一种基于HTCC的宽带电桥制造技术

本发明专利技术适用于3dB电桥技术领域，提供了一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线。本发明专利技术采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带。频程和超宽带。频程和超宽带。

【技术实现步骤摘要】
一种基于HTCC的宽带电桥


[0001]本专利技术属于3dB电桥
，尤其涉及一种基于HTCC的宽带电桥。

技术介绍

[0002]随着5G通信技术的发展以及普及，随着全球各国对于通信的愈发重视，现在的通信技术正在飞速发展，对于原有的通信网络需要实现5G的全覆盖，原有的4G通信的器件，需要对其进行更新迭代，要替换原有的器件，完善5G通信的频段覆盖，从而满足5G通信的要求。在现代通信系统中，无源器件以其环保无污染、低功耗和可靠性高而被广泛使用。3dB电桥是无源器件中十分常用的器件；例如：在信号合路、分路及功率合成中都用到，并且随着POI(多系统合路平台)市场的不断扩大，对其功率容量也提出了更高的要求。3dB电桥在此运用十分广泛。
[0003]如今5G时代来临，通信传输的信号模式越来越多，伴随着的就是对无源器件的带宽有更高的指标，超宽带成为时代的大趋势，除了在通带内要满足常规指标以外，更低的插损、高方向性、大功率、小型化以及便于安装等要求也需要满足。因此，5G通信技术的普及要求我们亟需对现有3dB电桥进行性能的改进，以在满足常规指标以外，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；其特征在于，所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线，所述第一次耦合线远离第二次耦合线的一端设有耦合端，所述第三次耦合线远离第二次耦合线的一端设有隔离端；所述第一主耦合线与第一次耦合线宽边耦合于第一耦合腔，第二主耦合线与第二次耦合线宽边耦合于第二耦合腔，第三主耦合线与第三次耦合线侧边耦合于第三耦合腔；所述主线、次线的不同侧设置有枝节，用于增加宽带电桥的电性能。2.根据权利要求1所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔中两两腔体间的深度互不相同。3.根据权利要求1或2所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板的上下表面设置有接地部，所述接地部包括金属地板、金属片或金属镀层。4.根据权利要求1所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板的上下表面设置有散热结构，所述散热结构用于散发所述主线和次线工作产生的热量。5.根据权利要求4所述的基于HTCC的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板为氮化铝陶瓷基板，介电常数为9.5；所述散热结构包括散热板和铝件，不同...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴先良，郭晨，尹桂芳，吴博，汪海港，任中华，孔勐，张量，
申请(专利权)人：安徽蓝讯通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：