阵列基板、显示面板和测试阵列基板的方法技术

一种阵列基板，包括N个测试信号线，N为大于1的整数；N个第一控制信号线；N个第二控制信号线；M个第一开关晶体管；以及M个第二开关晶体管。第m个第一开关晶体管的第二电极连接至第m个第二开关晶体管的第一电极，1≤m≤M。第n个测试信号线连接到第(kN+n)个第一开关晶体管的第一电极，1≤n≤N，0≤k＜M/N。第n个第一控制信号线连接到第(kN2+((n

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板、显示面板和测试阵列基板的方法


[0001]本专利技术涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和测试阵列基板的方法。

技术介绍

[0002]通常，在形成有机发光二极管(OLED)器件之后对OLED器件执行老化工艺，以消除亮点并提高晶体管稳定性。

技术实现思路

[0003]在一个方面，本公开提供了一种阵列基板，包括：N个测试信号线，N为大于1的整数；N个第一控制信号线；N个第二控制信号线；M个第一开关晶体管，M是大于N的整数；以及M个第二开关晶体管；其中，第m个第一开关晶体管的第二电极连接至第m个第二开关晶体管的第一电极，1≤m≤M；第n个测试信号线连接到第(kN+n)个第一开关晶体管的第一电极，1≤n≤N，0≤k＜M/N；第n个第一控制信号线连接到第(kN2+((n
‑
1)*N)+1)个至第(kN2+n*N)个第一开关晶体管的栅极，0≤k<M/N；第n个第二控制信号线连接到第(kN+n)个第二开关晶体管的栅极；以及第m个第二开关晶体管的第二电极连接到第m个阵列基板信号线。
[0004]可选地，M是N的整数倍。
[0005]可选地，N是阵列基板中的不同颜色的子像素的总数，所述阵列基板包括分别连接到所述M个第二开关晶体管的第二电极的M个阵列基板信号线。
[0006]可选地，N＝3。
[0007]可选地，所述阵列基板包括：第一个第一控制信号线、第二个第一控制信号线和第三个第一控制信号线；第一个第二控制信号线、第二个第二控制信号线和第三个第二控制信号线；第一测试信号线、第二测试信号线和第三测试信号线；第一个第一开关晶体管、第二个第一开关晶体管、第三个第一开关晶体管、第四个第一开关晶体管、第五个第一开关晶体管、第六个第一开关晶体管、第七个第一开关晶体管、第八个第一开关晶体管和第九个第一开关晶体管；以及第一个第二开关晶体管、第二个第二开关晶体管、第三个第二开关晶体管、第四个第二开关晶体管、第五个第二开关晶体管、第六个第二开关晶体管、第七个第二开关晶体管、第八个第二开关晶体管和第九个第二开关晶体管；其中，所述第一测试信号线连接至所述第一个第一开关晶体管、所述第四个第一开关晶体管和所述第七个第一开关晶体管的第一电极；所述第二测试信号线连接至所述第二个第一开关晶体管、所述第五个第一开关晶体管和所述第八个第一开关晶体管的第一电极；所述第三测试信号线连接至所述第三个第一开关晶体管、所述第六个第一开关晶体管和所述第九个第一开关晶体管的第一电极；所述第一个第一控制信号线连接至所述第一个第一开关晶体管、所述第二个第一开关晶体管和所述第三个第一开关晶体管的栅极；所述第二个第一控制信号线连接至所述第四个第一开关晶体管、所述第五个第一开关晶体管和所述第六个第一开关晶体管的栅极；所述第三个第一控制信号线连接至所述第七个第一开关晶体管、所述第八个第一开关晶体管和所述第九个第一开关晶体管的栅极；所述第一个第二控制信号线连接至所述第一个第
二开关晶体管、所述第四个第二开关晶体管和所述第七个第二开关晶体管的栅极；所述第二个第二控制信号线连接至所述第二个第二开关晶体管、所述第五个第二开关晶体管和所述第八个第二开关晶体管的栅极；以及所述第三个第二控制信号线连接至所述第三个第二开关晶体管、所述第六个第二开关晶体管和所述第九个第二开关晶体管的栅极。
[0008]可选地，所述阵列基板包括：半导体材料层，其中，所述半导体材料层包括所述M个第一开关晶体管和所述M个第二开关晶体管的有源层；第一导电层，其中，所述第一导电层包括所述M个第一开关晶体管和所述M个第二开关晶体管的栅极；第二导电层，其中，所述第二导电层包括M个第一连接线和M个第二连接线，所述M个第一连接线分别将所述M个第一开关晶体管的第一电极连接到对应的测试信号线，所述M个第二连接线分别将所述M个第一开关晶体管的第二电极连接到所述M个第二开关晶体管的第一电极；以及第一信号线层，其中，所述第一信号线层包括所述N个测试信号线的第一子层、所述N个第一控制信号线、所述N个第二控制信号线、所述M个第一开关晶体管的第一电极和第二电极、所述M个第二开关晶体管的第一电极和第二电极。
[0009]可选地，所述阵列基板还包括：绝缘层，其位于所述第一导电层和所述第二导电层之间；层间电介质层，其位于所述第二导电层与所述第一信号线层之间；以及平坦化层，其位于所述第一信号线层的远离所述层间电介质层一侧；其中，相应第一开关晶体管的相应第一电极通过延伸穿过所述层间电介质层的通孔连接到相应第一连接线；相应测试信号线的相应第一子层分别通过延伸穿过所述层间电介质层的通孔连接到对应的第一连接线；以及相应第一控制信号线分别通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到对应的第一开关晶体管的对应的栅极。
