层间键合的A-MXene纳米片、薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种层间键合的A

【技术实现步骤摘要】
层间键合的A
‑
MXene纳米片、薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术是属于新材料领域，特别是关于一种层间键合的A
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MXene纳米片、薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]MXene材料，也即二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物，是由层状陶瓷材料MAX相刻蚀去除A元素后得到的一类新型二维纳米材料。MXene的化学式可表示为M
n+1
X
n
T
x
，其中M代表前过渡金属元素(Sc、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo等)，X代表C或/和N元素，T代表表面端基(
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O、
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OH、
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F等)。由于MAX相组成和结构的多样性，由其衍生的MXene材料也成为二维材料中最为庞大的家族，理论预测有100多种，目前已合成的有40多种。自2011年由美国德雷塞尔大学的研究者们首次报道以来，MXene材料发展至今只有十年多时间，但组成和结构的多样性赋予了MXene材料丰富可调的电、磁、光、热和机械等性能，使其得到了国内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种层间键合的A
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MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述A
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MXene纳米片的MXene片层之间存在M
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A
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M的键合点或键合段，所述A选自VIIB、VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA或VIA族元素中的至少一种，所述M代表MXene片层中的过渡金属元素；步骤包括：将初始MXene材料与A的单质或A的化合物在预定温度下反应预定时间，得到具有手风琴形貌的产物，所述初始MXene材料为含有
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Cl、
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Br或
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I官能团的MXene材料；将所述具有手风琴形貌的产物剥离，得到所述层间键合的A
‑
MXene纳米片。2.如权利要求1所述的层间键合的A
‑
MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述A
‑
MXene材料用化学式表示为M
n+1
A
m
X
n
T
x
，其中1≤n≤4，0＜m＜1，0<x<2；其中，M选自过渡金属元素中的一种或多种；和/或，A选自铝、硫、钴、镍、金、硅、磷、硫、铁、锰、铜、锌、镓、锗、砷、镉、铟、锡、铊、铅、铋元素中的一种或者多种；优选地，所述A选自铝、铟、锡、镓、锗、硅中的至少一种；和/或，X选自碳、氮或硼元素中的一种或多种；和/或，T选自Cl,Br,I元素中的一种或多种。3.如权利要求1所述的层间键合的A
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MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述A的化合物包括A的氢化物、氨化物或能生成A单质的化合物；和/或，所述A
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MXene纳米片的片径为0.1μm至100μm之间。4.如权利要求1所述的层间键...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨树斌，程宗举，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
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