用于发声装置的振膜、发声装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于发声装置的振膜、发声装置及电子设备，振膜包括主体部和导电部，主体部由乙烯

【技术实现步骤摘要】
用于发声装置的振膜、发声装置及电子设备


[0001]本专利技术涉及电声
，更具体地，涉及一种用于发声装置的振膜，使用该振膜的发声装置，以及使用该发声装置的电子设备。

技术介绍

[0002]发声装置一般包括振膜和结合在该振膜一侧的音圈，以及电连接发声装置内部电路和外部电路的电连接件。音圈括两条音圈引线通过点焊等方式分别与电连接件的两个焊盘电连接，电连接件同时电连接外部电路，以通过终端产品的电信号控制音圈中的电信号。但是，音圈的引线需要顺出一定长度的线程形成悬空结构，该种结构短线的风险较高。
[0003]为了解决上述问题，有些发声装置中还包括有定心支片，定心支片通常结合在振膜的一侧，定心支片可以作为音圈与外部的电连接件使用。定心支片的应用虽然有效解决了音圈引线断线的隐患，但是定心支片的存在会占用发声装置的内部空间，从而在一定程度上损失产品的声学性能。
[0004]在相关技术中，一种具有导电功能的振膜，振膜采用硅胶类导电胶形成导电层，音圈通过振膜上的导电层与外界电路电连接。硅胶类导电胶虽然具有较好的耐温性，但是其硫化反应需要铂金催化，而铂金催化在含有氮、磷、硫等元素的环境下容易中毒出现硅膜层不固化的现象，限制了目前的导电胶在扬声器上的应用。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一个目的在于提供一种用于发声装置的振膜，不仅具有优异的耐温性，而且导电部不会出现膜层不固化的现象。
[0006]本专利技术的又一个目的在于提供上述用于发声装置的振膜组成的发声装置。
[0007]本专利技术的再一个目的在于提供包括上述发声装置的电子设备。
[0008]为了实现以上目的，本专利技术提供了以下技术方案。
[0009]根据本专利技术第一方面实施例的用于发声装置的振膜，所述振膜包括主体部和导电部，所述主体部由乙烯
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丙烯酸酯橡胶膜、丙烯酸酯橡胶膜、氢化丁腈橡胶膜和乙丙橡胶膜中的一种制成，所述导电部设于所述主体部，所述导电部的至少一部分外露以与发声装置的音圈和外部电路电连接；
[0010]其中，所述导电部包括基体和分散于所述基体内的导电材料，所述基体形成为由含有羧酸基团的氢化丁腈共聚物和/或含有羧酸基团的丁腈共聚物与交联剂通过交联反应制备而成的膜层，所述氢化丁腈共聚物分子结构为：
[0011][0012]其中，x、y、z、m、n分别为自然数，R的原始聚合单体为乙烯性不饱和单羧酸或者乙烯性不饱和二羧酸。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，所述导电材料包括银粉，所述导电部中的所述导电材料的质量百分比为60wt％～95wt％。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，所述乙烯性不饱和单羧酸为丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、巴豆酸和桂皮酸中的至少一种；所述乙烯性不饱和二羧酸为反丁烯二酸、顺丁烯二酸、戊烯二酸、烯丙基丙二酸、中康酸、托康酸、依康酸和拧康酸中的至少一种。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，所述羧酸基团占所述氢化丁腈共聚物和/或丁腈共聚物的质量百分比为0.1wt％～7wt％。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，所述氢化丁腈共聚物和/或丁腈共聚物中含有丙烯腈嵌段，所述丙烯腈嵌段占所述氢化丁腈共聚物和/或丁腈共聚物的质量百分比为10wt％～50wt％。
[0017]根据本专利技术的一些实施例，所述导电部设于所述主体部的一侧表面。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，所述导电部涂布或粘接于所述主体部的一侧表面；或，所述主体部与所述导电部一体注塑成型。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，所述导电部的一部分嵌设于所述主体部。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，所述银粉形成为球状、片状或者不规则多边形颗粒。
[0021]根据本专利技术的一些实施例，所述银粉的最大尺寸小于等于40μm。
[0022]根据本专利技术的一些实施例，所述交联剂为胺类交联剂和环氧交联剂中的至少一种，其中，所述胺类交联剂包括己二胺、己二胺盐、六亚甲基二胺氨基甲酸盐、三乙撑四胺、亚基二苯胺和二邻甲苯胍中的至少一种，所述环氧交联剂含有至少两个环氧基团。
[0023]根据本专利技术的一些实施例，所述导电部的玻璃化转变温度低于
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15℃。
[0024]根据本专利技术的一些实施例，所述导电部的断裂伸长率大于等于30％。
[0025]根据本专利技术的一些实施例，所述导电部的直线电阻值小于等于0.2Ω/mm。
