双卡上行传输方法与装置、终端设备和芯片制造方法及图纸

本申请公开了双卡上行传输方法与装置、终端设备和芯片，涉及通信技术领域；该方法应用于终端设备，该终端设备具有两个SIM卡和两个发射通道，且第一SIM卡支持上行发射切换，第二SIM卡不支持上行发射切换；该方法包括：根据第一SIM卡所能使用的上行载波，确定两个SIM卡的上行通信状态，两个SIM卡的上行通信状态用于表征第一SIM卡和第二SIM卡分别在TDD时隙上的发射通道占用状态和RRC状态；根据两个SIM卡的上行通信状态，控制第一SIM卡和/或第二SIM卡在TDD上行载波或FDD上行载波上进行上行传输。这样，不仅能提高上行资源利用率，提升上行覆盖和上行吞吐量，还能实现上行增强。还能实现上行增强。还能实现上行增强。

【技术实现步骤摘要】
双卡上行传输方法与装置、终端设备和芯片


[0001]本申请涉及通信
，尤其涉及一种双卡上行传输方法与装置、终端设备和芯片。

技术介绍

[0002]随着通信技术的发展，许多终端设备具有双卡功能，称之为双卡终端设备。双卡是指在终端设备上同时安装两个用户识别模块(Subscriber Identity Module，SIM)卡，以便通过该两个SIM卡接入网络以执行相关的通信过程。
[0003]为了实现上行传输，考虑到天线设计复杂性、发射功率限制等因素，目前的双卡终端设备最多支持两个发射天线，即最多支持两个发射通道(2Tx)。因此，两个SIM卡需要占用一定的发射通道来进行上行传输。
[0004]另外，第三代合作伙伴计划组织(3rd Generation Partnership Project，3GPP)所规定的标准协议引入了上行发射切换(Uplink Trasmit Switching，UL Tx Switching)，而双卡终端设备采用上行发射切换可以更加充分的利用上行资源，提升上行覆盖和上行吞吐量，以便实现上行增强。然而，在具体两个SIM卡和两个发射通道的终端设备采用上行发射切换时，该终端设备如何进行双卡上行传输以实现上行增强，还需要进一步研究。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种双卡上行传输方法与装置、终端设备和芯片，以期望解决在具有两个SIM卡和两个发射通道的终端设备采用上行发射切换时，如何进行双卡上行传输性能以实现上行增强。
[0006]第一方面，为本申请的一种双卡上行传输方法，应用于终端设备，所述终端设备具有两个用户标识模块SIM卡和两个发射通道，且所述两个SIM卡中的第一SIM卡支持上行发射切换，所述两个SIM卡中的第二SIM卡不支持上行发射切换；所述方法包括：
[0007]根据所述第一SIM卡所能使用的上行载波，确定所述两个SIM卡的上行通信状态，所述两个SIM卡的上行通信状态用于表征所述第一SIM卡和所述第二SIM卡分别在时分双工TDD时隙上的发射通道占用状态和无线资源控制RRC状态；其中，所述第一SIM卡所能使用的上行载波包括以下之一项：所述第一SIM卡仅能使用频分双工FDD上行载波、所述第一SIM卡能以时分的方式复用FDD上行载波和TDD上行载波；所述TDD时隙包括以下之一项：TDD上行时隙、TDD下行时隙、TDD特殊时隙；
[0008]根据所述两个SIM卡的上行通信状态，控制所述第一SIM卡和/或所述第二SIM卡在TDD上行载波或FDD上行载波上进行上行传输。
[0009]可见，由于第一SIM卡支持上行发射切换，而第二SIM卡不支持上行发射切换，因此第一SIM卡能以时分的方式复用FDD上行载波和TDD上行载波，并进行FDD上行载波与TDD上行载波之间的载波切换，以及第一SIM卡和第二SIM卡也需要占用发射通道来进行上行传输。
[0010]另外，由于在不同上行覆盖范围下，第一SIM卡所能使用的上行载波会存在不同，导致第一SIM卡不一定能进行载波切换，因此本申请实施例可以根据第一SIM卡所能使用的上行载波的不同来动态确定第一SIM卡和第二SIM卡在TDD时隙上各自所占用的发射通道的个数和各自所处于的RRC状态(即由该两个SIM卡的上行通信状态进行表征)。最终，根据该两个SIM卡的上行通信状态来控制该两个SIM卡在TDD上行载波或FDD上行载波上进行上行传输。
