高性能计算中用于存储器分离的光学通信制造技术

本公开涉及高性能计算中用于存储器分离的光学通信。本技术通常涉及从专用集成电路(“ASIC”)封装中分离存储器。例如，高带宽存储器(“HBM”)光学模块封装可以经由一个或多个光学链路连接到ASIC封装。HBM光学模块封装可以包括HBM管芯、HBM小芯片和光学小芯片。光学小芯片可以被配置为将HBM光学模块连接到一个或多个光纤，其与ASIC封装的一个或多个其他组件形成光学链路。通过在HBM光学模块封装中包括光学小芯片，HBM光学模块封装可以从ASIC封装分离。分离。分离。

【技术实现步骤摘要】
高性能计算中用于存储器分离的光学通信
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年4月25日提交的美国临时专利申请No.63/334,395的申请日的权益，该申请的公开内容在此通过引用并入本文中。


[0003]本公开涉及高性能计算中用于存储器分离的光学通信。

技术介绍

[0004]高性能计算可能需要多个高带宽存储器(“HBM”)管芯。与其他类型的存储器相比，HBM可以提供更大的带宽，同时使用更小的功率。通常，HBM管芯集成在专用集成电路(“ASIC”)封装中。随着ASIC封装的性能要求增加，可能需要额外的HBM管芯来提供带宽和容量，以提高性能。然而，由于ASIC封装的空间约束、ASIC封装的功率约束和/或ASIC封装的热约束，集成在ASIC封装中的HBM管芯的数量可能受到限制。此外，对于具有集成HBM管芯的ASIC封装，任何HBM管芯中的缺陷都可能使整个ASIC封装不可操作。因此，由于故障的HBM管芯，包括ASIC管芯的整个ASIC封装可能必须更换，这可能是昂贵和浪费的。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装，包括：一个或多个高带宽存储器(HBM)管芯；HBM小芯片，所述HBM小芯片被连接到所述一个或多个HBM管芯；以及光学小芯片，所述光学小芯片被耦合到所述HBM小芯片并且被连接到一个或多个光纤，其中，所述光学小芯片被配置为经由所述一个或多个光纤将所述一个或多个HBM管芯连接到单独的光学组件。2.根据权利要求1所述的封装，其中，所述单独的光学组件为专用集成电路(ASIC)管芯。3.根据权利要求1所述的封装，其中，所述封装包括用于所述一个或多个HBM管芯、所述HBM小芯片和所述光学小芯片的相应插槽。4.根据权利要求1所述的封装，其中，所述一个或多个HBM管芯、所述HBM小芯片和所述光学小芯片可移除地耦合到所述封装。5.根据权利要求1所述的封装，其中，所述HBM小芯片包括第一管芯到管芯(D2D)，并且所述光学小芯片包括第二D2D。6.根据权利要求5所述的封装，其中，所述HBM小芯片经由所述第一D2D与所述第二D2D之间的D2D接口与所述光学小芯片通信。7.一种系统，包括：第一封装；以及第二封装，所述第二封装光学耦合到所述第一封装，所述第二封装包括：一个或多个高带宽存储器(HBM)管芯；HBM小芯片，所述HBM小芯片被连接到所述一个或多个HBM管芯；以及光学小芯片，所述光学小芯片被耦合到所述HBM小芯片并且被连接到一个或多个光纤，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍里亚，
申请(专利权)人：谷歌有限责任公司，
类型：发明
国别省市：