一种双工器装置制造方法及图纸

技术编号:37371827 阅读:20 留言:0更新日期:2023-04-27 07:16
本发明专利技术提供了一种双工器装置,属于声表面波滤波器领域,在保证双工器抑制度和隔离度可用的情况下,将双工器芯片上的植球点分布在四周,避免在双工器芯片中间位置植球,同时对应封装基板的植球位置也分布在陶瓷基板的四周,该设计可避免由于陶瓷基板共面性不好导致封装后的产品产生植球接触不良问题,大大改善双工器产品的可靠性。本发明专利技术解决了由于基板共面性不好导致封装后的产品产生植球接触不良,以影响产品的可靠性的问题。影响产品的可靠性的问题。影响产品的可靠性的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种双工器装置


[0001]本专利技术属于声表面波滤波器领域,尤其涉及一种双工器装置。

技术介绍

[0002]在当前无线通信中,射频前端是最重要的模块电路之一,射频前端中的滤波器尤其是双工器又是前端模块中重要的模块,双工器产品通常由芯片及陶瓷基板通过金线键合而成,陶瓷基板一般采用高温共烧多层陶瓷基板(HTCC)工艺,由于陶瓷基板厂商的工艺能力限制,基板存在共面性不好的问题,这也会导致产品在封装后存在植球接触不良的问题,这将大大影响产品的可靠性。
[0003]基板共面性的定义是:将产品顶部向上,固定在平面上;测量基板倒装区金属化区域的高度;利用测得的点拟合一理想平面,取距离理想平面相反方向最远两点的Z向距离作为倒装区共面性。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的上述不足,本专利技术提供的一种双工器装置,解决了由于基板共面性不好导致封装后的产品产生植球接触不良,以影响产品的可靠性的问题。
[0005]为了达到以上目的,本专利技术采用的技术方案为:本方案提供一种双工器装置,包括双工器芯片以及与双工器芯片键合的陶瓷基板;所述双工器芯片的四周分布有植球点,且植球点上下对称分布;所述陶瓷基板的四周对应分布有植球点。
[0006]本专利技术的有益效果是:本专利技术在保证双工器抑制度和隔离度可用的情况下,将双工器芯片上的植球点分布在四周,避免在双工器芯片中间位置植球,同时对应封装基板的植球位置也分布在陶瓷基板的四周,该设计可避免由于陶瓷基板共面性不好导致封装后的产品产生植球接触不良问题,大大改善双工器产品的可靠性。
[0007]进一步地,所述双工器芯片包括压电衬底、接收滤波器端子以及分别设置于压电衬底上的天线端子和发射滤波器端子;所述天线端子和发射滤波器端子连接构成在所述压电衬底上的梯形结构发射滤波器;所述天线端子和接收滤波器端子连接构成在所述压电衬底上的DMS结构接收滤波器;所述梯形结构发射滤波器包括若干个顺次串联的串联臂以及与各串联臂连接的并联臂;各所述串联臂上设置有串联谐振器,各并联臂上设置有并联谐振器;所述DMS结构接收滤波器上具有串联臂与并联臂,位于DMS结构两端的串联臂与并联臂可任意组合;其中,各所述串联臂上设置有串联谐振器,各并联臂上设置有并联谐振器。
[0008]上述进一步方案的有益效果是:本专利技术所提供的双工器,在不增加体积,保持隔离度可用的情况下,通过调整双工器芯片上的接地端子位置,同时调整对应陶瓷基板上的电
感形状及大小,使得双工器芯片的植球点遍布于芯片四周,不在双工器芯片与陶瓷基板中间部位,这样通过植球完成电连接后,可避免由于基板共面性不好带来的植球接触不良问题,可大大改善产品的可靠性。
[0009]进一步地,所述梯形结构发射滤波器中顺次连接的第一个串联谐振器的一端与所述天线端子连接,最后一个串联谐振器的一端与所述发射滤波器端子连接;所述梯形结构发射滤波器中从天线端子起顺次连接的第二个串联谐振器和第三个串联谐振器之间连接了一并联谐振器,该并联谐振器单独接地,并与第一接地端子连接;从天线端子起顺次连接的第一个串联谐振器和第二个串联谐振器之间连接了一并联谐振器,第三个串联谐振器和第四个串联谐振器之间连接了一并联谐振器,两个并联谐振器共地连接,并与第二接地端子连接;位于梯形结构发射滤波器中间的各串联臂上均设置有串联谐振器,各并联臂上的并联谐振器单独接地和/或与中间任一并联谐振器共同接地。
[0010]上述进一步方案的有益效果是:本专利技术通过上述合理布局,同时调整陶瓷基板上的电感绕线长度,使得利用较短电感线达到所需的隔离度,由于电感线长度较短,因此误差较小,设计的准确度会有所改善。
[0011]再进一步地,所述DMS结构接收滤波器的信号输出端连接DMS结构接收滤波器中最后一串联臂的一端,该最后一串联臂的另一端连接接收滤波器端子和最后一并联臂中的一并联谐振器,该最后一并联臂中另一并联谐振器的一端连接第四接地端子,所述DMS结构接收滤波器的上下两端分别连接第三接地端子和第五接地端子;位于第一个串联臂上的第一个串联谐振器的一端同时与第一并联臂的一端以及DMS结构滤波器的信号输入端连接,所述第一个串联臂与天线端子连接,所述第一个串联臂上的两个串联谐振器串联连接,所述第一个并联臂的另一端与DMS结构滤波器的上端均与第三接地端子连接。
[0012]上述进一步方案的有益效果是:通过将谐振器分布在DMS结构的左右两端,且用第五接地端子隔开,可有效保证DMS的抑制水平保持较好的水平,同时将第一个并联臂的另一端与DMS结构滤波器的上端接同一接地端子,可减小接地端子数量,达到减小体积的目的。
[0013]再进一步地,所述第一接地端子、第二接地端子、第三接地端子、第四接地端子以及第五接地端子均单独接地。
[0014]上述进一步方案的有益效果是:本专利技术通过将各接地端子单独接地,以便 隔离度保持良好性能。
[0015]再进一步地,所述第一接地端子、第二接地端子、第三接地端子、第四接地端子以及第五接地端子上均连接有不同形状及大小的金属线,所述并联谐振器通过对应地接地端子与陶瓷基板上的电感进行电连接。
[0016]上述进一步方案的有益效果是:通过调整双工器芯片上的接地端子位置,同时调整对应陶瓷基板上的电感形状及大小,使得双工器芯片的植球点遍布于芯片四周,不在芯片与基板中间部位,这样通过植球完成电连接后,可避免由于基板共面性不好带来的植球接触不良问题,可大大改善产品的可靠性。
附图说明
[0017]图1为本专利技术的双工器装置结构示意图。
[0018]图2为本实施例中双工器与陶瓷基板的键合示意图。
[0019]图3为本实施例中对比例芯片示意图。
[0020]图4为本实施例中本装置与对比例陶瓷基板对比图。
[0021]图5为本实施例中本装置与对比例的S参数曲线对比图。
[0022]图6为本实施例本装置中与对比例的另一S参数曲线对比图。
[0023]其中,1

