密封的电子元件制造技术

一块陶瓷基片支持着用一块玻璃体玻璃盖片密封的薄膜或厚膜电子电路，玻璃体玻璃盖片用加热熔化该玻璃体玻璃盖片的方法封到陶瓷基片上．玻璃体封焊玻璃以含有粘合剂材料和稀释剂合成物的方式网印到玻璃体玻璃盖片上．在完成诸如高温烘烤和元件部件的焊接等处理步骤之后，它们势必影响电阻元件电阻率，然后用透过玻璃体玻璃盖片的激光束微调电子电路，作为最终工序之一．（*该技术在2006年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有关制造电子元件的设备和方法。更确切地说，是关于用封焊玻璃材料把一个玻璃或陶瓷盖片密封到一块玻璃或陶瓷基片，这种封焊玻璃材料是加热熔化到盖片和基片上的。微电子技术通常采用在一块玻璃或陶瓷基片上的薄膜和厚薄两种微电路;薄膜的厚度一般小于5微米(根据美国军用标准MIL Std883-C和国际混合微电子学协会所给的规定(Per Mil Std883-C and the International Society of Hybrid Microelectronics′definition))，而厚膜则厚得多。这些用传统的膜加工技术外加上去的含有电阻、导体、有时还有电容器图形的膜，可以包括“附加”的，诸如晶体三极管、二极管等分离元件，这些分离元件是用焊锡、导线粘接剂或其它技术连接到图形的导体和/或电阻部分的。在这种场合下，要求封装电阻膜，而这些分离元件并不包括在内。在薄膜电阻技术中，电阻/导体元件常常以真空蒸涂的镍克罗姆(Nicrome)制成。镍克罗姆是特拉弗尔-哈里斯公司(Driver-Harris CO.)的一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
密封器件其特征在于它包含：为在其上支持电子电路提供基体的一块基片；配置在所述基片上的电子电路；配置在电子电路上的、并用封焊到基片上的该玻璃体玻璃盖片把电子电路密封的一块玻璃体玻璃盖片。

【技术特征摘要】
US 1985-9-24 779,6431.密封器件其特征在于它包含为在其上支持电子电路提供基体的一块基片；配置在所述基片上的电子电路；配置在电子电路上的、并用封焊到基片上的该玻璃体玻璃盖片把电子电路密封的一块玻璃体玻璃盖片。2.根据权利要求1所要求的本发明的密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃盖片的封焊温度低于380℃。3.根据权利要求2所要求的本发明的密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃盖片的封焊温度在370℃和375℃之间。4.根据权利要求1所要求的本发明的密封器件，其特征在于所述基片和玻璃体玻璃盖片间，热膨胀系数之差在百万分之二以内。5.根据权利要求1所要求的本发明的密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃盖片对激光频率的光是透明的。6.根据权利要求1所要求的本发明的密封器件，其特征在于所述基片选自于由氧化铝、氧化铍、滑石、硅酸铝镁、二氧化钛、碳化硅和锆石组成的一组材料;而所述玻璃体玻璃盖片则是二氧化硅、无水碳酸钠、氧化钙，并与一组由硼、钙、铅、锂、钛和铈所组成的金属氧化物混合的均匀分散混合物。7.密封器件其特征在于它包含为在其上支持电子电路提供基体的一块基片;配置在所述基片上的电子电路;安放在所述电子电路上的一块盖片;配置在电子电路周围，熔化到所述盖片和基片上，以密封该电子电路的玻璃体玻璃密封物。8.根据权利要求7所要求的本发明密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃密封物在100磅/吋2的压力下的熔化温度低于380℃。9.根据权利要求8所要求的本发明密封器件，其特征在于所述盖片是一种在相同压力下，其软化温度比所述玻璃体玻璃密封物的熔化温度至少高50℃的玻璃体玻璃。10.根据权利要求9所要求的本发明密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃盖片和玻璃体玻璃密封物间，热膨胀系数之差在百万分之二以内。11.根据权利要求10所要求的本发明密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃盖片对激光频率的光是透明的。12.根据权利要求7所要求的本发明密封器件，其特征在于所述基片包含选自于一组由氧化铝、氧化铍、滑石、二氧化钛、硅酸铝镁、碳化硅和锆石所组成的材料的陶瓷。13.根据权利要求12所要求的本发明密封器件，其特征在于所述盖片包含选自于一组由氧化铝、氧化铍、滑石、二氧化钛、硅酸铝镁、碳化硅和锆石所组成的材料的陶瓷。14.根据权利要求13所要求的本发明密封器件，其特征在于所述基片和盖片是相同材料，材料的热膨胀系数在所述玻璃体玻璃密封物的热膨胀系数的百万分之二以内。15.根据权利要求7所要求的本发明密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃密封物是一种二氧化硅、无水碳酸钠、氧化钙，并和之以由硼、钙、铅、锂、钛、和铈所组成的一组金属氧化物混合的均匀分散混合物。16.根据权利要求15所要求的本发明密封器件，其特征在于所述盖片和该密封物是同一种材料。17.密封器件其特征在于它包含为在其上支持电子电路提供基体的一块陶瓷基片;沉积在所述基片上的电子电路;安放在所述电子电路上的一块玻璃体玻璃盖片;配置在电子电路周围，熔化到所述盖片和基片中，以密封该电子电路的玻璃体玻璃密封物。18.根据权利要求17所要求的本发明密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃密封物在大致200磅/吋2的压力下的熔化温度处于370℃和375℃之间。19.根据权利要求18所要求的本发明密封器件，其特征在于所述盖片是一种在大致200磅/吋2的压力下，具有高于420℃的软化温度的玻璃体玻璃。20.根据权利要求19所要求的本发明密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃盖片和玻璃体玻璃密封物间，热膨胀系数之差在百万分之二以内。21.根据权利要求20所要求的本发明密封器件，其特征在于所述玻璃体玻璃盖片是一种硼硅玻璃，对激光频率的光是透明的。22.根据权利要求17所要求的本发明密封器件，其特征在于所述基片是一种含有氧化铝的陶瓷，其热膨胀系数在上述玻璃体玻璃密封物的热膨胀系数的百万分之一以内，而在上述玻璃体玻璃盖片的百万分之二以内。23.密封器件的制造方法其特征在于包含以下工序(a)在基片上配置电子电路;(b)用在粘合剂和稀释剂中成颗粒状的玻璃体封焊玻璃涂敷电子电路和基片;(c)焙烧电子电路、基片和玻璃体封焊玻璃，以分解粘合剂和稀释剂;(d)在低于380℃的温度下，熔化玻璃体封焊玻璃。24.根据权利要求23所要求的方法，其特征在于包括以下工序(a)在熔化玻璃体封焊玻璃以后，烘烤电子电路和基片以稳定电子电路;(b)在烘烤以后，微调电子电路。25.根据权利要求23所要求的方法，其特征在于用把玻璃体封焊玻璃、粘合剂和稀释剂网印到电子电路和基片上去的方法来完成涂敷。26.根据权利要求23所要求的本发明密封器件，其特征在于所述配置工序将多个电子电路配置在该基片上，它包括下述工序(a...

【专利技术属性】
技术研发人员：I麦西特古罗尔，
申请(专利权)人：约翰弗兰克制造公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]