含填料膜制造技术

技术编号:37394413 阅读:45 留言:0更新日期:2023-04-27 07:31
在树脂层中分散有填料的含填料膜,其中,含填料膜与物品压接时,因树脂层不必要地流动所致的填料的流动得到抑制。该含填料膜10A具有:在树脂层2中分散有填料1的填料分散层3。填料l附近的树脂层2的表面相对于相邻填料l间的中央部处树脂层2的切面具有凹陷2b、2c。树脂层2的层厚La与填料l的粒径D之比(La/D)优选为0.6~10,填料l的最深部距树脂层2的形成有凹陷2b、2c的表面的相邻填料l间的中央部处切面的距离Lb与填料的粒径D之比(Lb/D)优选为60%以上且105%以下。上且105%以下。上且105%以下。

【技术实现步骤摘要】
含填料膜
[0001]本申请是原案申请日为2017年8月31日、申请号为201780052909.3 (国际申请号为PCT/JP2017/051799)、专利技术名称为“含填料膜”的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及含填料膜。

技术介绍

[0003]在树脂层中分散有填料的含填料膜被用于消光膜、电容器用膜、光学膜、标签用膜、抗静电用膜、各向异性导电膜等多种多样的用途(专利文献1、专利文献2、专利文献3、专利文献4)。从光学特性、机械特性或电气特性的方面考虑,期望在将含填料膜压接于作为该含填料膜的被粘体的物品时,抑制会形成含填料膜的树脂的不必要的树脂流动,从而抑制填料的偏集存在。特别是,在含有导电粒子作为填料,将含填料膜制成用于IC芯片等电子部件的安装的各向异性导电膜的情况下,若以能够应对电子部件的高安装密度的方式使导电粒子以高密度分散于绝缘性树脂层,则以高密度分散的导电粒子在电子部件的安装时会因树脂流动而不必要地移动,从而在端子间偏集存在,成为发生短路的主要原因。
[0004]对此,为了减少短路、并且改善将各向异性导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含填料膜,其为具有在树脂层中分散有填料的填料分散层的含填料膜,其中,填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部处树脂层的切面具有凹陷。2.权利要求1所述的含填料膜,其中,从树脂层露出的填料周围的树脂层的表面上形成有凹陷。3.权利要求2所述的含填料膜,其中,从切面起的凹陷的深度Le与填料的粒径D之比(Le/D)低于50%。4.权利要求2或3所述的含填料膜,其中,凹陷的最大直径Ld与填料的粒径D之比(Ld/D)为100%以上。5.权利要求1所述的含填料膜,其中,在埋于树脂层内而未从树脂层露出的填料正上方的树脂层的表面上形成有凹陷。6.权利要求1所述的含填料膜,其中,填料与相邻填料间的中央部处树脂层的切面相接,且在该接点周围的树脂层的表面上形成有凹陷。7.权利要求5或6所述的含填料膜,其中,前述凹陷从切面起的深度Lf与填料的粒径D之比(Lf/D)低于10%。8.权利要求1~7中任一项所述的含填料膜,其中,树脂层的层厚La与填料的粒径D之比(La/D)为0.6~10。9.权利要求1~8中任一项所述的含填料膜,其中,填料的最深部距树脂层的形成有凹陷的表面的相邻填料间的中央部处切面的距离Lb与填料的粒径D之比(Lb/D)为60%以上105%以下。10.权利要求1~9中任一项所述的含填料膜,其中,填料相互非接触地配置。11.权利要求1~10中任一项所述的含填料膜,其中,填料的最接近粒子间距离是填料粒径的0.5倍以上。12.权利要求1~11中任一项所述的含填料膜,其中,在与填料分散层的树脂层的形成有凹陷的表面相反侧的表面上层叠有第二树脂层。13.权利要求1~11中任一项所述的含填料膜,其中,在填料分散层的树脂层的形成有凹陷的表面上层叠有第二树脂层。14.权利要求12或13所述的含填料膜,其中,第二树脂层的最低熔融粘度低于填料分散层的树脂层的最低熔融粘度。15.权利要求12~14中任一项所述的含填料膜,其中,填料分散层的树脂层与第二树脂层的最低熔融粘度比为2以上。16.权利要求1~15中任一项所述的含填料膜,其中,填料分散层的树脂层的60℃下的粘度为3000~20000Pa

s。17.权利要求1~16中任一项所述的含填料膜,其中,填料为导电粒子。18.权利要求17所述的含填料膜,其中,填料分散层的树脂层为绝缘性树脂层,所述含填料膜用作各向异性导电膜。19.权利要求1~18中任一项所述的含填料膜,其中,在俯视含填料膜时,填料相互不接触。20.权利要求19所述的含填料膜,其中,关于该凹陷,在填料附近中的填料周围,是树脂
层的表面相对于前述切面缺损的部分,或者在填料附近中的填料正上方的树脂层,是填料正上方的树脂层的树脂量与填料正上方的树脂层的表面位于前述切面时相比减少的部分。21.权利要求1~20中任一项所述的含填料膜,其中,树脂层含有热聚合性化合物和热聚合引发剂。22.权利要求1~21中任一项所述的含填料膜,其中,树脂层含有与上述填料不同的微小的绝缘性填料。23.权利要求22所述的含填料膜,其中,绝缘性填料的粒径为20~1000nm。24.权利要求22或23所述的含填料膜,其中,在树脂层含有热聚合性化合物和热聚合引发剂的情况下,相对于热聚合性化合物100质量份,绝缘性填料的含量为5~50质量份。25.权利要求1~24中任一项所述的含填料膜,其中,树脂层的最低熔融粘度为1000Pa

s以上。26.权利要求1~25中任一项所述的含填料膜,其中,在填料分散层上进一步层叠有第二树脂层。27.权利要求26所述的含填料膜,其中,所述含填料膜进一步设置有第三树脂层。28.权利要求1~27中任一项所述的含填料膜,其中,含填料膜整体的最低熔融粘度为8000Pa

s以下。29.权利要求1~28中任一项所述的含填料膜,其中,所述含填料膜形成为长度为5m以上的卷装体。30.含填料膜,其为具有在树脂层中分散有填料的填料分散层的含填料膜,其中,在俯视含填料膜时,填料相互不接触,填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部处树脂层的切面具有凹陷,关于从切面到填料的最深部的距离Lb与填料的粒径D之比(Lb/D)即埋入率,全部填料数的80%以上具有60%以上且105%以下的埋入率。31.含填料膜,其为具有在树脂层中分散有填料的填料分散层的含填料膜,其中,在俯视含填料膜时,填料相互不接触,填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部处树脂层的切面具有凹陷,关于该凹陷,在填料附近中的填料周围,是树脂层的表面相对于前述切面缺损的部分,或者在填料附近中的填料正上方的树脂层,是填料正上方的树脂层的树脂量与填料正上方的树脂层的表面位于前述切面时相比减少的部分,关于从切面到填料的最深部的距离Lb与填料的粒径D之比(Lb/D)...

【专利技术属性】
技术研发人员:塚尾怜司三宅健
申请(专利权)人:迪睿合株式会社
类型:发明
国别省市:

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