电源欠压保护系统及开关放大器技术方案

本实用新型专利技术公开了一种电源欠压保护系统及开关放大器，包括：驱动芯片，与绝缘栅双极型晶体管连接，用于驱动绝缘栅双极型晶体管IGBT，以使IGBT导通；保护电路，与驱动芯片的电源连接，用于获取驱动芯片的电源电压，并在驱动芯片的电源电压处于欠压状态时，输出中断信号；控制芯片，与保护电路连接，用于基于中断信号输出第一信号，第一信号用于控制逻辑转换芯片向驱动芯片输出第二信号，以使IGBT停止工作；逻辑转换芯片，与控制芯片、保护电路以及驱动芯片连接，用于基于中断信号输出第二信号，和/或基于第一信号输出第二信号。本实用新型专利技术解决了相关技术中，由于无法对驱动电路进行欠压保护，导致降低绝缘栅双极型晶体管的使用寿命的技术问题。命的技术问题。命的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
电源欠压保护系统及开关放大器


[0001]本技术涉及电子电力
，具体而言，涉及一种电源欠压保护系统及开关放大器。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由三极管和MOS(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)管组成的复合型半导体器件。例如，图1所示的IGBT模块由多个MOS管组成。
[0003]在大功率的开关放大器中，MOS管是最关键的器件之一，必须对其做全方位的保护。而MOS管的驱动保护更是重中之重。通常MOS管工作于开关状态，在截止区和完全导通区之间高频切换。由于在切换过程中要经过线性区，因此，在切换MOS管的开关状态时会产生开关损耗。如果开关放大器的MOS管驱动发生欠压故障，则会导致MOS管的C极与G极导通不完全，MOS管工作在线性区，MOS管损耗增加温度上升，最终会导致MOS管烧毁损坏。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源欠压保护系统，其特征在于，包括：驱动芯片(30)，与绝缘栅双极型晶体管(40)连接，用于驱动所述绝缘栅双极型晶体管(40)，以使所述绝缘栅双极型晶体管(40)导通；保护电路(50)，与所述驱动芯片(30)的电源连接，用于获取所述驱动芯片(30)的电源电压，并在所述驱动芯片(30)的电源电压处于欠压状态时，输出中断信号；控制芯片(10)，与所述保护电路(50)连接，用于基于所述中断信号输出第一信号，其中，所述第一信号用于控制逻辑转换芯片(20)向所述驱动芯片(30)输出第二信号，以使所述绝缘栅双极型晶体管(40)停止工作；所述逻辑转换芯片(20)，与所述控制芯片(10)、所述保护电路(50)以及所述驱动芯片(30)连接，用于基于所述中断信号输出所述第二信号，和/或基于所述第一信号输出所述第二信号。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述保护电路(50)包括：第一端口(M1)，与所述驱动芯片(30)的电源连接；第一分压电路(L1)，与所述第一端口(M1)连接，用于对所述驱动芯片(30)的电源电压进行分压处理，得到分压后的电源电压；第二端口(M2)，与基准电源连接；第二分压电路(L2)，与所述第二端口(M2)连接，用于对所述基准电源的基准电压进行分压处理，得到分压后的基准电压；比较器(P)，与所述第一分压电路(L1)和所述第二分压电路(L2)连接，用于比对所述分压后的电源电压与所述分压后的基准电压，并输出比对结果。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述第一分压电路(L1)包括：第一电阻(R1)，其中，所述第一电阻(R1)的第一端与地线连接，所述第一电阻(R1)的第二端与所述比较器(P)的第一输入端口连接；第二电阻(R2)，其中，所述第二电阻(R2)的第一端与所述第一端口(M1)连接，所述第二电阻(R2)的第二端与所述第一输入端口...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾嘉骏，樊柳芝，吴宇翔，林仕珩，吴泽彪，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：