【技术实现步骤摘要】
一种射频电路和可调变压器
[0001]本申请涉及电子
，尤其涉及一种射频电路和可调变压器。
技术介绍
[0002]目前，第五代移动通信(5G)技术将频率大于24GHz以上频段(通常称为毫米波)应用于移动宽带通信。相比4G、3G等移动通信技术，由于5G增加了大量可用的高频段频谱，从而使得5G系统可以提供极致数据传输速度和容量，这将重塑移动体验。5G毫米波通信在28GHz附近定义了3个新无线(New Radio，NR)频段，即N257，N258和N261频段。
[0003]传统的射频收/发机中，针对不同的频段，需要使用独立的接收/发射链路来处理不同频段的射频(radio frequency，RF)信号。对于5G射频收/发机而言，由于需要覆盖不同的频段以支持不同的模式，而5G毫米波下定义的NR频段与4G通信系统中定义的低频(low band，LB)、中频(middle band，MB)和高频(high band，HB)三个频段相比，每个频段的带宽都大于LB、MB和HB的带宽。在5G射频收/发机的设计中，如果继续使用单...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种射频电路，其特征在于，所述射频电路包括：可调变压器，第一级放大器和第二级放大器，所述第一级放大器通过所述可调变压器与所述第二级放大器耦合，所述可调变压器的带宽可调，使得所述射频电路的工作频段覆盖N258频段和N257频段、或者N258频段和N261频段。2.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述可调变压器包括可调开关，所述可调开关用于实现所述可调变压器的调整。3.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述可调变压器包括初级线圈、次级线圈和至少一个第一线圈，所述初级线圈和所述次级线圈磁耦合，所述至少一个第一线圈分别与所述初级线圈和所述次级线圈磁耦合，所述第一线圈的两端分别耦合至两个节点，所述两个节点之间的阻抗可调。4.根据权利要求3所述的射频电路，其特征在于，所述两个节点之间还设置有与所述第一线圈形成回路的Q值增强电路，所述Q值增强电路用于增加所述可调变压器的Q值。5.根据权利要求4所述的射频电路，其特征在于，所述Q值增强电路包括：交叉耦合管，用于为所述第一线圈提供负阻补偿。6.根据权利要求5所述的射频电路，其特征在于，所述Q值增强电路还包括：可变电流源，用于为所述交叉耦合管提供电流。7.根据权利要求3所述的射频电路，其特征在于，所述两个节点之间还设置有与所述第一线圈形成回路的可调电阻或开关。8.根据权利要求7所述的射频电路，其特征在于，所述开关为晶体管，所述晶体管的栅极电压可调。9.根据权利要求3
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8任一项所述的射频电路，其特征在于，在所述可调变压器的版图中，所述初级线圈、所述次级线圈和所述至少一个第一线圈设置于同一个布线层，且所述初级线圈和所述次级线圈分别位于所述至少一个第一线圈的外侧。10.根据权利要求3
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9任一项所述的射频电路，其特征在于，所述至少一个第一线圈包括至少两个第一线圈，在所述可调变压器的版图中，所述至少两个第一线圈位于同一个布线层，且所述至少两个第一线圈对称设置。11.根据权利要求3
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10任一项所述的射频电路，其特征在于，所述可调变压器还包括调谐电容，所述调谐电容的两端分别与所述初级线圈或所述次级线圈中的至少一个线圈的两端连接。12.根据权利要求3
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11任一项所述的射频电路，其特征在于，所述第一级放大器或所述第二级放大器中的至少一个为差分放大器。13.根据权利要求12所述的射频电路，其特征在于，所述差分放大器包括共源的两个晶体管。14.根据权利要求13所述的射频电路，其特征在于，所述差分放大器还包括退化电感，所述退化电感耦合在所述两个晶体管的共源端，所述退化电感的中心抽头与接地端耦合。15.根据权利要求13或14所述的射频电路，其特征在于，所述差分放大器还包括两个中和电容，其中一个中和电容耦合在所述两个晶体管中第一个晶体管的漏极和第二个晶体管的栅极，另一个...
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