硒空位硒化钼材料及其制备和在HER催化中的应用制造技术

本发明专利技术涉及催化材料领域，具体涉及一种硒空位硒化钼材料，其为表面具有硒空位的硒化钼材料。本发明专利技术还涉及所述材料的制备和在HER催化中的应用。本发明专利技术所述的硒空位硒化钼材料具有丰富的电催化活性位点和快速电荷转移能力，其在碱性和酸性介质中均表现出较低的过电位和塔菲尔斜率，可以表现出优异的HER催化活性。可以表现出优异的HER催化活性。可以表现出优异的HER催化活性。

【技术实现步骤摘要】
硒空位硒化钼材料及其制备和在HER催化中的应用


[0001]本申请属于催化材料领域，具体涉及HER催化材料领域。

技术介绍

[0002]氢气作为清洁能源，有望成为化石燃料的替代者。电解水是制备高纯氢气的一种有效途径，然而电解水的大规模应用要面临选择电催化剂的难题。到目前为止，贵金属(比如铂)基催化剂是活性最好的电催化剂，对于阴极析氢反应(HER)而言，它具有接近零的过电位。但是，贵金属催化剂由于它的成本高和稀缺性，严重限制了它在工业上的广泛应用。因此，开发成本低又具有高HER催化活性的非贵金属催化剂是必不可少的。
[0003]密度泛函理论(DFT)计算证明了HER在MoS2的边缘位点的反应活性很高，在氢气覆盖率为50％时的ΔG
H*
接近于零，因此MoS2作为理想HER催化剂被广泛研究。与此同时，MoSe2由于与MoS2的物理性质和化学性质相似，也得到了很高的关注。MoSe2与MoS2一样，具有丰富的边缘活性位点，表现出很好的HER性能。另外，与S相比，由于Se具有更明显的金属特性，所以MoSe2具有更好的导电性，将会比本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硒空位硒化钼材料，其特征在于，为表面具有硒空位的硒化钼材料。2.如权利要求1所述的硒空位硒化钼材料，其特征在于，包括六方相硒化钼核以及复合在其上的硒空位粗糙表面壳，构成核壳结构。3.一种权利要求1或2所述的硒空位硒化钼材料的制备方法，其特征在于，将MoSe2在负压、还原性气氛下进行焙烧，制得所述的硒空位硒化钼材料；焙烧阶段的温度为650～750℃。4.如权利要求3所述的硒空位硒化钼材料的制备方法，其特征在于，所述的MoSe2通过包含钼源、硒源、还原剂、载体的水溶液进行水热反应得到；优选地，所述的钼源为包括钼酸铵在内的钼酸盐中的至少一种；优选地，所述的硒源为硒单质、硒酸盐中的至少一种；优选地，钼源和硒源中的Mo/Se元素摩尔比为1:2～2.2；优选地，所述的还原剂为水合肼、硼氢化钠中的至少一种；优选地，所述的载体为碳载体；优选地，水热反应的温度大于或等于180℃。5.如权利要求4所述的硒空位硒化钼材料的制备方法，其特征在于，将MoSe2直接进行后续的焙烧处理，或者，预先将其在保护气氛下进行预焙烧，随后再进行后续的焙烧处理；优选地，预焙烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵雪婷，严文思，李雷，宋利，洪哲，王鑫，
申请(专利权)人：嘉兴学院，
类型：发明
国别省市：