杂环化合物、包括其的发光装置和电子设备制造方法及图纸

技术编号：37385800 阅读：16 留言：0更新日期：2023-04-27 07:25

本申请中提供了由式1表示的杂环化合物、包括杂环化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备：式1其中式1的详细描述与本说明书中描述的相同。其中式1的详细描述与本说明书中描述的相同。其中式1的详细描述与本说明书中描述的相同。

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【技术实现步骤摘要】
杂环化合物、包括其的发光装置和电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2021年10月20日提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0140484号的优先权和权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。

[0003]一个或多个实施方式涉及杂环化合物、包括杂环化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]在发光装置中，有机发光装置为自发射装置，其与现有技术中的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及/或者在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异或适当的特性。
[0005]有机发光装置可包括位于基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。

技术实现思路

[0006]根据描述的一个或多个实施方式的方面涉及具有低驱动电压、优异或适当的发光效率和/或长寿命的杂环化合物以及利用该杂环化合物的发光装置。
[0007]另外的方面将部分地在如下的描述中陈述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过本公开呈现的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据一个或多个实施方式，杂环化合物可由式1表示：
[0009]式1
[0010][0011...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层；以及由式1表示的杂环化合物：式1其中，在式1中，L1和L2各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a1和a2各自独立地为选自0至5的整数，数量为a1的L1各自彼此相同或不同，数量为a2的L2各自彼此相同或不同，R1至R8各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)、
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)或
‑
P(＝S)(Q1)(Q2)，b2和b5各自独立地为选自0至4的整数，
b3和b4各自独立地为选自0至3的整数，数量为b2的R2各自彼此相同或不同，数量为b3的R3各自彼此相同或不同，数量为b4的R4各自彼此相同或不同，数量为b5的R5各自彼此相同或不同，在b2为2或更大的情况下，两个R2任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基；在b3为2或更大的情况下，两个R3任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基；在b4为2或更大的情况下，两个R4任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基；在b5为2或更大的情况下，两个R5任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基；或者选自R6至R8中的两个基团任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基，各自未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
P(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)、
‑
P(＝S)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合，各自未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基或C2‑
C
60
杂芳基烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
P(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)、
‑
P(＝S)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合，或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
P(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)、
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)或
‑
P(＝S)(Q
31
)(Q
32
)，并且其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；各自未被取代或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基；C7‑
C
60
芳基烷基；或C2‑
C
60
杂芳基烷基。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述由式1表示的杂环化合物包括在所述夹层中。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述由式1表示的杂环化合物包括在所述发射层中。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括：主体；和
磷光掺杂剂或延迟荧光掺杂剂，并且其中所述主体为所述由式1表示的杂环化合物。5.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。6.如权利要求5所述的发光装置，其中：所述空穴传输区包括所述电子阻挡层，并且所述由式1表示的杂环化合物包括在所述电子阻挡层中。7.如权利要求5所述的发光装置，其中：所述空穴传输区和所述发射层中的至少一个包括：含芳胺的化合物、含吖啶的化合物、含咔唑的化合物或其任意组合；或所述发射层和所述电子传输区中的至少一个包括含硅的化合物、含氧化膦的化合物、含氧化硫的化合物、含氧化磷的化合物、含三嗪的化合物、含嘧啶的化合物、含吡啶的化合物、含二苯并呋喃的化合物、含二苯并噻吩的化合物或其任意组合。8.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括：第一封盖层，所述第一封盖层在所述第一电极外侧并且包括所述由式1表示的杂环化合物；第二封盖层，所述第二封盖层在所述第二电极外侧并且包括所述由式1表示的杂环化合物；或所述第一封盖层和所述第二封盖层。9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有450nm或更大且475nm或更小的最大发射波长的蓝光。10.一种电子设备，包括如权利要求1至9中任一项所述的发光装置。11.如权利要求10所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中：所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极。12.如权利要求10所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。13.一种由式1表示的杂环化合物：式1
其中，在式1中，L1和L2各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a1和a2各自独立地为选自0至5的整数，数量为a1的L1各自彼此相同或不同，数量为a2的L2各自彼此相同或不同，R1至R8各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)、
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)或
‑
P(＝S)(Q1)(Q2)，b2和b5各自独立地为选自0至4的整数，b3和b4各自独立地为选自0至3的整数，数量为b2的R2彼此相同或不同，数量为b3的R3彼此相同或不同，数量为b4的R4彼此相同或不同，数量为b5的R5彼此相同或不同，在b2为2或更大的情况下，两个R2任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基；在b3为2或更大的情
况下，两个R3任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基；在b4为2或更大的情况下，两个R4任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基；在b5为2或更大的情况下，两个R5任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基；或者选自R6至R8中的两个基团任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基，各自未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：严贤娥，金炯民，安熙春，李艺瑟，李孝荣，崔志镕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：

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