一种1064nm二维金属介质填充光栅制造技术

技术编号:37332812 阅读:29 留言:0更新日期:2023-04-21 23:10
本发明专利技术公开了一种1064nm二维金属介质填充光栅,由下至上依次包括基底、金属层、光栅层、填充层以及介质层,金属层通过镀膜固定于基底上,光栅层固定于金属层上,填充层填充覆盖于光栅层的刻痕处以及表面,介质层覆盖于填充层表面,光栅层的周期为2000nm,光栅层深度为0.56

【技术实现步骤摘要】
一种1064nm二维金属介质填充光栅


[0001]本专利技术涉及光学元件
,具体为一种1064nm二维金属介质填充光栅。

技术介绍

[0002]二维光栅被广泛应用于高精度测量系统中,特别是精密加工设备,纤维技术,及半导体加工设备中。这些领域中的测量系统都需要对工件台的二维方向进行精确测量和定位,先进的半导体制程中,对定位精度更是达到纳米级别。对于高精度的二维光栅,在装配及使用过程中,难免会造成表面落灰及污染,在长时间的运用过程中,有时需要对光栅表面进行清洁。目前市场上的二维光栅,其表面清洁极易对光栅造成不可挽回的破坏。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种1064nm二维金属介质填充光栅,以解决上述技术问题。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种1064nm二维金属介质填充光栅,其特征在于:由下至上依次包括基底、金属层、光栅层、填充层以及介质层,所述金属层通过镀膜固定于基底上,所述光栅层固定于金属层上,所述填充层填充覆盖于所述光栅层的刻痕处以及表面,所述介质层覆盖于填充层表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种1064nm二维金属介质填充光栅,其特征在于:由下至上依次包括基底(5)、金属层、光栅层(3)、填充层(2)以及介质层(1),所述金属层通过镀膜固定于基底(5)上,所述光栅层(3)固定于金属层上,所述填充层(2)填充覆盖于所述光栅层(3)的刻痕处以及表面,所述介质层(1)覆盖于填充层(2)表面。2.根据权利要求1所述的一种1064nm二维金属介质填充光栅,其特征在于:所述光栅层(3)的周期为2000nm,光栅层(3)深度为0.56

0.65μm,填充层(2)材质为SIO2...

【专利技术属性】
技术研发人员:方志辉李广伟
申请(专利权)人:福建睿创光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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