化学放大型抗蚀剂组合物及使用该组合物的抗蚀剂膜的制造方法技术

提供了一种能够形成高度矩形性的抗蚀剂图案的化学放大型抗蚀剂组合物。一种化学放大型抗蚀剂组合物，其包含具有特定结构且cLogP为2.76～3.35的碱溶性树脂(A)、光产酸剂(B)和溶剂(C)。溶剂(C)。溶剂(C)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学放大型抗蚀剂组合物及使用该组合物的抗蚀剂膜的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件、半导体集成电路等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物及使用该组合物的抗蚀剂膜的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体等器件的制造过程中，通常进行使用抗蚀剂组合物的光刻技术的微细加工。在微细加工的工序中，在硅晶片等半导体基板上形成薄的光致抗蚀剂层，用对应于目标器件的图案的掩模图案覆盖该层，并透过掩模图形对该层进行紫外线等活性光线的曝光，将曝光层显影得到光致抗蚀剂图形，将得到的光致抗蚀剂图形作为保护膜对基板进行蚀刻，从而形成与上述图形对应的微细凹凸。
[0003]需要更微细的抗蚀剂图案，并且需要能够实现这一点的抗蚀剂组合物。例如，为了得到高分辨率且形状良好的抗蚀剂图案，正在研究化学放大型抗蚀剂组合物(专利文献1和2)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2010
‑
250271号公报
[0007]专利文献2：日本特开2018r/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种化学放大型抗蚀剂组合物，包含碱溶性树脂(A)、光产酸剂(B)和溶剂(C)，其中，碱溶性树脂(A)的cLogP为2.76～3.35，碱溶性树脂(A)含有至少一种以下重复单元：其中，R
11
、R
21
、R
41
和R
45
各自独立地为C1‑5烷基，其中，烷基中的
‑
CH2‑
可以被
‑
O
‑
替代；R
12
、R
13
、R
14
、R
22
、R
23
、R
24
、R
32
、R
33
、R
34
、R
42
、R
43
和R
44
各自独立地为C1‑5烷基、C1‑5烷氧基，或
‑
COOH；p11为0～4，p15为1～2，p11+P15≤5，p21为0～5；p41为0～4，p45为1～2，p41+p45≤5；P
31
为C4‑
20
烷基，其中，烷基的一部分或全部可以形成环，烷基的一部分或全部的H可以被卤素替代。2.根据权利要求1所述的化学放大型抗蚀剂组合物，其中，光产酸剂(B)由式(B
‑
1)或式(B
‑
2)表示，B
n+
阳离子B
n
‑
阴离子(B
‑
1)其中，B
n+
阳离子是式(BC1)表示的阳离子、式(BC2)表示的阳离子或式(BC3)表示的阳离子，B
n+
阳离子整体为n价，n为1～3，B
n
‑
阴离子为式(BA1)表示的阴离子、式(BA2)表示的阴离子、式(BA3)表示的阴离子或式(BA4)表示的阴离子，B
n
‑
阴离子整体为n价，其中，R
b1
各自独立地为C1‑6烷基、C1‑6烷氧基、C6‑
12
芳基、C6‑
12
芳硫基或C6‑
12
芳氧基，nb1各自独立地为0、1、2或3，
其中，R
b2
各自独立地为C1‑6烷基、C1‑6烷氧基或C6‑
12
芳基，nb2各自独立地为0、1、2或3，其中，R
b3
各自独立地为C1‑6烷基、C1‑6烷氧基或C6‑
12
芳基，R
b4
各自独立地为C1‑6烷基，nb3各自独立地为0、1、2或3，其中，R
b5
各自独立地为氟取代的C1‑6烷基、氟取代的C1‑6烷氧基或C1‑6烷基，其中，R
b6
为氟取代的C1‑6烷基、氟取代的C1‑6烷氧基、氟取代的C6‑
12
芳基、氟取代的C2‑
12
酰基或氟取代的C6‑
12
烷氧基芳基，其中，R
b7
各自独立地为氟取代的C1‑6烷基、氟取代的C1‑6烷氧基、氟取代的C6‑
12
芳基、氟取代的C2‑
12
酰基或氟取代的C6‑
12
烷氧基芳基；其中，两个R
b7
可以相互键合形成氟取代的杂环结构，
其中，R
b8
为氢、C1‑6烷基、C1‑6烷氧基或羟基，L
b
是羰基、氧基或羰氧基，Y
b
各自独立地为氢或氟，nb4为0～10的整数，并且nb5为0～21的整数，其中，R
b9
为氟取代的C1‑5烷基，R
b10
各自独立地为C3‑
10
烯基或炔基(其中，烯基和炔基中的CH3‑
可以被苯基替代，烯基和炔基中的
‑
CH2‑
可以被
‑
C(＝O)
‑
、
‑
O
‑
或亚苯基中的至少一个替代)、C2‑
10
硫代烷基、C5‑
10
饱和杂环，nb6为0、1或2。3.根据权利要求1或2所述的化学放大型抗蚀剂组合物，还包含光产酸剂(D)，其中，所述光产酸剂(D)由式(D
‑
1)表示：D
m+
阳离子D
m
‑
阴离子(D
‑
1)其中，D
m+
阳离子为式(DC1)所表示的阳离子或式(DC2)所表示的阳离子，D
m+
阳离子整体为m价，m为1～3，D
m
‑
阴离子为式(DA1)表示的阴离子或式(DA2)表示的阴离子，D
m
‑
阴离子整体为m价，其中，R
d1
各自独立地为C1‑6烷基、C1‑6烷氧基或C6‑
12
芳基，
nd1各自独立地为0、1、2或3，其中，R
d2
各自独立地为C1‑6烷基、C1‑6烷氧基或C6‑
12
芳基，nd2各自独立地为0、1、2或3，其中，X为C1‑
20
烃或单键，R
d3
各自独立地为氢、羟基、C1‑6烷基或C...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锐，仁川裕，片山朋英，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：