有机金属化合物、包含其的发光装置及电子设备制造方法及图纸

本申请涉及电子设备包括发光装置，所述发光装置包含由式1表示的有机金属化合物：光装置包含由式1表示的有机金属化合物：光装置包含由式1表示的有机金属化合物：光装置包含由式1表示的有机金属化合物：

【技术实现步骤摘要】
有机金属化合物、包含其的发光装置及电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月13日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0135929号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过援引整体并入本文。


[0003]本公开内容涉及有机金属化合物和包含所述有机金属化合物的发光装置，并且还涉及包括所述发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置包括自发射装置，其具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
[0005]发光装置通常具有这样的结构，使得其中第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]本公开内容是有机金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及由式1表示的有机金属化合物：式1其中在式1中，M是铂、钯、铜、银、金、铑、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥，环CY1、环CY2、环CY4、环CY
32
和环CY
33
各自独立地是C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团，X1、X2和X4各自独立地是C或N，X
31
和X
32
各自独立地是C或N，X
33
是C(Z3)或N，X
34
是C(Z4)或N，L1至L3各自独立地是单键、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
N(R
1a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
1a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'，其中*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，n1至n3各自独立地是1至5的整数，R1、R2、R4、R
32
和R
33
各自独立地是氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，R
1a
、R
1b
、Z3和Z4各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯
基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，a1、a2、a4、a32和a33各自独立地是0至10的整数，式1中的由表示的部分不包括由式CY1(1)
‑
1表示的基团，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团或C6‑
C
60
芳硫基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，以及Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
以及Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述中间层进一步包括：位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区；以及位于所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合，以
及所述电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包含所述由式1表示的有机金属化合物。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有430nm至480nm的最大发射波长的光。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包含主体和掺杂剂，以及所述掺杂剂包括所述由式1表示的有机金属化合物。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层包含：为所述由式1表示的有机金属化合物的第一化合物；以及包含至少一个缺π电子的含氮C1‑
C
60
环状基团的第二化合物、包含由式3表示的基团的第三化合物、能够发射延迟荧光的第四化合物，或者所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物的组合，以及所述第一化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同：式3其中在式3中，环CY
71
和环CY
72
各自独立地是富π电子的C3‑
C
60
环状基团或吡啶基团，式3中的X
71
是单键或包含O、S、N、B、C、Si或其组合的连接基团，式3中的*表示与所述第三化合物的相邻原子的结合位点，以及所述第三化合物排除以下化合物：7.电子设备，包括权利要求1所述的发光装置。8.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一个。
9.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。10.由式1表示的有机金属化合物：式1其中在式1中，M是铂、钯、铜、银、金、铑、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥，环CY1、环CY2、环CY4、环CY
32
和环CY
33
各自独立地是C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团，X1、X2和X4各自独立地是C或N，X
31
和X
32
各自独立地是C或N，X
33
是C(Z3)或N，X
34
是C(Z4)或N，L1至L3各自独立地是单键、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
N(R
1a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
1a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'，其中*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，n1至n3各自独立地是1至5的整数，R1、R2、R4、R
32
和R
33
各自独立地是氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，R
1a
、R<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李银永，高秀秉，金性范，申秀珍，全美那，朱真熙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：