导电性二维粒子及其制造方法技术

提供一种导电性二维粒子及其制造方法，氯与溴的合计含有率在一定水平以下，适合无卤素用途，此外不用使用粘合剂就能够形成高导电性薄膜。上述导电性二维粒子，是至少包含1个层的层状材料的导电性二维粒子，所述层包括：由下式：M

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性二维粒子及其制造方法


[0001]本专利技术涉及导电性二维粒子及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，作为具有导电性的新材料，MXene受到注目。MXene是所谓的二维材料的一种，如后述，是具有1个或多个层的形态的层状材料。一般来说，MXene具有这样的层状材料的粒子(可包括粉末、薄片、纳米片等)的形态。
[0003]目前，面向MXene对于各种电气器件的应用正在进行各种研究。面向上述应用，要求进一步提高含有MXene的材料的导电性。作为该研究的一环，对于作为多层化物得到的MXene的层间剥离法进行研究。
[0004]在非专利文献1中公开有通过使用TMAOH(氢氧化四甲铵)，经手摇抖动，进行多层MXene的层间剥离。另外，在非专利文献1中公开有通过使用DMSO(二甲基亚砜)，再进行超声波处理，从而进行多层MXene的层间剥离。
[0005]现有技术文献
[0006]非专利文献
[0007]非专利文献1：Guidelines for Synthesis and Processing of Two本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种导电性二维粒子，是包含1个层，或包含1个层和多个层的层状材料的导电性二维粒子，其中，所述层包括：由下式：M
m
X
n
表示的层主体，式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或碳原子和氮原子的组合，n为1以上且4以下，m为大于n并在5以下；存在于该层主体的表面的修饰或末端T，T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种，所述导电性二维粒子含有单价的金属离子，不含胺，氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下，所述导电性二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上且20μm以下。2.根据权利要求1所述的导电性二维粒子，其中，厚度的平均值为1nm以上且10nm以下。3.根据权利要求1或2所述的导电性二维粒子，其中，所述单价的金属离子为锂离子。4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性二维粒子，其中，含有希尔德布兰德溶解参数为19.0MPa
1/2
以上且47.8MPa
1/2
以下的有机化合物。5.一种导电性二维粒子的制造方法，其中，包括：(a)准备由下式：M
m
AX
n
表示的前驱体，式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或碳原子和氮原子的组合，A是至少一种的第12、13、14、15、16族元素，n为1以上且4以下，m为大于n并在5以下；(b1)使用包含含有单价金属离子的金属化合物的蚀刻液，从所述前驱体蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：小柳雅史，柳町章麿，坂本宙树，清水肇，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：