[0011]这样，本申请实施例不仅能通过双卡终端设备与上行发射切换的结合来提高上行资源利用率，提升上行覆盖和上行吞吐量，还能通过双卡上行传输来实现上行增强。
[0012]第二方面，为本申请的一种双卡上行传输装置，应用于终端设备，所述终端设备具有两个用户标识模块SIM卡和两个发射通道，且所述两个SIM卡中的第一SIM卡支持上行发射切换，所述两个SIM卡中的第二SIM卡不支持上行发射切换；所述装置包括：
[0013]确定单元，用于根据所述第一SIM卡所能使用的上行载波，确定所述两个SIM卡的上行通信状态，所述两个SIM卡的上行通信状态用于表征所述第一SIM卡和所述第二SIM卡分别在时分双工TDD时隙上的发射通道占用状态和无线资源控制RRC状态；其中，所述第一SIM卡所能使用的上行载波包括以下之一项：所述第一SIM卡仅能使用频分双工FDD上行载波、所述第一SIM卡能以时分的方式复用FDD上行载波和TDD上行载波；所述TDD时隙包括以下之一项：TDD上行时隙、TDD下行时隙、TDD特殊时隙；
[0014]控制单元，用于根据所述两个SIM卡的上行通信状态，控制所述第一SIM卡和/或所述第二SIM卡在TDD上行载波或FDD上行载波上进行上行传输。
[0015]第三方面，为本申请的一种终端设备，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上的计算机程序或指令，其中，所述处理器执行所述计算机程序或指令以实现上述第一方面所设计的方法中的步骤。
[0016]第四方面，为本申请的一种芯片，包括处理器和通信接口，其中，所述处理器执行上述第一方面所设计的方法中的步骤。
[0017]第五方面，为本申请的一种芯片模组，包括收发组件和芯片，所述芯片包括处理器，其中，所述处理器执行上述第一方面所设计的方法中的步骤。
[0018]第六方面，为本申请的一种计算机可读存储介质，其中，其存储有计算机程序或指示，所述计算机程序或指令被执行时实现上述第一方面所设计的方法中的步骤。例如，所述计算机程序或指令被处理器执行。
[0019]第七方面，为本申请的一种计算机程序产品，包括计算机程序或指令，其中，该计算机程序或指令被执行时实现上述第一方面所设计的方法中的步骤。例如，所述计算机程序或指令被处理器执行。
[0020]第二方面至第七方面的技术方案所带来的有益效果可以参见第一方面的技术方案所带来的技术效果，此处不再赘述。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0022]图1是本申请实施例的一种通信系统的架构示意图；
[0023]图2是本申请实施例的一种双卡上行传输方法的流程示意图；
[0024]图3是本申请实施例的一种双卡上行传输装置的功能单元组成框图；
[0025]图4是本申请实施例的一种终端设备的结构示意图。
具体实施方式
[0026]应理解，本申请实施例中涉及的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、软件、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是还包括没有列出的步骤或单元，或还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
[0027]本申请实施例中涉及的“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双卡上行传输方法，其特征在于，应用于终端设备，所述终端设备具有两个用户标识模块SIM卡和两个发射通道，且所述两个SIM卡中的第一SIM卡支持上行发射切换，所述两个SIM卡中的第二SIM卡不支持上行发射切换；所述方法包括：根据所述第一SIM卡所能使用的上行载波，确定所述两个SIM卡的上行通信状态，所述两个SIM卡的上行通信状态用于表征所述第一SIM卡和所述第二SIM卡分别在时分双工TDD时隙上的发射通道占用状态和无线资源控制RRC状态；其中，所述第一SIM卡所能使用的上行载波包括以下之一项：所述第一SIM卡仅能使用频分双工FDD上行载波、所述第一SIM卡能以时分的方式复用FDD上行载波和TDD上行载波；所述TDD时隙包括以下之一项：TDD上行时隙、TDD下行时隙、TDD特殊时隙；根据所述两个SIM卡的上行通信状态，控制所述第一SIM卡和/或所述第二SIM卡在TDD上行载波或FDD上行载波上进行上行传输。