[0010]可选地，相应第一开关晶体管的相应第二电极通过延伸穿过所述层间电介质层的通孔连接到相应第二连接线；相应第二开关晶体管的相应第一电极通过延伸穿过所述层间电介质层的通孔连接到所述相应第二连接线；以及相应第二控制信号线分别通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到对应的第二开关晶体管的对应的栅极。
[0011]可选地，所述阵列基板还包括：第二信号线层，其中，所述第二信号线层包括N个测试信号线的第二子层；以及位于所述第一信号线层和所述第二信号线层之间的平坦化层；其中，相应测试信号线的相应第二子层通过延伸穿过所述平坦化层的通孔连接到相应测试信号线的相应第一子层。
[0012]可选地，相应第一开关晶体管的相应第一电极通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到所述相应第一开关晶体管的相应有源层；相应第一开关晶体管的相应第二电极通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到所述相应第一开关晶体管的所述相应有源层；相应第二开关晶体管的相应第一电极通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到所述相应第二开关晶体管的相应有源层；以及相应第二开关晶体管的相应第二电极通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到所述相应第二开关晶体管的所述相应有源层。
[0013]在另一方面，本公开提供一种显示面板，包括阵列基板以及M个阵列基板信号线，其中阵列基板为上述或通过上述方法制作而成的阵列基板，M个阵列基板信号线分别连接至M个第二开关晶体管的第二电极。
[0014]可选地，所述M个阵列基板信号线是M个数据线。
[0015]在另一方面，本公开提供了一种测试阵列基板的方法，包括：提供测试电路，其包括N个测试信号线，N为大于1的整数；N个第一控制信号线；N个第二控制信号线；M个第一开关晶体管，M是大于N的整数；以及M个第二开关晶体管；将第m个第一开关晶体管的第二电极连接至第m个第二开关晶体管的第一电极，1≤m≤M；将第n个测试信号线连接到第(kN+n)个第一开关晶体管的第一电极，1≤n≤N，0≤k＜M/N；将第n个第一控制信号线连接到第(kN2+((n
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1)*N)+1)个至第(kN2+n*N)个第一开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板，包括：N个测试信号线，N为大于1的整数；N个第一控制信号线；N个第二控制信号线；M个第一开关晶体管，M是大于N的整数；以及M个第二开关晶体管；其中，第m个第一开关晶体管的第二电极连接至第m个第二开关晶体管的第一电极，1≤m≤M；第n个测试信号线连接到第(kN+n)个第一开关晶体管的第一电极，1≤n≤N，0≤k＜M/N；第n个第一控制信号线连接到第(kN2+((n
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1)*N)+1)个至第(kN2+n*N)个第一开关晶体管的栅极，0≤k<M/N；第n个第二控制信号线连接到第(kN+n)个第二开关晶体管的栅极；以及第m个第二开关晶体管的第二电极连接到第m个阵列基板信号线。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，M是N的整数倍。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，N是阵列基板中的不同颜色的子像素的总数，所述阵列基板包括分别连接到所述M个第二开关晶体管的第二电极的M个阵列基板信号线。4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，其中，N＝3。5.根据权利要求4所述的阵列基板，包括：第一个第一控制信号线、第二个第一控制信号线和第三个第一控制信号线；第一个第二控制信号线、第二个第二控制信号线和第三个第二控制信号线；第一测试信号线、第二测试信号线和第三测试信号线；第一个第一开关晶体管、第二个第一开关晶体管、第三个第一开关晶体管、第四个第一开关晶体管、第五个第一开关晶体管、第六个第一开关晶体管、第七个第一开关晶体管、第八个第一开关晶体管和第九个第一开关晶体管；以及第一个第二开关晶体管、第二个第二开关晶体管、第三个第二开关晶体管、第四个第二开关晶体管、第五个第二开关晶体管、第六个第二开关晶体管、第七个第二开关晶体管、第八个第二开关晶体管和第九个第二开关晶体管；其中，所述第一测试信号线连接至所述第一个第一开关晶体管、所述第四个第一开关晶体管和所述第七个第一开关晶体管的第一电极；所述第二测试信号线连接至所述第二个第一开关晶体管、所述第五个第一开关晶体管和所述第八个第一开关晶体管的第一电极；所述第三测试信号线连接至所述第三个第一开关晶体管、所述第六个第一开关晶体管和所述第九个第一开关晶体管的第一电极；所述第一个第一控制信号线连接至所述第一个第一开关晶体管、所述第二个第一开关晶体管和所述第三个第一开关晶体管的栅极；所述第二个第一控制信号线连接至所述第四个第一开关晶体管、所述第五个第一开关晶体管和所述第六个第一开关晶体管的栅极；
