等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法制造方法及图纸

提供可靠性高的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法。作为其手段，是一种等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，该等离子处理装置用保护皮膜形成于配置在等离子处理装置的处理室内部的基材的表面，且包含对等离子具有耐受性的材料，其中，该等离子处理装置对载置于配置在真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法中，具有如下工序：(a)准备在表面具备含有钇的皮膜的基材；和(b)将基材浸渍到稀硝酸液中，通过对皮膜进行超声波照射来进行清洗，在(b)工序中，在清洗中检测钇的洗脱速度，在从开始超声波照射起的钇的洗脱速度依次经过了第1减少、第1增加、第2减少后，在发生第2增加前停止清洗。洗。洗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法


[0001]本专利技术涉及等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法。

技术介绍

[0002]在电子器件、磁存储器的制造中，在微细加工中，应用等离子蚀刻。由于进行等离子蚀刻的等离子处理装置的处理室内壁在蚀刻过程时暴露于高频等离子和蚀刻气体下，因此内壁表面形成耐等离子性优异的皮膜来进行保护。
[0003]在专利文献1(JP特开2009
‑
176787号公报)中记载了：由Al2O3、YAG、Y2O3、Gd2O3、Yb2O3或者YF3中的任一种或者2种以上构成等离子蚀刻装置的接地部皮膜材料。此外，在专利文献2(JP特开2017
‑
31457号公报)中记载了将在表面成膜有热喷涂皮膜的基材浸渍到有机酸中的清洗方法。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：JP特开2009
‑
176787号公报
[0007]专利文献2：JP特开2017
‑
31457号公报
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，该等离子处理装置用保护皮膜形成于配置在等离子处理装置的处理室内部的基材的表面，且包含对等离子具有耐受性的材料，其中，所述等离子处理装置对载置于配置在真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的所述等离子进行处理，所述等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法的特征在于，具有如下工序：(a)准备在表面具备含有钇的等离子处理装置用保护皮膜的所述基材；和(b)将所述基材浸渍到稀硝酸液中，通过对所述等离子处理装置用保护皮膜进行超声波照射来进行清洗，在所述(b)工序中，在所述清洗中检测钇的洗脱速度，在从开始所述超声波照射起的钇的洗脱速度依次经过了第1减少、第1增加、第2减少后，在发生第2增加前停止清洗。...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田和浩，池永和幸，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：