电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种包含发光单元、电流源、电压比较器以及发射控制单元的电子装置。电压比较器配置成接收电压数据和斜坡信号，且根据电压数据和斜坡信号输出比较信号。发射控制单元配置成根据供应电流、发射启用信号以及比较信号将驱动电流输出到发光单元。斜坡信号为第一帧期间的第一斜坡信号，且斜坡信号为第一帧之后的第二帧期间的第二斜坡信号。发射控制单元配置成基于第一斜坡信号在第一模式中操作，且发射控制单元配置成基于第二斜坡信号在第二模式中操作。模式中操作。模式中操作。

【技术实现步骤摘要】
电子装置
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]本申请案主张2021年10月15日申请的美国临时申请第63/255,961号的优先权权益。上文所提到的专利申请案的全部内容特此以引用的方式并入本文中，且成为本说明书的一部分。


[0003]本公开涉及一种装置，特定来说，尤其涉及一种电子装置。

技术介绍

[0004]电子装置可利用控制信号和所编程电压数据电路实施脉冲宽度调制(pulse
‑
width modulation；PWM)驱动以限定脉冲宽度。然而，电子装置的控制信号的传播延迟和失真可能导致脉冲宽度调制的时间误差(自目标偏移)，其可视为显示图像中的不均匀(Mura)。

技术实现思路

[0005]本公开的电子装置包含发光单元、电流源、电压比较器和发射控制单元。电流源配置成输出供应电流。电压比较器配置成接收电压数据和斜坡(ramp)信号，且根据电压数据和斜坡信号输出比较信号。发射控制单元耦合到发光单元、电流源和电压比较器。发射控制单元配置成接收发射启用(enable)信号和比较信号，且根据供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：发光单元；电流源，配置成输出供应电流；电压比较器，配置成接收电压数据和斜坡信号且根据所述电压数据和所述斜坡信号输出比较信号；以及发射控制单元，耦合到所述发光单元、所述电流源和所述电压比较器，其中所述发射控制单元配置成接收发射启用信号和所述比较信号，且根据所述供应电流、所述发射启用信号以及所述比较信号将驱动电流输出到所述发光单元，其中所述斜坡信号为第一帧期间的第一斜坡信号，且所述斜坡信号为所述第一帧之后的第二帧期间不同于所述第一斜坡信号的第二斜坡信号，其中所述发射控制单元配置成基于所述第一斜坡信号在第一模式中操作，且所述发射控制单元配置成基于所述第二斜坡信号在不同于所述第一模式的第二模式中操作。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述驱动电流的接通周期的时间长度由所述发射启用信号、电压数据以及所述斜坡信号判定。3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中当所述发射控制单元在所述第一模式中操作时，所述第一斜坡信号为斜降信号，且所述接通周期为第一接通周期，所述第一接通周期的开始时间由所述发射启用信号判定，根据所述第一斜坡信号小于用所述电压数据设定的所述电压比较器的阈值电压，来判定所述第一接通周期的结束时间。4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，其中当所述发射控制单元在所述第二模式中操作时，所述第二斜坡信号为斜升信号，且所述接通周期为第二接通周期，根据所述第二斜坡信号大于用所述电压数据设定的所述电压比较器的所述阈值电压，来判定所述第二接通周期的开始时间，所述第二接通周期的结束时间由所述发射启用信号判定。5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一接通周期的第一时间长度由所述发射启用信号的第一延迟和/或所述第一斜坡信号的第二延迟调整，所述第二接通周期的第二时间长度由所述发射启用信号的所述第一延迟和/或所述第二斜坡信号的第二延迟调整，以及所述第一时间长度的时间长度扣除等于所述第二时间长度的时间长度增量，或所述第一时间长度的时间长度增量等于所述第二时间长度的时间长度扣除。6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述电压比较器进一步接收脉冲宽度调制扫描信号，且根据所述脉冲宽度调制扫描信号对所述电压数据执行电压编程。7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，其中所述电压比较器包括：第一晶体管，其中所述第一晶体管的第一端子耦合到数据线且接收所述电压数据，且所述第一晶体管的控制端子接收所述脉冲宽度调制扫描信号；第二晶体管，其中所述第二晶体管的第一端子接收所述斜坡信号，所述第二晶体管的
控制端子接收所述发射启用信号，且所述第二晶体管的第二端子耦合到所述第一晶体管的第二端子；第一电容器，其中所述第一电容器的第一端子耦合到所述第二晶体管的所述第二端子和所述第一晶体管的所述第二端子；第一反相器电路，其中所述第一反相器电路的输入端子耦合到所述第一电容器的第二端子，且所述第一反相器电路的输出端子耦合到所述发射控制单元；以及第三晶体管，其中所述第三晶体管的第一端子耦合到所述第一反相器电路的所述输入端子，所述第三晶体管的控制端子接收所述脉冲宽度调制扫描信号，且所述第三晶体管的第二端子耦合到所述第一反相器电路的所述输出端子。8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一反相器电路包括：第四晶体管，其中所述第四晶体管的第一端子接收操作电压，所述第四晶体管的控制端子耦合到所述第一反相器电路的所述输入端子，且所述第四晶体管的第二端子耦合到所述第一反相器电路的所述输出端子；以及第五晶体管，其中所述第五晶体管的第二端子接收电压，所述第五晶体管的控制端子耦合到所述第一反相器电路的所述输入端子，且所述第五晶体管的第一端子耦合到所述第一反相器电路的所述输出端子。9.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中所述电压比较器还包括：第二反相器电路，其中所述第二反相器电路的输入端子耦合到所述第一反相器电路的所述输出端子，且所述第二反相器电路的输出端子耦合到所述发射控制单元。10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，其中当所述发射控制单元在所述第一模式中操作时，所述第一斜坡信号为斜升信号，且所述接通周期为第一接通周期，所述第一接通周期的开始时间由所述发射启用信号判定，根据所述第一斜坡信号大于用所述电压数据设定的所述电压比较器的阈值电压，来判定所述第一接通周期的结束时间。11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，其中当所述发射控制单元在所述第二模式中操作时，所述第二斜坡信号为斜降信号，且所述接通周期为第二接通周期，根据所述第二斜坡信号小于用所述电压数据设定的所述电压比较器的所述阈值电压，来判定所述第二接通周期的开始时间，所述第二接通周期的结束时间由所述发...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本和幸，渡边英俊，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：