一种基于GaAs和FO-WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法技术

本发明专利技术公开了一种基于GaAs和FO

【技术实现步骤摘要】
一种基于GaAs和FO
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WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法


[0001]本专利技术属于PDK开发领域，具体涉及一种基于GaAs和FO
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WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着对电子系统微型化高密度、多样化功能、高性能和低成本日益增长的需求。为实现不同工艺、不同材料和不同工厂的协同设计，异质异构集成技术已然成为电子技术重要研究方向之一。
[0003]随着信息技术的高速发展，半导体行业诞生了很多高性能的半导体材料，以GaAs和GaN为代表
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体材料具有禁带宽度较宽、电子迁移率高、高热导率、低噪声等显著特点，表现出更优异的高频器件性能，满足集成电路日益增长的性能要求。然而，由于单一半导体材料具有一定的局限性，难以满足高信息化装备的需求。为充分发挥各种材料、结构以及器件的优势，可以将GaAs等
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体进行扇出型晶圆级封装(Fan
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out Wafer Level Packaging，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于GaAs和FO
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WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法包括以下步骤：S1、准备阶段：分别获取GaAs与FO
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WLP的工艺信息文件，所述工艺信息文件包括：技术文件开发文档、GaAs和FO
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WLP的器件列表开发文档、用于电路原理图设计的图形符号symbol开发文档、用于描述器件属性的CDF参数开发文档、Callback回调功能函数的开发文档、用于器件artwork开发的版图开发文档、bitmap文件的开发文档、用于原理图仿真的器件模型文件和用于设计规则检查DRC文件和版图对比原理图LVS文件开发的设计手册；创建一个异质异构集成PDK库；在所述异质异构集成PDK库中创建主目录来存储异质异构集成PDK的基础组件，在基础组件中根据所述GaAs与FO
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WLP工艺信息文件创建文件夹，用所述文件夹对所述GaAs和FO
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WLP工艺信息文件的源文件进行分类储存，所述源文件是根据GaAs与FO
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WLP的工艺信息文件运用AEL语言开发得到的源代码文件；所述文件夹包括：GaAs和FO
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WLP的CDF参数文件夹、GaAs和FO
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WLP的artwork文件夹、GaAs和FO
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WLP的bitmap文件夹、model文件夹、DRC文件夹、LVS文件夹；在所述基础组件中还需要创建boot文件、pallete文件；得到空的异质异构集成PDK；S2、开发阶段：S2
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1：在步骤S1中创建的所述主目录下，创建lib.defs文件和for_editing_pdk.defs文件，编写代码将PDK的器件库调用到ADS工具软件中使用；所述PDK的器件库是用于存放异质异构集成PDK器件单元的文件；S2
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2：在ADS工具软件中加载所述S1中空的异质异构集成PDK，按如下方法配置异质异构集成PDK的路径参数，得到尚未完成的异质异构集成PDK：所述路径参数包括:model文件路径、boot文件路径、DRC文件路径、LVS文件路径，将所述model文件路径，设置为所述S1中创建的所述model文件夹的路径，将所述boot文件路径，设置为所述S1中创建的所述boot文件夹的路径，将所述DRC文件路径，设置为所述S1中创建的所述DRC文件夹的路径，将所述LVS文件路径，设置为所述S1中创建的所述LVS文件夹的路径，S2
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3：根据所述S1中技术文件开发文档，在所述步骤S2
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2得到的尚未完成的异质异构集成PDK中，分别创建GaAs和FO
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WLP工艺的技术文件；所述技术文件用于版图设计和物理验证的工艺文件，包括：Layer定义文件、Layer显示文件、layermap文件、衬底信息文件；S2
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4：根据所述S1中GaAs和FO
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WLP的器件列表开发文档，在步骤S2
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2得到的所述尚未完成的异质异构集成PDK中，创建每个器件单元；S2
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5：根据所述S1中用于电路原理图设计的图形符号symbol开发文档，在ADS工具软件里，创建每个所述器件的symbol；S2
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6：在S1中的boot文件，按下面所述方法编写代码配置异质异构集成PDK的参数路径：所述异质异构集成PDK的参数路径包括：GaAs CDF参数文件路径、GaAs artwork参数文件路径、FO
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WLP CDF参数文件路径、FO
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WLP artwork参数文件路径，将所述GaAs CDF参数文件路径，设置为所述S1中创建的所述GaAs CDF文件夹的路径，将所述GaAs artwork参数文件路径，设置为所述S1中创建的所述GaAs artwork文件夹的路径，
将所述FO
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WLP CDF参数文件路径，设置为所述S1中创建的所述FOWLP CDF文件夹的路径，将所述FO
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WLP artwork参数文件路径，设置为所述S1中创建的所述FOWLP artwork文件夹的路径；S2
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7：根据所述S1中用于描述器件属性的CDF参数开发文档，在S2
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6中创建的所述GaAs CDF和FO
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WLP CDF文件夹的路径下，运用AEL语言开发得到用于描述GaAs和FO
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WLP工艺器件参数属性的CDF参数文件；S2
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8：根据所述S1中Callback回调功能函数的开发文档，在S2
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7中的对应CDF参数文件中，运用AEL语言开发出Callback对应的功能，以达到所述S1中Callback回调功能函数的开发文档的要求；S2
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9：根据所述S1中用于原理图仿真的器件模型文件，获取步骤S1中创建的所述model文件夹的路径，在所述model文件夹的路径下，将GaAs和FO
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WLP工艺器件的model文件转换成ADS工具软件可以读取的网表文件；S2
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10：根据所述S1中用于器件artwork开发的版图开发文档，在步骤S2
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6中设置的所述GaAs artwork参数文件路径和FO
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WLP artwork文件夹的路径下，运用AEL语言开发Ga...

【专利技术属性】
技术研发人员：董泽瑞，刘军，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：