一种谐振电路制造技术

本发明专利技术公开了一种谐振电路，涉及电路设计技术领域。本发明专利技术的一具体实施方式包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、激励线圈L1、拾振线圈L2、第一比较器N1和第二比较器N2。解决原有驱动电路启动过程损耗功率问题和受温度的影响工作的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种谐振电路


[0001]本专利技术属于电路设计
，尤其涉及一种谐振电路。

技术介绍

[0002]目前存在3种驱动电路，第一种驱动电路是由电压比较器、电阻、电容等组成，通过
±
15V供电进行工作；第二种驱动电路是5V供电，驱动电路由运算放大器、电容、电阻等组成；最后一种驱动电路是5V供电，驱动电路由比较器和电容、电阻组成，并通过电阻和电感组成启动电路。

技术实现思路

[0003]本专利技术在充分利用现有技术驱动振管进入谐振工作状态的基础上，提出采用电容、电阻、mos管组成的零功耗启动电路(探测器正常工作时该部分电路功耗为零)，同时增加由温敏元件、运算放大器、电阻和电容组成的温度补偿电路实现探测器在宽温度范围内可靠工作。解决原有驱动电路启动过程损耗功率问题和受温度的影响工作的问题。
[0004]有鉴于此，根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种谐振电路，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、激励线圈L1、拾振线圈L2、第一比较器N1和第二比较器N2；其中，所述第一比较器N1的正端与所述第一电阻R1一端连接，所述第一电阻R1另一端与温度补偿电源Vout连接，所述第一比较器N1的负端与所述第二电阻R2的一端连接，所述第二电阻R2的另一端接地；所述拾振线圈L2的两端分别连接所述第一电容C1的两端，所述拾振线圈L2的负端连接所述第一比较器N1的正端，所述拾振线圈L2的正端连接所述第一比较器N1的负端；所述第一比较器N1的输出端与所述第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端与所述温度补偿电源Vout连接；所述激励线圈L1的两端分别连接所述第二电容C2的两端，所述激励线圈L1的负端接地；所述第三电容C3的一端与所述第一比较器N1的输出端连接，另一端与所述激励线圈L1的正端连接；所述第一比较器N1的供电为所述温度补偿电源Vout；所述第二比较器N2的正端与所述第一比较器N1的输出端连接，所述第二比较器N2的负端与所述第四电阻R4的一端连接，所述第四电阻R4的另一端与所述温度补偿电源Vout连接；所述第二比较器N2的负端还与所述第五电阻R5的一端连接，所述第五电阻R5的另一端接地；所述第二比较器N2的输出端还与所述第六电阻R6的一端连接，所述第六电阻R6的另一端连接供电，所述第二比较器N2的输出端为所述谐振电路总输出。
[0005]可选地，还包括启动电路，所述启动电路包括：第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第四电容C4和PMOS管；其中，所述第九电阻R9的一端连接供电，所述第九电阻R9另一端连接第四电容C4的一端；所述第八电阻R8的一端连接所述PMOS管的G端，所述第八电阻的另一端连接所述第九电阻R9的另一端；所述PMOS管的S端与所述第七电阻R7的一端连接，所述第七电阻R7的另一端连接供电；所述PMOS管的D端连接所述激励线圈L1的正端。
[0006]可选地，所述第七电阻R7的阻值等于所述第八电阻R8的电阻值，为1千欧；所述第
九电阻R9的阻值为20千欧；所述第四电容C4的电容值为200nF。
[0007]可选地，所述电路还包括温度补偿电路，所述温度补偿电路包括：第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第五电容C5、第一运算放大器N3、第二运算放大器N4和温度传感器；其中，所述温度传感器的一端连接基准电压，所述温度传感器的另一端连接所述第十电阻R10的一端，所述温度传感器的另一端还连接所述第五电容C5的一端，所述温度传感器的另一端还连接所述第一运算放大器N3的正输入端，所述第十电阻R10的另一端接地；所述第十二电阻R12的一端连接所述基准电压，所述第十二电阻R12的另一端连接所述第五电容C5的另一端，所述第十二电阻R12的另一端还连接所述第十一电阻R11的一端，所述第十二电阻R12的另一端还连接所述第一运算放大器N3的负输入端，所述第十一电阻R11的另一端接地；所述第十三电阻R13的一端连接所述第一运算放大器N3的负输入端，所述第十三电阻R13的另一端接地，所述第十四电阻R14的一端连接所述第一运算放大器N3的负输入端，所述第十四电阻R14的另一端连接所述第一运算放大器N3的输出端；所述第十五电阻R15的一端连接所述第一运算放大器N3的输出端，所述第十五电阻R15的另一端连接所述第二运算放大器N4的负输入端，所述第十六电阻R16的一端连接所述第二运算放大器N4的负输入端，所述第十六电阻R16的另一端连接所述第二运算放大器N4的输出端；所述第17电阻R17的一端连接供电，所述第十七电阻R17的另一端连接所述第十八电阻R18的一端，所述第十七电阻R17的另一端还连接所述第二运算放大器N4的正输入端，所述第十八电阻R18的另一端接地。
