无碱玻璃和玻璃板制造技术

本发明专利技术涉及一种无碱玻璃，以氧化物基准的摩尔％表示，含有SiO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无碱玻璃和玻璃板


[0001]本专利技术涉及无碱玻璃。另外，本专利技术还涉及包含该无碱玻璃的玻璃板、高频器件用玻璃基板、面板型天线、窗玻璃、车辆用窗玻璃和触控面板用盖板玻璃。

技术介绍

[0002]存在移动电话、智能手机、便携信息终端、Wi－Fi设备这样的通讯设备、表面声波(SAW)器件、雷达部件、天线部件等电子器件。这样的电子器件中，为了实现通讯容量的大容量化、通讯速度的高速化等，正不断推进信号频率的高频化。高频用途的电子设备所使用的电路基板一般使用树脂基板、陶瓷基板、玻璃基板等绝缘基板。对于高频器件所使用的绝缘基板，为了确保高频信号的品质、强度等特性，要求降低基于介电损耗、导体损耗等的传输损耗。
[0003]这些绝缘基板中，树脂基板由于其特性而刚性低。因此，半导体封装制品需要刚性(强度)时，树脂基板难以应用。陶瓷基板具有如下缺点：难以提高表面的平滑性，由此形成于基板表面的导体所引起的导体损耗容易变大。另一方面，玻璃基板具有如下特征：由于刚性高，因此容易实现封装体的小型化、薄型化等，表面平滑性也优异，并且基板本身容易大型化。
[0004]专利文献1中公开了一种在35GHz下介电损耗角正切为0.007以下的高频器件用玻璃基板。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2018/051793号