天线端子,2

发射滤波器端子,3

接收滤波器端子,4

第一接地端子,5

第二接地端子,6

第三接地端子,7

第四接地端子,8

第五接地端子。
具体实施方式
[0024]下面对本专利技术的具体实施方式进行描述,以便于本
的技术人员理解本专利技术,但应该清楚,本专利技术不限于具体实施方式的范围,对本
的普通技术人员来讲,只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本专利技术的精神和范围内,这些变化是显而易见的,一切利用本专利技术构思的专利技术创造均在保护之列。
[0025]实施例如图1

图2所示,本专利技术提供了一种双工器装置,包括双工器芯片以及与双工器芯片键合的陶瓷基板;所述双工器芯片的四周分布有植球点,且植球点上下对称分布;所述陶瓷基板的四周对应分布有植球点。
[0026]本本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双工器装置,其特征在于,包括双工器芯片以及与双工器芯片键合的陶瓷基板;所述双工器芯片的四周分布有植球点,且植球点上下对称分布;所述陶瓷基板的四周对应分布有植球点。2.根据权利要求1所述的双工器装置,其特征在于,所述双工器芯片包括压电衬底、接收滤波器端子(3)以及分别设置于压电衬底上的天线端子(1)和发射滤波器端子(2);所述天线端子(1)和发射滤波器端子(2)连接构成在所述压电衬底上的梯形结构发射滤波器;所述天线端子(1)和接收滤波器端子(3)连接构成在所述压电衬底上的DMS结构接收滤波器;所述梯形结构发射滤波器包括若干个顺次串联的串联臂以及与各串联臂连接的并联臂;各所述串联臂上设置有串联谐振器,各并联臂上设置有并联谐振器;所述DMS结构接收滤波器上具有串联臂与并联臂,位于DMS结构两端的串联臂与并联臂可任意组合;其中,各所述串联臂上设置有串联谐振器,各并联臂上设置有并联谐振器。3.根据权利要求2所述的双工器装置,其特征在于,所述梯形结构发射滤波器中顺次连接的第一个串联谐振器的一端与所述天线端子(1)连接,最后一个串联谐振器的一端与所述发射滤波器端子(2)连接;所述梯形结构发射滤波器中从天线端子(1)起顺次连接的第二个串联谐振器和第三个串联谐振器之间连接了一并联谐振器,该并联谐振器单独接地,并与第一接地端子(4)连接;从天线端子(1)起顺次连接的第一个串联谐振器和第二个串联谐振器之间连接了一并联谐振器,第三个串联谐振器和第...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵孟娟董元旦杨涛马增红
申请(专利权)人:成都频岢微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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