一种提高空间采样频率成像装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种提高空间采样频率成像装置和方法，属于摄影测量学领域。所述的提高空间采样频率装置包括硅基液晶阵列、中继透镜，CCD、压电位移台和处理器；所述的硅基液晶阵列上的晶元按N

【技术实现步骤摘要】
一种提高空间采样频率成像装置和方法


[0001]本专利技术涉及一种提高空间采样频率成像装置和方法，属于摄影测量学领域。

技术介绍

[0002]纳米光刻技术决定了成像传感器的图像分辨率不能无限增加。成像传感器的空间采样频率难以突破图像分辨率的限制，无法满足视觉测量精度要求更高的需求。而目前极限分辨率的成像传感器采样数据体量大，对于空间采样频率要求不高的成像对象造成了信息的冗余和后期处理的繁琐。

技术实现思路

[0003]针对上述现有技术，本专利技术提供一种提高空间采样频率成像装置和方法，用以解决上述存在的问题。
[0004]本专利技术一种提高空间采样频率成像装置予以实现的技术方案是：该装置包括硅基液晶阵列、中继透镜，CCD、压电位移台和处理器；所述的硅基液晶阵列上的晶元按N
×
N进行分组；成像光线传播到所述的硅基液晶阵列后，每组晶元按先行后列的时间序列依次将光线透射；所述的中继透镜将所述的硅基液晶阵列成像到CCD，并保证N
×
N个晶元组与所述CCD像元相对应；所述CCD像元曝光N
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高空间采样频率成像装置，其特征在于，包括硅基液晶阵列(1)、中继透镜(2)，CCD(3)、压电位移台(4)和处理器(5)；所述的硅基液晶阵列(1)上的晶元按N
×
N进行分组；成像光线传播到所述的硅基液晶阵列(1)后，每组晶元按先行后列的时间序列依次将光线透射；所述的中继透镜(2)将所述的硅基液晶阵列(1)成像到CCD(3)，并保证N
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N个晶元组与所述CCD(3)像元相对应；所述CCD(3)像元曝光N
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N次，每次接收来自N
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N个晶元组中的一个晶元的透射光线；所述处理器(5)接收所述CCD的图像，控制所述硅基液晶阵列(1)每个晶元的透光率和所述压电位移台(4)在x、y、z三轴方向的位移变化，并合成提高了空间分辨率的最终图像。2.一种提高空间采样频率成像方法，其特征在于，采用如权利要求1所述提高空间采样频率成像装置进行成像，包括以下步骤：步骤一、所述处理器(5)控制所述的硅基液晶阵列(1)上的所有晶元透射率为1，所述CCD(3)一次曝光采集低采样率场景图；步骤二、所述处理器(5)处理低采样率场景图，划定感兴趣区域及给定区域内目标的提高空间采样系数N；步骤三、所述处理器(5)控制所述压电位移台(4)相对所述中继透镜(2)在z轴方向的位置，实现在感兴趣区域内CCD(3)...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵首博，
申请(专利权)人：广东海洋大学，
类型：发明
国别省市：