[0008]可选地，所述第十电阻R10和所述第十二电阻R12的电阻值为2千欧～10千欧，所述第十一电阻R11的电阻值为10千欧～30千欧，所述第十三电阻R13的电阻值为1千欧，所述第十四电阻R14的阻值为10千欧，所述第十五电阻R15的电阻值为33千欧，所述第十六电阻R16的电阻值为16千欧，所述第十七电阻R17的电阻值为33千欧，所述第十八电阻R18的电阻值为100千欧，所述第八电容的电容值为1nF。
[0009]可选地，所述激励线圈L1和所述拾振线圈L2的电感为2mH～5mH，电阻值为5欧～20欧；所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的电阻值均为1千欧～5千欧，所述第四电阻R4和所述第五电阻R5的电阻值相等，所述第三电阻R3和所述第六电阻R6的电阻值为1千欧～3千欧，所述第一电容C1、所述第二电容C2和所述第三电容C3的电容值为1nF～50nF。
[0010]可选地，所述第一电阻R1、所述第二电阻R2、所述第三电阻R3、所述第四电阻R4、所述第五电阻R5和所述第六电阻R6的电阻值均为1千欧。
[0011]本专利技术的特征是存在温度补偿电路，使探测器振荡电路工作温度范围宽至
‑
55度到85度，使检测到的振管本征频率受温度影响较小，提升了探测器测试灵敏度。存在低功耗启动电路，提升探测器启动性能，且启动后，启动电路发生功耗变为零。
附图说明
[0012]图1为根据本专利技术实施例的一种谐振电路的示意图；
[0013]图2为根据本专利技术实施例的一种启动电路的示意图；
[0014]图3为根据本专利技术实施例的一种温度补偿电路的示意图。
具体实施方式
[0015]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]图1为根据本专利技术实施例的一种谐振电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振电路，其特征在于，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、激励线圈L1、5拾振线圈L2、第一比较器N1和第二比较器N2；其中，所述第一比较器N1的正端与所述第一电阻R1一端连接，所述第一电阻R1另一端与温度补偿电源Vout连接，所述第一比较器N1的负端与所述第二电阻R2的一端连接，所述第二电阻R2的另一端接地；所述拾振线圈L2的两端分别连接所述第一电容C1的两端，所述拾振线圈0L2的负端连接所述第一比较器N1的正端，所述拾振线圈L2的正端连接所述第一比较器N1的负端；所述第一比较器N1的输出端与所述第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端与所述温度补偿电源Vout连接；所述激励线圈L1的两端分别连接所述第二电容C2的两端，所述激励线圈5L1的负端接地；所述第三电容C3的一端与所述第一比较器N1的输出端连接，另一端与所述激励线圈L1的正端连接；所述第一比较器N1的供电为所述温度补偿电源Vout；所述第二比较器N2的正端与所述第一比较器N1的输出端连接，所述第0二比较器N2的负端与所述第四电阻R4的一端连接，所述第四电阻R4的另一端与所述温度补偿电源Vout连接；所述第二比较器N2的负端还与所述第五电阻R5的一端连接，所述第五电阻R5的另一端接地；所述第二比较器N2的输出端还与所述第六电阻R6的一端连接，所述第六电阻R6的另一端连接供电，所述第二比较器N2的输出端为所述谐振电路5总输出。2.根据权利权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括启动电路，所述启动电路包括：第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第四电容C4和PMOS管；其中，所述第九电阻R9的一端连接供电，所述第九电阻R9另一端连接第四电容C4的一端；所述第八电阻R8的一端连接所述PMOS管的G端，所述第八电阻的另一端连接所述第九电阻R9的另一端；所述PMOS管的S端与所述第七电阻R7的一端连接，所述第七电阻R7的另一端连接供电；所述PMOS管的D端连接所述激励线圈L1的正端。3.根据权利权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第七电阻R7的阻值等于所述第八电阻R8的电阻值，为1千欧；所述第九电阻R9的阻值为20千欧；所述第四电容C4的电容值为200nF。4.根据权利权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括温度补偿电路，所述温度补偿电路包括：第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第五电容C5、第一运算...

【专利技术属性】
技术研发人员：康志宏，宋继红，姚敏强，李拉兔，
申请(专利权)人：太原航空仪表有限公司，
类型：发明
国别省市：