【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种由其而得到多个多层陶瓷元件的多层集成式基片，本专利技术还涉及多层陶瓷元件的制造方法，这种方法使用多层集成式基片。本专利技术尤其涉及为增加多层集成式基片的强度的修改，包括使凹槽折断而有助于折断多层集成式基片以去掉多层陶瓷元件的处理。为了增加生产效率，常常以多层集成式基片的形式制备诸如多层陶瓷基片之类的多层陶瓷元件，并通过使多层集成式基片折断而得到这种多层陶瓷元件。附图说明图10是示出传统多层集成式基片1的平面图。通过焙烧多个陶瓷生片的层叠体，以便具有包括多个陶瓷层的层叠结构而得到多层集成式基片1。为多层集成式基片1设置多个折断凹槽2，这些凹槽2以格子样式安排在主表面中。在由折断凹槽3切成的块体3中构成期望的多层陶瓷元件4。然后能够通过沿折断凹槽2折断多层集成式基片1得到多层陶瓷元件4。对于安装在例如移动通信装置中的电子元件，历来要求减小它们的高度。为了满足这一要求，还必须减小电子元件中所包含的多层陶瓷元件的高度。相应地，参照图10，必须减小多层集成式基片1的厚度，以使多层陶瓷元件4更薄。另一方面，为了构成多层陶瓷元件4，还需要诸如电镀、印刷焊...
【技术保护点】
一种多层集成式基片，其特征在于包含： 包括多个陶瓷生片，并具有一个主表面的层叠体； 以格子样式设置在所述主表面内的多个折断凹槽； 多个多层陶瓷元件，在由所述多个折断凹槽分成的多个块体中构成，并通过沿所述多个折断凹槽折断所述多层集成式基片而得到；和 至少一个防裂部件，设置得跨越所述多个折断凹槽中的至少一个。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：酒井范夫，饭田和浩，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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