半导体器件及其制造工艺制造技术

一种存储模块ＭＭ，其中的模块布线衬底５装配有用来任意转换待要输入到存储器１的功能转换脚ＦＰ０和ＦＰ１的功能转换信号的功能转换装置ＫＫ１和ＫＫ２。而且，利用这些功能转换装置ＫＫ１和ＫＫ２，功能转换信号被任意地从任何不连接、电源电压Ｖ↓［ＣＣ］和地电位Ｖ↓［ＳＳ］转换。这些信号被一起输入到所有的安装的存储器１以转换和任意设定包括读出模式和刷新周期的各种功能。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到半导体器件及其制造工艺，更确切地说是涉及到可有效地用来转换包含多个半导体器件的存储模块的功能和字结构的一种技术。根据我们的研究，待要用作个人计算机或工作站中的扩展存储器的存储模块是借助于将存储器即DRAM(动态随机存取存储器)半导体器件安装在模块布线衬底上而构成的，正如例如由SOJ(小外形封装件)型树脂密封的封装件所构成那样。为了使存储模块的特性符合待要使用的器件，在前述的模块布线衬底上安装存储器，此存储器中的功能在诸如刷新操作周期的刷新周期中或诸如FAST PAGE或EDO(扩展数据输出)的读出模式中被转换。存储器的这些功能的转换借助于经由连接引线将半导体芯片中的预定电极在封装的连接步骤中与电源电压Vcc或地电位Vss或无连接端点(NC)连接起来而执行。而且，作为用来转换前述存储器功能的另一种方法是日本专利公开No.75494/1984所述的根据馈自存储器外部的预定信号而选择预定的读出模式的存储器，或日本专利公开No.59682/1986所述的根据预定信号可编程地指定位长模式的存储器。另外还有日本专利公开No.334112/1994中所述的存储器模块。顺便说一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储模块，它包含：至少一个半导体器件，此器件包含用来根据功能转换信号的状态而选择功能的功能转换外部端点；以及其上安装有上述半导体器件且包含用来选择待要输入到上述功能转换外部端点的任一功能转换信号的功能转换装置的一个印刷布线衬底。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：管野利夫，津久井诚一郎，常田健佑，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，日立东部半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]