[0026]根据本专利技术的一些实施例，所述导电部还含有防老剂，所述防老剂包括防老剂246、防老剂4010、防老剂N
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445、防老剂SP、防老剂BHT、防老剂RD、防老剂OD、防老剂ODA和防老剂WH
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02中的至少一种。
[0027]根据本专利技术的一些实施例，由所述氢化丁腈共聚物与所述交联剂制备而成的所述导电部在175℃环境下老化168h的断裂伸长率下降小于60％；或，由所述丁腈共聚物与所述交联剂制备而成的所述导电部在120℃环境下老化168h的断裂伸长率小于65％。
[0028]根据本专利技术的一些实施例，所述导电部的厚度为5μm～200μm。
[0029]根据本专利技术第二方面实施例的发声装置，包括根据上述实施例中任一项所述的用于发声装置的振膜。
[0030]根据本专利技术第三方面实施例的电子设备，包括根据上述实施例所述的发声装置。
[0031]根据本专利技术实施例的振膜、发声装置以及电子设备，通过使用含有羧酸基团的氢化丁腈共聚物和/或含有羧酸基团的丁腈共聚物经过交联反应制备而成的膜层作为振膜的导电部，由此制备的振膜的导电部不会出现铂金体系催化的硅胶类导电胶遇到含氮、磷、硫不固化的现象，同时，较未改性氢化丁腈共聚物和/或丁腈共聚物，由于羧酸改性的氢化丁腈共聚物和/或丁腈共聚物具有较高的耐温性，使得振膜不仅具有优异的耐温性，而且稳定性高。
[0032]通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其
优点将会变得清楚。
附图说明
[0033]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。
[0034]图1为根据本专利技术一个实施例的振膜的结构示意图；
[0035]图2为根据本专利技术一个实施例的振膜的局部剖面图；
[0036]图3为根据本专利技术另一个实施例的振膜的局部剖面图；
[0037]图4为根据本专利技术实施例的振膜在3mm*3mm正方形测试对角的示意图；
[0038]图5为根据本专利技术一个实施例的发声装置的局部剖面图；
[0039]图6为根据本专利技术另一个实施例的发声装置的局部剖面图。
[0040]附图标记：
[0041]振膜10；主体部11；导电部12；
[0042]音圈20；第一振膜21；第二振膜22。
具体实施方式
[0043]现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于发声装置的振膜，其特征在于，所述振膜包括主体部和导电部，所述主体部由乙烯
‑
丙烯酸酯橡胶膜、丙烯酸酯橡胶膜、氢化丁腈橡胶膜和乙丙橡胶膜中的一种制成，所述导电部设于所述主体部，所述导电部的至少一部分外露以与发声装置的音圈和外部电路电连接；其中，所述导电部包括基体和分散于所述基体内的导电材料，所述基体形成为由含有羧酸基团的氢化丁腈共聚物和/或含有羧酸基团的丁腈共聚物与交联剂通过交联反应制备而成的膜层，所述氢化丁腈共聚物分子结构为：其中，x、y、z、m、n分别为自然数，R的原始聚合单体为乙烯性不饱和单羧酸或者乙烯性不饱和二羧酸。2.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜，其特征在于，所述导电材料包括银粉，所述导电部中的所述导电材料的质量百分比为60wt％～95wt％。3.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜，其特征在于，所述乙烯性不饱和单羧酸为丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、巴豆酸和桂皮酸中的至少一种；所述乙烯性不饱和二羧酸为反丁烯二酸、顺丁烯二酸、戊烯二酸、烯丙基丙二酸、中康酸、托康酸、依康酸和拧康酸中的至少一种。4.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜，其特征在于，所述羧酸基团占所述氢化丁腈共聚物和/或丁腈共聚物的质量百分比为0.1wt％～7wt％。5.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜，其特征在于，所述氢化丁腈共聚物和/或丁腈共聚物中含有丙烯腈嵌段，所述丙烯腈嵌段占所述氢化丁腈共聚物和/或丁腈共聚物的质量百分比为10wt％～50wt％。6.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜，其特征在于，所述导电部设于所述主体部的一侧表面。7.根据权利要求6所述的用于发声装置的振膜，其特征在于，所述导电部涂布或粘接于所述主体部的一侧表面；或，所述主体部与所述导电部一体注塑成型。8.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜，其特征在于，所述导电部的一部分嵌设于所述主体部。9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠冰，李春，付逊，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：