层位于所述非发光区。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一功能层包括依次设置的空穴功能层、发光层和电子功能层；所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一功能层从所述发光区延伸至所述非发光区，形成第二功能层。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，在所述非发光区，所述第一散热层设置于所述空穴功能层与所述发光层之间，和/或所述第一散热层设置于所述发光层和所述电子功能层之间。5.根据权利要求2或3所述的发光装置，其特征在于，在所述非发光区，所述第一散热层设置于所述第一功能层的侧面，且所述第一散热层与所述第一功能层的高度相等。6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括封盖层，所述封盖层设置于所述发光二极管背离所述衬底的一侧；所述封盖层背离所述发光二极管的一侧设置有第二散热层，且所述第二散热层位于所述非发光区。7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一散热层的材料包括导热系数>50W/mK的非良导体材料；优选地，所述第一散热层的材料包括Si、SiC中的至少一种。8.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述第二散热层的材料包括导热系数>50W/mK的非透光材料；优选地，所述第二散热层的材料包括SiC、聚酰亚胺、Au、Ag和Cu中的至少一种。9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二电极层为顶电极，设置于所述第一功能层背离所述衬底的一侧；所述第二电极层的金属部分的厚度≤20nm，可见光透光率≥90％。10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管包括依次层叠设置的第一电极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第二电极层；其中，所述空穴注入层的材料包括PEDOT：PSS、CuPc、F4
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TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的至少一种；所述空穴传输层的材料包括聚(9,9
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二辛基芴
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CO

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，张建新，严怡然，杨帆，莫新娣，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：