一种薄膜堆叠的紧凑型同位素电池制造技术

本发明专利技术提供了一种薄膜堆叠的紧凑型同位素电池，其包括：堆叠电池主体，其包括多个依次堆叠的单片电池，相邻的单片电池之间设置有绝缘薄膜，绝缘薄膜上具有用于使单片电池对齐的定位结构，并且每个单片电池包括半导体换能器件以及堆叠在半导体换能器件上的放射源；以及正负电极，分别形成于堆叠电池主体沿堆叠方向上两端。本发明专利技术的方案，通过单片电池堆叠有效提升同位素电池的输出功率。多层堆叠的单片电池之间设置绝缘薄膜，通过定位结构进行对准，可以电池的紧凑布置，减小电池的体积，避免器件出现物理化学损坏。件出现物理化学损坏。件出现物理化学损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜堆叠的紧凑型同位素电池


[0001]本专利技术涉及同位素电池，特别是涉及一种薄膜堆叠的紧凑型同位素电池。

技术介绍

[0002]辐射伏特效应同位素电池(RIVB，Radiation
‑
voltaic Isotope Battery)是一种利用β粒子在半导体内产生电子
‑
空穴对，由于半导体内的自建电场，将其分离收集，形成电流和电压的电源。其优势在于：长寿命、性能可靠、可微型化，可在恶劣或极端环境(如深空、深海、极地冰川、沙漠、地下、人体等)工作。因此RIVB在物联网、芯片、生物医疗、微机电系统(MEMS)等领域具有潜在的较大应用前景。
[0003]目前，辐射伏特效应同位素电池的输出功率很低(nW
‑
uW级别)，能量转换效率也较低(0.01％
‑
3％)，导致单片电池不能产生宏观的功率输出，影响了辐射伏特效应同位素电池的推广使用。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一个目的是要提供一种提高功率输出能力的薄膜堆叠的紧凑型同位素电池。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜堆叠的紧凑型同位素电池，包括：堆叠电池主体，其包括多个依次堆叠的单片电池，相邻的所述单片电池之间设置有绝缘薄膜，所述绝缘薄膜上具有用于使所述单片电池对齐的定位结构，并且每个所述单片电池包括半导体换能器件以及堆叠在所述半导体换能器件上的放射源；以及正负电极，分别形成于所述堆叠电池主体沿堆叠方向上两端。2.根据权利要求1所述的薄膜堆叠的紧凑型同位素电池，其中所述定位结构包括：多个定位孔，用于与所述单片电池表面上的弹性内扣固定。3.根据权利要求1所述的辐射伏特效应同位素电池，其中，所述半导体换能器件的厚度小于或等于700μm，采用砷化镓、氮化镓、碳化硅、金刚石中的一种材料；所述放射源的厚度小于或等于100μm；所述绝缘薄膜的厚度小于或等于200μm。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：中子高新技术产业发展重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：