所述第三个第一控制信号线连接至所述第七个第一开关晶体管、所述第八个第一开关晶体管和所述第九个第一开关晶体管的栅极；所述第一个第二控制信号线连接至所述第一个第二开关晶体管、所述第四个第二开关晶体管和所述第七个第二开关晶体管的栅极；所述第二个第二控制信号线连接至所述第二个第二开关晶体管、所述第五个第二开关晶体管和所述第八个第二开关晶体管的栅极；以及所述第三个第二控制信号线连接至所述第三个第二开关晶体管、所述第六个第二开关晶体管和所述第九个第二开关晶体管的栅极。6.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，包括：半导体材料层，其中，所述半导体材料层包括所述M个第一开关晶体管和所述M个第二开关晶体管的有源层；第一导电层，其中，所述第一导电层包括所述M个第一开关晶体管和所述M个第二开关晶体管的栅极；第二导电层，其中，所述第二导电层包括M个第一连接线和M个第二连接线，所述M个第一连接线分别将所述M个第一开关晶体管的第一电极连接到对应的测试信号线，所述M个第二连接线分别将所述M个第一开关晶体管的第二电极连接到所述M个第二开关晶体管的第一电极；以及第一信号线层，其中，所述第一信号线层包括所述N个测试信号线的第一子层、所述N个第一控制信号线、所述N个第二控制信号线、所述M个第一开关晶体管的第一电极和第二电极、所述M个第二开关晶体管的第一电极和第二电极。7.根据权利要求6所述的阵列基板，还包括：绝缘层，其位于所述第一导电层和所述第二导电层之间；层间电介质层，其位于所述第二导电层与所述第一信号线层之间；以及平坦化层，其位于所述第一信号线层的远离所述层间电介质层一侧；其中，相应第一开关晶体管的相应第一电极通过延伸穿过所述层间电介质层的通孔连接到相应第一连接线；相应测试信号线的相应第一子层分别通过延伸穿过所述层间电介质层的通孔连接到对应的第一连接线；以及相应第一控制信号线分别通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到对应的第一开关晶体管的对应的栅极。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，相应第一开关晶体管的相应第二电极通过延伸穿过所述层间电介质层的通孔连接到相应第二连接线；相应第二开关晶体管的相应第一电极通过延伸穿过所述层间电介质层的通孔连接到所述相应第二连接线；以及相应第二控制信号线分别通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到对应的第二开关晶体管的对应的栅极。9.根据权利要求6至8中任一项所述的阵列基板，还包括：第二信号线层，其中，所述第二信号线层包括N个测试信号线的第二子层；以及位于所述第一信号线层和所述第二信号线层之间的平坦化层；
其中，相应测试信号线的相应第二子层通过延伸穿过所述平坦化层的通孔连接到相应测试信号线的相应第一子层。10.根据权利要求6至9中任一项所述的阵列基板，其中，相应第一开关晶体管的相应第一电极通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到所述相应第一开关晶体管的相应有源层；相应第一开关晶体管的相应第二电极通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到所述相应第一开关晶体管的所述相应有源层；相应第二开关晶体管的相应第一电极通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到所述相应第二开关晶体管的相应有源层；以及相应第二开关晶体管的相应第二电极通过延伸穿过所述层间电介质层和所述绝缘层的通孔连接到所述相应第二开关晶体管的所述相应有源层。11.一种显示面板，包括权利要求1至10中任一项所述的阵列基板，以及分别连接到所述M个第二开关晶体管的第二电极的M个阵列基板信号线。12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述M个阵列基板信号线是M个数据线。13.一种测试阵列基板的方法，包括：提供测试电路，其包括N个测试信号线，N为大于1的整数；N个第一控制信号线；N个第二控制信号线；M个第一开关晶体管，M是大于N的整数；以及M个第二开关晶体管；将第m个第一开关晶体管的第二电极连接至第m个第二开关晶体管的第一电极，1≤m≤M；将第n个测试信号线连接到第(kN+n)个第一开关晶体管的第一电极，1≤n≤N，0≤k＜M/N；将第n个第一控制信号线连接到第(kN2+((n
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1)*N)+1)个至第(kN2+n*N)个第一开关晶体管的栅极，0≤k<M/N；将第n个第二控制信号线连接到第(kN+n)个第二开关晶体管的栅极；以及将第m个第二开关晶体管的第二电极连接到第m个阵列基板信号线。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述测试在包括N个时段的循环中执行；其中，该方法包括，在第n时段...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢红婷，冯佑雄，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：