电源欠压保护系统及开关放大器技术方案

技术编号:37335943 阅读:10 留言:0更新日期:2023-04-22 14:33
本实用新型专利技术公开了一种电源欠压保护系统及开关放大器,包括:驱动芯片,与绝缘栅双极型晶体管连接,用于驱动绝缘栅双极型晶体管IGBT,以使IGBT导通;保护电路,与驱动芯片的电源连接,用于获取驱动芯片的电源电压,并在驱动芯片的电源电压处于欠压状态时,输出中断信号;控制芯片,与保护电路连接,用于基于中断信号输出第一信号,第一信号用于控制逻辑转换芯片向驱动芯片输出第二信号,以使IGBT停止工作;逻辑转换芯片,与控制芯片、保护电路以及驱动芯片连接,用于基于中断信号输出第二信号,和/或基于第一信号输出第二信号。本实用新型专利技术解决了相关技术中,由于无法对驱动电路进行欠压保护,导致降低绝缘栅双极型晶体管的使用寿命的技术问题。命的技术问题。命的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
电源欠压保护系统及开关放大器


[0001]本技术涉及电子电力
,具体而言,涉及一种电源欠压保护系统及开关放大器。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是由三极管和MOS(Metal

Oxide

Semiconductor Field

Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)管组成的复合型半导体器件。例如,图1所示的IGBT模块由多个MOS管组成。
[0003]在大功率的开关放大器中,MOS管是最关键的器件之一,必须对其做全方位的保护。而MOS管的驱动保护更是重中之重。通常MOS管工作于开关状态,在截止区和完全导通区之间高频切换。由于在切换过程中要经过线性区,因此,在切换MOS管的开关状态时会产生开关损耗。如果开关放大器的MOS管驱动发生欠压故障,则会导致MOS管的C极与G极导通不完全,MOS管工作在线性区,MOS管损耗增加温度上升,最终会导致MOS管烧毁损坏。
[0004]图2示出了一种传统式MOS管的驱动电路,由图2可知,该驱动电路由MCU(Microcontroller Unit,微控制单元)10、逻辑电平转换芯片20、驱动芯片30和IGBT40模块组成。在图2中,MCU发出电平为3.3V的PWM控制信号,通过逻辑电平转换芯片将MCU输出信号转换为5V电平的控制信号,5V的PWM控制信号再经过驱动芯片输出15V的驱动信号给到MOS管的G极,驱动信号为高电平时,C极与E极导通,驱动信号为低电平时,C、E极不导通。
[0005]然而,开关电源受多方面因素(例如,输入电压波动、器件工作温度异常等)干扰,该驱动电路不会进行欠压保护,存在着极大的风险。图3示出了开关电源在收到干扰时,电路中各个部件的工作状态。在图3中,逻辑转换芯片的中断使能电压为低电平,即逻辑转换芯片一直对MCU输出的PWM信号进行电压转换。当驱动芯片的电压的供电电压出现下降时,驱动芯片的栅极驱动电压VGE也会下降,即驱动芯片在电压偏低状态下工作,造成IGBT模块功耗增加、温度异常、损坏烧毁等问题。
[0006]针对上述的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0007]本技术实施例提供了一种电源欠压保护系统及开关放大器,以至少解决相关技术中,由于无法对驱动电路进行欠压保护,导致降低绝缘栅双极型晶体管的使用寿命的技术问题。
[0008]根据本技术实施例的一个方面,提供了一种电源欠压保护系统,包括:驱动芯片,与绝缘栅双极型晶体管连接,用于驱动绝缘栅双极型晶体管,以使绝缘栅双极型晶体管导通;保护电路,与驱动芯片的电源连接,用于获取驱动芯片的电源电压,并在驱动芯片的电源电压处于欠压状态时,输出中断信号;控制芯片,与保护电路连接,用于基于中断信号输出第一信号,其中,第一信号用于控制逻辑转换芯片向驱动芯片输出第二信号,以使绝缘栅双极型晶体管停止工作;逻辑转换芯片,与控制芯片、保护电路以及驱动芯片连接,用于
基于中断信号输出第二信号,和/或基于第一信号输出第二信号。
[0009]进一步的,保护电路包括:第一端口,与驱动芯片的电源连接;第一分压电路,与第一端口连接,用于对驱动芯片的电源电压进行分压处理,得到分压后的电源电压;第二端口,与基准电源连接;第二分压电路,与第二端口连接,用于对基准电源的基准电压进行分压处理,得到分压后的基准电压;比较器,与第一分压电路和第二分压电路连接,用于比对分压后的电源电压与分压后的基准电压,并输出比对结果。
[0010]进一步的,第一分压电路包括:第一电阻,其中,第一电阻的第一端与地线连接,第一电阻的第二端与比较器的第一输入端口连接;第二电阻,其中,第二电阻的第一端与第一端口连接,第二电阻的第二端与第一输入端口连接。
[0011]进一步的,保护电路还包括:稳压电路,连接在第二端口与第二分压电路之间,用于对基准电源的基准电压进行降压处理。
[0012]进一步的,第二分压电路包括:第三电阻,其中,第三电阻的第一端与稳压电路连接,第三电阻的第二端与比较器的第二输入端口连接;第四电阻,其中,第四电阻的第一端与地线连接,第四电阻的第二端与第二输入端口连接。
