荧光体粉末和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的荧光体粉末是含有无机化合物的荧光体粉末，所述无机化合物是在由Ba

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】荧光体粉末和发光装置


[0001]本专利技术涉及一种荧光体粉末和发光装置。

技术介绍

[0002]目前为止，对Ba
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系荧光体进行了各种开发。作为这种技术，例如已知有专利文献1所述的技术。专利文献1中记载了通过对Ba
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激活Eu，从而在近红外区域发光的技术(专利文献1的第0001段、实施例1、第0090～0092段等)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特许6684412号公报

技术实现思路

[0006]然而，本专利技术的专利技术人等进行了研究，其结果判明：在上述专利文献1中记载的包含对由Ba
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表示的结晶激活Eu而成的无机化合物的荧光体粉末中，为了在实用中使用荧光体粉末，在发光特性的点上，仍有改善的余地。
[0007]本专利技术的专利技术人进行了进一步的研究，得到了以下见解。
[0008]在照射波长450nm的激发光时的(Ba，Eu)
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的荧光体的发光光谱中，可知在750nm～950nm存在有主峰，并且在520nm～600nm附近存在有小的子峰，并且，发现通过以作为子峰/主峰的发光强度比作为指标，从而能够稳定地评价荧光体粉末的发光特性，并且，通过将其比设在特定的范围内，从而能够实现发光特性优异的荧光体粉末，由此完成了本专利技术。
[0009]根据本专利技术，
[0010]提供一种含有无机化合物的荧光体粉末，所述无机化合物是在由Ba
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表示的结晶中、或者在具有与由Ba
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表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有Eu作为激活剂而成的，
[0011]在将波长450nm的激发光照射到该荧光体粉末而得到的发光光谱中，将处于750nm～950nm的范围的峰值波长的发光强度设为P0，将处于520nm～600nm的范围的峰值波长的发光强度设为P1时，P0、P1满足0.01≤P1/P0≤0.12。
[0012]并且，根据本专利技术，可提供一种发光装置，具备发出一次光的发光元件、以及吸收上述一次光的一部分且发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光的波长转换体，
[0013]上述波长转换体包含上述荧光体粉末。
[0014]根据本专利技术，可提供一种发光特性优异的荧光体粉末和发光装置。
附图说明
[0015]图1是表示实施例1、2、5、比较例1的荧光体粉末的发光光谱的图。
具体实施方式
[0016]对本实施方式的荧光体粉末进行说明。
[0017]本实施方式的荧光体粉末含有无机化合物，所述无机化合物是在由Ba
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表示的结晶中、或者在具有与由Ba
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表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有Eu作为激活剂而成的。
[0018]在将波长450nm的激发光照射到该荧光体粉末而得到的发光光谱中，将处于750nm～950nm的范围的最大峰的波长的发光强度设为P0，将处于520nm～600nm的范围的峰值波长的发光强度设为P1。
[0019]P0与归属于(Ba，Eu)
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的主峰的发光强度对应，P1与归属于(Ba，Eu)
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的子峰的发光强度对应。
[0020]由P0、P1算出的P1/P0的下限为0.01以上，优选为0.02以上。另一方面，上述P1/P0的上限例如为0.12以下，优选为0.11以下。通过将P1/P0设在该范围，能够提高荧光体粉末的发光强度。
[0021]如此，发现了：在将波长450nm的激发光照射到该荧光体粉末而得到的发光光谱中，通过将归属于(Ba，Eu)
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的作为子峰/主峰的发光强度比设为指标，从而能够稳定地评价荧光体粉末中的发光特性，通过将其比率设在特定的范围内，从而能够实现发光特性优异的荧光体粉末。
[0022]荧光体粉末在将波长450nm的激发光照射到该荧光体粉末而得到的发光光谱中，在750nm～950nm的范围内具有峰值波长。
[0023]在750nm～950nm的范围具有峰值波长的发光光谱的半峰宽例如为100nm～400nm，优选为150nm～350nm，更优选为200nm～300nm。因此，能够提高发光强度。
[0024]通过ICP发光分光分析测定的荧光体粉末中的Eu含量例如为5.0摩尔％以下，优选为3.0摩尔％以下，更优选为2.0摩尔％以下。另外，Eu含量例如为0.1摩尔％以上，优选可以为0.2摩尔％以上。通过设为在适当的范围内，从而能够降低子峰强度。
[0025]在本实施方式中，例如通过适当地选择荧光体粉末的制备方法等，能够控制上述P1/P0。在这些中，例如可举出对过度地配合了Ba而成的原料混合粉末进行煅烧、对煅烧物进行酸处理、以及Eu量的调整、粒度调整等，作为用于将上述P1/P0设为所希望的数值范围的要素。
[0026]对于荧光体粉末，在使用激光衍射散射法测定得到的体积频率粒度分布中，将累积值成为50％的粒径设为D50，将累积值成为10％的粒径设为D10，将累积值成为90％的粒径设为D90。
[0027]D50例如为1μm～50μm，优选为5μm～45μm，更优选为10μm～40μm。通过设在上述的范围内，能够实现发光特性的平衡。
[0028]((D90－D10)/D50)的下限例如为1.00以上，优选为1.20以上，更优选为1.30以上。另一方面，((D90－D10)/D50)的上限为3.00以下，优选为2.50以下，更优选为2.00以下。通过设在上述的范围内，从而能够实现发光特性的平衡。
[0029]荧光体粉末包含(Ba，Eu)
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作为上述无机化合物的主相，但优选构成为不包含Ba3Si3O3N4等异相，但在不损害专利技术的效果的范围内也可以包含异相。
[0030]根据本实施方式，能够从约300nm～650nm紫外光到可见光进行激发，能够实现可
发出在750nm～950nm的近红外区域的范围具有峰的光的荧光体粉末。
[0031]作为包含本实施方式的荧光体粉末的波长转换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种荧光体粉末，是含有无机化合物的荧光体粉末，所述无机化合物是在由Ba
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表示的结晶中、或者在具有与由Ba
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表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有Eu作为激活剂而成的，在将波长450nm的激发光照射到该荧光体粉末得到的发光光谱中，将处于750nm～950nm的范围的峰值波长的发光强度设为P0，将处于520nm～600nm的范围的峰值波长的发光强度设为P1时，P0、P1满足0.01≤P1/P0≤0.12。2.根据权利要求1所述的荧光体粉末，其中，在所述发光光谱中，在750nm～950nm的范围具有峰值波长的发光光谱的半峰宽为100nm～4...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂野广树，丰岛广朗，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：