【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在高分子成形材料上形成绝缘层,向该绝缘层照射激光后,施以无电解及电解电镀的高分子成形材料的电镀形成方法、和使用该高分子成形材料的电镀形成方法的电路形成部件及其制造方法。
技术介绍
以往,对高分子材料施以电镀的方法,一般是这样的方法,即用化学药品使由高分子材料构成的成形品的表面粗糙化后,使其吸附锡钯化合物,还原钯,最后进行无电解电镀。另外为了对电路图形等进行局部电镀,可以使用光致抗蚀剂的曝光方法。另外,广泛用于电子设备的多层基板也是通过反复进行这样的2个工序来制造的。即,在通孔形成工序中,如图5的(1)~(6)所示,在基板60上涂敷绝缘层61后,使其预干燥,进行曝光(负)处理64,显象后进行正式干燥。接着,在前处理工序中,如图5的(7)~(9)所示,对绝缘层61进行腐蚀(粗糙化),经过催化处理工序、加速处理工序。接着,在布图处理工序中,如图5的(10)~(15)所示,在进行了前处理的绝缘层61上施以无电解电镀或者无电解电镀后的电解电镀,涂敷抗蚀剂62,进行曝光(正)处理65,显象后进行Cu腐蚀,除去抗蚀剂62,得到由电镀层构成的电路图形63。另 ...
【技术保护点】
一种高分子成形材料的电镀形成方法,其特征在于,在树脂涂敷用基材上涂敷用溶剂稀释的填充了无机填料的高分子材料,并使其干燥而形成绝缘层后,在所述绝缘层的表面照射激光,在激光照射部生成正电位后,在激光照射部析出无电解电镀的催化剂,然后,将所述树脂涂敷用基材浸渍在无电解电镀液中,在所述激光照射部形成无电解电镀层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:田中宏和,广野聡,
申请(专利权)人:欧姆龙株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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