光电电容传感器制造技术

一种光电电容传感器(29)包括输入表面(30)和一个或多个光源(31)，所述光源被布置成照射所述输入表面(30)的一部分(35)。所述光电电容传感器(29)还包括光电电容器阵列(36)，其被布置(32)成接收来自所述一个或多个光源(31)的光(38)，所述光从与所述输入表面(30)的所述照射部分(35)接触或接近所述照射部分的物体(39)反射。所述光电电容器(32)的阵列(36)被配置用于检测所述物体(39)的反射图案。被配置用于检测所述物体(39)的反射图案。被配置用于检测所述物体(39)的反射图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电电容传感器


[0001]本专利技术涉及光电电容传感器，特别是用于检测反射光中的图案的光电电容传感器。光电电容传感器可用于生物特征认证，例如感测指纹或其他独特图案。光电电容传感器可以结合到触摸屏显示面板中。

技术介绍

[0002]光电电容效应涉及响应于波长范围内的光照射而改变材料的空间电荷分布。如果所述材料结合在电容器的电极之间，则可以基于测量电容器的电容变化确定照射的存在和/或强度。
[0003]J.C.Anderson(1982年)的“非晶硅MIS结构中的光电电容理论(Theory of photo
‑
capacitance in amorphous silicon MIS structures)”(哲学杂志B，46:2，151
‑
161，1982，DOI：10.1080/13642818208246431)描述了硅金属
‑
绝缘体
‑
半导体(MIS)结构中的光电电容效应的理论处理。
[0004]D.Caputo、G.de Cesare、A.Nascet本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电电容传感器，包括：输入表面；一个或多个光源，其被布置成照射所述输入表面的一部分；光电电容器阵列，其被布置成接收来自所述一个或多个光源的光，所述光从与所述输入表面的所述照射部分接触或接近所述照射部分的物体反射；其中所述光电电容器阵列被配置用于检测所述物体的反射图案。2.根据权利要求1所述的光电电容传感器，其中所述光电电容器阵列被配置用于检测指纹。3.根据权利要求1或权利要求2所述的光电电容传感器，其中所述一个或多个光源是定向的并且向所述输入表面发射光，并且其中所述一个或多个光源设置在所述光电电容器阵列与所述输入表面之间。4.根据权利要求1或权利要求2所述的光电电容传感器，其中所述光电电容器阵列设置在所述一个或多个光源与所述输入表面之间，所述光电电容传感器还包括：光衰减层，其设置在所述一个或多个光源与所述光电电容器阵列之间，并且被配置为屏蔽所述光电电容器免受所述光电电容器对其敏感的波长范围内的所述一个或多个光源的直接照射。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电电容传感器，其中所述一个或多个光源包括一个或多个红外发射器。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电电容传感器，其中所述一个或多个光源包括选自红色、绿色和蓝色发射器的一个或多个发射器。7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电电容传感器，其中所述光电电容器阵列包括：多个第一电极，其在第一方向上延伸并且在第二不同方向上间隔开；多个第二电极，其在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上间隔开；光电电容材料层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，使得所述第一电极和所述第二电极的每个交叉点提供所述阵列的光电电容器。8.根据权利要求1至6中任一项所述的光电电容传感器，其中所述光电电容器阵列包括：多个第一电极，其在第一方向上延伸并且在第二不同方向上间隔开；多个第二电极，其在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上间隔开；其中所述多个第一电极和所述多个第二电极基本上共面，并且设置在光电电容材料层上或上方，使得所述第一电极和所述第二电极的每个交叉点提供所述阵列的光电电容器。9.一种具有盖板和显示器叠层的显示屏，其中所述显示器叠层包括根据权利要求1至8中任一项所述的光电电容传感器，并且其中所述盖板提供所述输入表面。10.根据权利要求9所述的显示屏，其中所述显示器叠层包括背光层；其中所述背光层提供所述一个或多个光源，或所述背光层包括所述一个或多个光源。11.根据权利要求9所述的显示屏，其中所述显示器叠层包括发光二极管阵列形式的像素层；其中所述发光二极管阵列提供所述一个或多个光源，或所述发光二极管阵列包括所述
一个或多个光源。12.根据权利要求9至11中任一项所述的显示屏，其中所述显示器叠层包括薄膜晶体管层；其中所述薄膜晶体管层提供所述光电电容器阵列，或所述薄膜晶体管层包括所述光电电容器阵列。13.根据权利要求9至11中任一项所述的显示屏，其中所述显示器叠层包括薄膜晶体管层和单独的光电电容器层。14.根据权利要求9至13中任一项所述的显示屏，其中所述显示器叠层具有显示区域，并且其中所述输入表面的所述部分对应于所述显示区域的第一区。15.根据权利要求14所述的显示屏，还包括根据权利要求1至8中任一项所述的第二光电电容传感器，其中所述第二光电电容传感器与所述输入表面的一部分相关联，所述一部分对应于所述显示区域的不同于所述第一区的第二区。16.根据权利要求9至13中任一项所述的显示屏，其中所述显示器叠层具有显示区域，并且其中所述输入表面的所述部分基本上对应于所述显示区域。17.根据权利要求9至16中任一项所述的显示屏，其中所述显示器叠层包括用于投射电容触摸感测的导电迹线。18.一种访问控制装置，其包括根据权利要求1至8中任一项所述的光电电容传感器或根据权利要求9至17中任一项所述的显示屏。19.一种设备，包括：根据权利要求1至8中任一项所述的光电电容传感器、根据权利要求9至17中任一项所述的显示屏，或根据权利要求18所述的访问控制装置；控制器，其连接至所述光电电容传感器并且被配置为测量所述光电电容器阵列的电容。20.根据权利要求19所述的设备，其中所述控制器还被配置为测量所述光电电容器阵列的所述电容的光电电容分量。21.根据权利要求20所述的设备，其中所述控制器被配置为使得测量光电电容分量包括：测量所述光电电容器阵列的至少一个子集的电容；基于所述光电电容器阵列的所述子集的所述电容来确定交互区；去激活对应于所述交互区的每个光源；测量对应于所述交互区的每个光电电容器的投射电容分量；激活对应于所述交互区的光源的至少一个子集；测量对应于所述交互区的每个光电电容器的总电容；基于总电容和所述相应投射电容分量的差异确定对应于所述交互区的光电电容分量。22.一种设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿罗基亚，
申请(专利权)人：艾博美特里克斯有限公司，
类型：发明
国别省市：