技术实现思路

[0008]近年来，除了降低高频区域的介电损耗角正切以外，还对上述用途的玻璃基板要求耐酸性优异。在液晶天线、高频器件等的电路基板的制造工序中，作为在玻璃基板上形成配线层的预处理，实施试剂清洗。如果玻璃的耐试剂性低，则有如下顾虑：例如，在酸清洗时，基板表面熔解而损害基板表面的平滑性，由此，形成于基板表面的膜的密合性下降。另外，还有溶出物附着于基板表面的顾虑。由此，有形成于基板表面的导体所引起的导体损耗变大的顾虑。
[0009]另外，为了提高玻璃品质、玻璃板的生产率，对上述用途的玻璃基板要求表面失透温度低。
[0010]另外，对上述用途的玻璃基板要求分相特性优异。如果玻璃的分相特性优异，则例如在对玻璃基板进行酸清洗时，能够适当地防止在基板表面产生局部的凹凸。由此，能够减少高频信号的传输损耗。
[0011]本专利技术的目的在于提供高频区域的介电损耗角正切低、表面失透温度低且耐酸性和分相特性优异的无碱玻璃。
[0012]本专利技术人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现利用以下的构成能够解决上述课题。
[0013][1]一种无碱玻璃，以氧化物基准的摩尔％表示，含有50～80％的SiO2、2～6％的Al2O3、18～35％的B2O3、1～6％的MgO、0～6％的CaO、0～6％的SrO、0～3％的BaO，
[0014]式(A)为[MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO]，上述式(A)的值为2％～6％，
[0015]式(B)为[Al2O3]－([MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO])，上述式(B)的值为－3％～2％。
[0016][2]根据[1]所述的无碱玻璃，其中，式(C)为[SiO2]+[B2O3]，上述式(C)的值为88％～100％。
[0017][3]根据[1]或[2]所述的无碱玻璃，其中，式(C)为[SiO2]+[B2O3]，上述式(C)的值为89.4％～93％。
[0018][4]根据[1]～[3]中任一项所述的无碱玻璃，其中，式(D)为[Al2O3]/[B2O3]，上述式(D)的值为0.1～0.3。
[0019][5]根据[1]～[4]中任一项所述的无碱玻璃，其中，式(E)为[MgO]/([MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO])，上述式(E)的值为0.5以上。
[0020][6]根据[1]～[5]中任一项所述的无碱玻璃，其中，式(F)为([MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO])/[Al2O3]，上述式(F)的值为0.5～1.2。
[0021][7]根据[1]～[6]中任一项所述的无碱玻璃，其中，以Fe2O3换算计，含有0～0.5摩尔％的Fe。
[0022][8]根据[1]～[7]中任一项所述的无碱玻璃，其中，玻璃的β－OH值为0.05mm
－1
～1.0mm
－1
。
[0023][9]根据[1]～[8]中任一项所述的无碱玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，含有合计0～0.4％的选自Li2O、Na2O和K2O中的至少一种。
[0024][10]根据[9]所述的无碱玻璃，其中，式(G)为[Li2O]/([Li2O]+[Na2O]+[K2O])，上述式(G)的值为0.5以上。
[0025][11]根据[1]～[10]中任一项所述的无碱玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，含有0～0.5％的SnO2。
[0026][12]根据[1]～[11]中任一项所述的无碱玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，含有合计0～1％的选自Sc2O3、TiO2、ZnO、Ga2O3、GeO2、Y2O3、ZrO2、Nb2O5、In2O3、TeO2、HfO2、Ta2O5、WO3、Bi2O3、La2O3、Gd2O3、Yb2O3和Lu2O3中的至少一种。
[0027][13]根据[1]～[12]中任一项所述的无碱玻璃，其中，含有0～1.5摩尔％的F。
[0028][14]根据[1]～[13]中任一项所述的无碱玻璃，其中，35GHz时的介电损耗角正切为0.005以下。
[0029][15]根据[1]～[14]中任一项所述的无碱玻璃，其中，密度为2.58g/cm3以下，50～350℃下的平均热膨胀系数为20
×
10
－7
/℃～50
×
10
－7
/℃。
[0030][16]根据[1]～[15]中任一项所述的无碱玻璃，其中，玻璃粘度为102dPa
·
s时的温度T2为1500～1900℃，玻璃粘度为104dPa
·
s时的温度T4为1290℃以下。
[0031][17]根据[1]～[16]中任一项所述的无碱玻璃，其中，玻璃化转变温度为700℃以下。
[0032][18]根据[1]～[17]中任一项所述的无碱玻璃，其中，表面失透温度为1400℃以
下。
[0033][19]一种玻璃板，是含有[1]～[18]中任一项所述的无碱玻璃且具有主表面和端面的玻璃板，至少一个主表面的算术平均粗糙度Ra为1.5nm以下。
[0034][20]一种玻璃板，是含有[1]～[18]中任一项所述的无碱玻璃且具有主表面和端面的玻璃板，至少一边为1000mm以上，厚度为0.7mm以下。
[0035][21]根据[19]或[20]所述的玻璃板，其是利用浮法或熔融法制造的。
[0036][22]一种高频器件用玻璃基板，含有[1]～[18]中任一项本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种无碱玻璃，以氧化物基准的摩尔％表示，含有50～80％的SiO2、2～6％的Al2O3、18～35％的B2O3、1～6％的MgO、0～6％的CaO、0～6％的SrO、0～3％的BaO，式(A)为[MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO]，所述式(A)的值为2％～6％，式(B)为[Al2O3]－([MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO])，所述式(B)的值为－3％～2％。2.根据权利要求1所述的无碱玻璃，其中，式(C)为[SiO2]+[B2O3]，所述式(C)的值为88％～100％。3.根据权利要求1或2所述的无碱玻璃，其中，式(C)为[SiO2]+[B2O3]，所述式(C)的值为89.4％～93％。4.根据权利要求1～3中任一项所述的无碱玻璃，其中，式(D)为[Al2O3]/[B2O3]，所述式(D)的值为0.1～0.3。5.根据权利要求1～4中任一项所述的无碱玻璃，其中，式(E)为[MgO]/([MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO])，所述式(E)的值为0.5以上。6.根据权利要求1～5中任一项所述的无碱玻璃，其中，式(F)为([MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO])/[Al2O3]，所述式(F)的值为0.5～1.2。7.根据权利要求1～6中任一项所述的无碱玻璃，其中，以Fe2O3换算计，含有0～0.5摩尔％的Fe。8.根据权利要求1～7中任一项所述的无碱玻璃，其中，β－OH值为0.05mm
－1
～1.0mm
－1
。9.根据权利要求1～8中任一项所述的无碱玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，含有合计0～0.4％的选自Li2O、Na2O和K2O中的至少一种。10.根据权利要求9所述的无碱玻璃，其中，式(G)为[Li2O]/([Li2O]+[Na2O]+[K2O])，所述式(G)的值为0.5以上。11.根据权利要求1～10中任一项所述的无碱玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，含有0～0.5％的SnO2。12.根据权利要求1～11中任一项所述的无碱玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，含有合计0～1％的选自Sc2O3、TiO2、ZnO、Ga2O3、GeO2、Y2O3、ZrO2、Nb2O5、In2O3、TeO2、HfO2、Ta2O5、WO3、Bi2O3、La2O3、Gd2O3、Yb2O3和Lu2O3中的至少一种。13.根据权利要求1～12中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：松尾优作，土屋博之，滨田裕也，黑岩裕，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：