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一SIM卡所能使用的上行载波，确定所述两个SIM卡的上行通信状态，包括：若所述第一SIM卡仅能使用FDD上行载波，则确定所述两个SIM卡的上行通信状态为：在所述TDD上行时隙上，所述第一SIM卡不占用所述两个发射通道而所述第二SIM卡占用所述两个发射通道，且所述第一SIM卡和所述第二SIM卡均处于RRC连接态。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述两个SIM卡的上行通信状态，控制所述第一SIM卡和/或所述第二SIM卡在TDD上行载波或FDD上行载波上进行上行传输，包括：控制所述第二SIM卡在TDD上行载波或FDD上行载波上采用所述两个发射通道以进行上行多输入多输出MIMO传输，以及控制所述第一SIM卡不进行上行传输。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述TDD上行时隙的持续时间超出第一定时器的时长，则在所述第一定时器超时之后，将所述第一SIM卡从不占用所述两个发射通道切换为占用第一发射通道，以及将所述第二SIM卡从占用所述两个发射通道切换为占用第二发射通道，所述第一定时器是在所述TDD上行时隙的第一个符号开启的；或者，若所述TDD上行时隙的持续时间超出第二定时器的时长，则在所述第二定时器超时之后，将所述第一SIM卡从RRC连接态切换为RRC空闲态或RRC非激活态，以及将所述第二SIM卡保持于RRC连接态，所述第二定时器是在所述TDD上行时隙的第一个符号开启的；或者，在所述TDD上行时隙的持续时间内，接收第一指示信息，所述第一指示信息用于指示所述第一SIM卡从不占用所述两个发射通道切换为占用所述第一发射通道，以及所述第二SIM卡从占用所述两个发射通道切换为占用所述第二发射通道；或者，在所述TDD上行时隙的持续时间内，接收第二指示信息，所述第二指示信息用于指示所述第一SIM卡从RRC连接态切换为RRC空闲态或RRC非激活态，以及所述第二SIM卡保持于RRC连接态。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一SIM卡所能使用的上行载波，确定所述两个SIM卡的上行通信状态，包括：若所述第一SIM卡能以时分的方式复用FDD上行载波和TDD上行载波，则确定所述两个SIM卡的上行通信状态为：
在所述TDD上行时隙上，所述第一SIM卡占用所述两个发射通道而所述第二SIM卡不占用所述两个发射通道，且所述第一SIM卡和所述第二SIM卡均处于RRC连接态。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述两个SIM卡的上行通信状态，控制所述第一SIM卡和/或所述第二SIM卡在TDD上行载波或FDD上行载波上进行上行传输，包括：控制所述第一SIM卡在TDD上行载波上采用所述两个发射通道以进行上行MIMO传输，以及控制所述第二SIM卡不进行上行传输。7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述TDD上行时隙的持续时间超出第三定时器的时长，则在所述第三定时器超时之后，将所述第一SIM卡从占用所述两个发射通道切换为占用第一发射通道，而将所述第二SIM卡从不占用所述两个发射通道切换为占用第二发射通道，所述第三定时器是在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智颖，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：