一种基于HTCC的宽带电桥制造技术

本发明专利技术适用于3dB电桥技术领域，提供了一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线。本发明专利技术采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带。频程和超宽带。频程和超宽带。

【技术实现步骤摘要】
一种基于HTCC的宽带电桥


[0001]本专利技术属于3dB电桥
，尤其涉及一种基于HTCC的宽带电桥。

技术介绍

[0002]随着5G通信技术的发展以及普及，随着全球各国对于通信的愈发重视，现在的通信技术正在飞速发展，对于原有的通信网络需要实现5G的全覆盖，原有的4G通信的器件，需要对其进行更新迭代，要替换原有的器件，完善5G通信的频段覆盖，从而满足5G通信的要求。在现代通信系统中，无源器件以其环保无污染、低功耗和可靠性高而被广泛使用。3dB电桥是无源器件中十分常用的器件；例如：在信号合路、分路及功率合成中都用到，并且随着POI(多系统合路平台)市场的不断扩大，对其功率容量也提出了更高的要求。3dB电桥在此运用十分广泛。
[0003]如今5G时代来临，通信传输的信号模式越来越多，伴随着的就是对无源器件的带宽有更高的指标，超宽带成为时代的大趋势，除了在通带内要满足常规指标以外，更低的插损、高方向性、大功率、小型化以及便于安装等要求也需要满足。因此，5G通信技术的普及要求我们亟需对现有3dB电桥进行性能的改进，以在满足常规指标以外，提供更低的插损、高方向性、大功率、小型化的设计。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的目的在于提供一种基于HTCC的宽带电桥，旨在解决传统的3dB电桥在满足常规指标的情况下，存在高插损、方向性差，以及大功率下难以实现小型化中的至少一个缺陷。
[0005]本专利技术实施例是这样实现的，一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线，所述第一次耦合线远离第二次耦合线的一端设有耦合端，所述第三次耦合线远离第二次耦合线的一端设有隔离端；所述第一主耦合线与第一次耦合线宽边耦合于第一耦合腔，第二主耦合线与第二次耦合线宽边耦合于第二耦合腔，第三主耦合线与第三次耦合线侧边耦合于第三耦合腔；所述主线、次线的不同侧设置有枝节，用于增加宽带电桥的电性能。
[0006]本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥，采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多
频程和超宽带；设置的枝节，可以提高宽带电桥的方向性；采用多耦合腔结构的介质基板，便于在介质基板上下双面加载散热结构，来提升散热效果。
附图说明
[0007]图1为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的主体结构图；图2为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的正视图；图3为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的俯视图；图4为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的上层结构剖视图；图6为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的下层结构剖视图；图7为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥剖面示意图一（C向或D向）；图8为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥剖面示意图二（C向或D向）；图9为本专利技术实施例中铝块的装配示意图；图10为本专利技术实施例中同轴连接器的装配示意图；图11为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的仿真结果图；图12为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的热仿真结果图。
[0008]附图中：100、主线；101、第一主耦合线；102、第二主耦合线；103、第三主耦合线；104、输入端；105、直通端；200、次线；201、第一次耦合线；202、第二次耦合线；203、第三次耦合线；204、耦合端；205、隔离端；300、介质基板；310、第一耦合腔；320、第二耦合腔；330、第三耦合腔；340、第一金属接地；350、第二金属接地；401、第一枝节；402、第二枝节；403、第三枝节；404、第四枝节；405、第五枝节；406、第六枝节；407、第七枝节；408、第八枝节；500、同轴连接器；501、法兰；502、铜质探针；503、聚四氟乙烯；600、铝块；610、上层散热板；620、下层散热板；700、壳体；701、下壳；702、上盖。
具体实施方式
[0009]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0010]以下结合具体实施例对本专利技术的具体实现进行详细描述。
[0011]如图1所示，为本专利技术实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的主体结构图，包括介质基板300、主线100和次线200；所述介质基板300中设置有第一耦合腔310、第二耦合腔320和第三耦合腔330，所述第一耦合腔310、第二耦合腔320与第三耦合腔330依次相连；所述主线100包括级联连接的第一主耦合线101、第二主耦合线102和第三主耦合线103，所述第一主耦合线101远离第二主耦合线102的一端设有输入端104，所述第三主耦合线103远离第二主耦合线102的一端设有直通端105；所述次线200包括级联连接的第一次耦合线201、第二次耦合线202和第三次耦合线203，所述第一次耦合线201远离第二次耦合线202的一端设有耦合端204，所述第三次耦合线203远离第二次耦合线202的一端设有隔离端205；
所述第一主耦合线101与第一次耦合线201宽边耦合于第一耦合腔310，第二主耦合线102与第二次耦合线202宽边耦合于第二耦合腔320，第三主耦合线103与第三次耦合线203侧边耦合于第三耦合腔330；所述主线100、次线200的不同侧设置有枝节，用于增加宽带电桥的电性能。
[0012]本实施例中，所述主线100、次线200为带状线结构，其各自包括的多节耦合线采用级联连接，结构简单易加工；采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化的宽带电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带；设置的枝节，可以增加宽带电桥的电性能，即可以提高宽带电桥的方向性、阻抗匹配、耦合度；采用多耦合腔结构的介质基板300，利于了腔体耦合的功能，耦合度调节方便；也便于在介质基板300上下双面加载散热结构，来提升散热效果；可承载300W的高功率，具有集成度高、体积小、功率容量大等优势；该宽带电桥具有超宽带的特性，包含了中国移动、中国电信、中国联通的5G通信频段。
[0013]在一个实施例的示例中，采用四分之一波长作为耦合线线长，从而实现呈带状线结构的主线100或次线200中耦合线的多级联的超宽带特性。
[0014]在一个实施例的示例中，所述输入端104、直通端105、耦合端204、隔离端205的特征阻抗为5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；其特征在于，所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线，所述第一次耦合线远离第二次耦合线的一端设有耦合端，所述第三次耦合线远离第二次耦合线的一端设有隔离端；所述第一主耦合线与第一次耦合线宽边耦合于第一耦合腔，第二主耦合线与第二次耦合线宽边耦合于第二耦合腔，第三主耦合线与第三次耦合线侧边耦合于第三耦合腔；所述主线、次线的不同侧设置有枝节，用于增加宽带电桥的电性能。2.根据权利要求1所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔中两两腔体间的深度互不相同。3.根据权利要求1或2所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板的上下表面设置有接地部，所述接地部包括金属地板、金属片或金属镀层。4.根据权利要求1所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板的上下表面设置有散热结构，所述散热结构用于散发所述主线和次线工作产生的热量。5.根据权利要求4所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板为氮化铝陶瓷基板，介电常数为9.5；所述散热结构包括散热板和铝件，不同...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴先良，郭晨，尹桂芳，吴博，汪海港，任中华，孔勐，张量，
申请(专利权)人：安徽蓝讯通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：