功率放大电路、差动功率放大电路制造技术

提供一种功率放大电路、差动功率放大电路，提高针对高频信号的输入阻抗。功率放大电路具备：第一晶体管，该第一晶体管的基极或栅极通过电容器而被供给高频信号，通过电阻元件而被供给偏置电流；第二晶体管，在该第二晶体管的基极或栅极连接所述第一晶体管的发射极或源极，在该第二晶体管的集电极或漏极连接输出端子；以及第三晶体管，在该第三晶体管的集电极或漏极连接所述第一晶体管的基极或栅极，在该第三晶体管的发射极或源极连接基准电位，所述第三晶体管设置为，在向所述第二晶体管的集电极或漏极流动的电流增大的情况下，向所述第三晶体管的集电极或漏极流动的电流增大。第三晶体管的集电极或漏极流动的电流增大。第三晶体管的集电极或漏极流动的电流增大。

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路、差动功率放大电路


[0001]本公开涉及功率放大电路、差动功率放大电路。

技术介绍

[0002]已知有一种功率放大电路，该功率放大电路具备发射极接地的多个最终级的晶体管、以及向最终级的晶体管分别供给基极偏置的偏置电路，该功率放大电路通过电容器向最终级的晶体管的基极输入高频信号(例如参照专利文献1)。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2001
‑
274636号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]在专利文献1所记载的专利技术中，最终级的晶体管为了得到较大的输出电流，需要具备具有大面积的发射极。因此，在专利文献1所记载的专利技术中，最终级的晶体管中的基极/发射极之间的寄生电容变大，因此，阻抗相对于高频频带的信号而变小。由此，在专利文献1所记载的专利技术中，存在以下问题：最终级的晶体管的阻抗具有频率特性，实现宽频带特性受到阻碍。
[0008]另外，在专利文献1所记载的专利技术中，由于阻抗相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大电路，具备：第一晶体管，该第一晶体管的基极或栅极通过电容器而被供给高频信号，通过电阻元件而被供给偏置；第二晶体管，在该第二晶体管的基极或栅极连接所述第一晶体管的发射极或源极，在该第二晶体管的集电极或漏极连接输出端子；以及第三晶体管，在该第三晶体管的集电极或漏极连接所述第一晶体管的基极或栅极，在该第三晶体管的发射极或源极连接基准电位，所述第三晶体管设置为，在向所述第二晶体管的集电极或漏极流动的电流增大的情况下，向所述第三晶体管的集电极或漏极流动的电流增大。2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，所述功率放大电路还具备一端与所述第一晶体管的发射极或源极连接且另一端与基准电位连接的元件，使得所述第一晶体管的发射极或源极的电流增大。3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，所述元件是第四晶体管，所述第四晶体管的集电极或漏极与所述第一晶体管的发射极或源极连接，所述第四晶体管的发射极或源极与所述基准电位连接。4.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，所述元件是第一电阻元件。5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率放大电路，其中，所述功率放大电路还具备：第二电阻元件，该第二电阻元件的一端与所述第一晶体管的基极或栅极连接；以及恒压电路，该恒压电路的一端与所述第二电阻元件的另一端连接，该恒压电路的另一端与第三晶体管的基极或栅极连接。6.根据权利要求5所述的功率放大电路，其中，所述恒压电路包括阳极与所述第二电阻元件的一端连接且阴极与所述第三晶体管的基极或栅极连接的至少一个二极管。7.根据权利要求5所述的功率放大电路，其中，所述恒压电路包括：分压电路，其由第三电阻元件和第四电阻元件构成，该分压电路的...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井翔平，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：