[0013]进一步的,稳压电路包括:稳压器,连接在基准电源与第三电阻之间,用于对基准电源的基准电压进行降压处理;第一电容,与稳压器的输入端口连接,用于对基准电源的基准电压进行滤波处理;第二电容,与稳压器的输出端口连接,用于对稳压器的输出电压进行滤波处理。
[0014]进一步的,保护电路还包括:耦合单元,与比较器连接,用于在比对结果满足预设条件时,输出中断信号。
[0015]进一步的,耦合单元包括:光耦单元,其中,光耦单元的负极与比较器的输出端口连接,光耦单元的正极与限流电阻连接;第三分压电路,与光耦单元的输出端口连接,用于对光耦单元的输出电压进行分压处理。
[0016]进一步的,耦合单元包括:第五电阻,与比较器的输出端口连接,用于控制耦合单元的开关。
[0017]根据本专利技术实施例的另一方面,还提供了一种开关放大器,包括上述任意一项的电源欠压保护系统。
[0018]在本技术实施例中,采用软件与硬件相结合对绝缘栅双极型晶体管进行保护的方式,在获取到驱动芯片的电源电压之后,检测驱动芯片的电源电压是否处于欠压状态,并在驱动芯片的电源电压处于欠压状态时,生成中断信号,并基于中断信号控制控制芯片输出第一信号,控制与控制芯片连接的逻辑转换芯片输出第二信号,其中,驱动芯片用于驱动绝缘栅双极型晶体管,以使绝缘栅双极型晶体管导通,逻辑转换芯片用于对驱动芯片的输出信号进行电压转换,并将电压转换后的输出信号输入至驱动芯片中,以使驱动芯片驱动绝缘栅双极型晶体管,第一信号用于控制逻辑转换芯片向驱动芯片输出第二信号,以使绝缘栅双极型晶体管停止工作。
[0019]在上述过程中,在驱动芯片的电源电压处于欠压状态时,控制芯片可向逻辑转换芯片发送控制指令(即第一信号),以使逻辑转换芯片向驱动芯片输出第二信号,该第二信号使驱动芯片的栅极驱动电压下降,从而使绝缘栅双极型晶体管停止工作,即过程实现了IGBT驱动电源欠压的软件保护。另外,在驱动芯片的电源电压处于欠压状态时,逻辑转换芯
片还可基于中断信号直接向驱动芯片输出第二信号,即保护电路可直接控制逻辑转换芯片,从而实现了IGBT驱动电源欠压的硬件保护。即在本申请中,采用软件保护与硬件保护相结合的方式,避免了驱动芯片因驱动电压不足,导致绝缘栅双极型晶体管无法完全导通,导致绝缘栅双极型晶体管的使用寿命降低的问题,改善了绝缘栅双极型晶体管的性能、MOS管的损耗以及绝缘栅双极型晶体管发热的问题,提高了绝缘栅双极型晶体管的使用寿命。
[0020]由此可见,本申请所提供的方案达到了在驱动芯片的电源电压处于欠压状态时,对绝缘栅双极型晶体管进行保护目的,从而实现了提高绝本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源欠压保护系统,其特征在于,包括:驱动芯片(30),与绝缘栅双极型晶体管(40)连接,用于驱动所述绝缘栅双极型晶体管(40),以使所述绝缘栅双极型晶体管(40)导通;保护电路(50),与所述驱动芯片(30)的电源连接,用于获取所述驱动芯片(30)的电源电压,并在所述驱动芯片(30)的电源电压处于欠压状态时,输出中断信号;控制芯片(10),与所述保护电路(50)连接,用于基于所述中断信号输出第一信号,其中,所述第一信号用于控制逻辑转换芯片(20)向所述驱动芯片(30)输出第二信号,以使所述绝缘栅双极型晶体管(40)停止工作;所述逻辑转换芯片(20),与所述控制芯片(10)、所述保护电路(50)以及所述驱动芯片(30)连接,用于基于所述中断信号输出所述第二信号,和/或基于所述第一信号输出所述第二信号。2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述保护电路(50)包括:第一端口(M1),与所述驱动芯片(30)的电源连接;第一分压电路(L1),与所述第一端口(M1)连接,用于对所述驱动芯片(30)的电源电压进行分压处理,得到分压后的电源电压;第二端口(M2),与基准电源连接;第二分压电路(L2),与所述第二端口(M2)连接,用于对所述基准电源的基准电压进行分压处理,得到分压后的基准电压;比较器(P),与所述第一分压电路(L1)和所述第二分压电路(L2)连接,用于比对所述分压后的电源电压与所述分压后的基准电压,并输出比对结果。3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述第一分压电路(L1)包括:第一电阻(R1),其中,所述第一电阻(R1)的第一端与地线连接,所述第一电阻(R1)的第二端与所述比较器(P)的第一输入端口连接;第二电阻(R2),其中,所述第二电阻(R2)的第一端与所述第一端口(M1)连接,所述第二电阻(R2)的第二端与所述第一输入端口...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾嘉骏樊柳芝吴宇翔林仕珩吴泽彪
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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