一种透明电极制备方法及透明电极技术

本发明专利技术涉及一种透明电极制备方法及透明电极，通过在衬底上设置直径为20纳米的微球，并对微球进行自组装处理，使得微球在衬底上均匀分布，将电极材料覆盖在设置有微球的衬底上，则衬底与微球接触的部分没有电极材料沉积，从而获得更高的透光率；同时，覆盖的电极材料厚度为2

【技术实现步骤摘要】
一种透明电极制备方法及透明电极


[0001]本申请涉及光电应用领域，具体涉及一种透明电极制备方法及透明电极。

技术介绍

[0002]透明电极作为薄膜型光电子器件中的导电和光透射功能层直接影响着光电子器件的性能，在LED、平板显示、太阳能光伏以及电致变色等领域发挥着至关重要的作用。目前常用的透明电极主要以透明导电氧化物如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)为主，但ITO薄膜由于以下三个主要原因，限制了其在光电子器件领域的广泛应用：(1)ITO薄膜的杨氏模量较大，机械性能较差，限制了它在roll to roll低成本生产以及柔性光电子器件的应用；(2)ITO薄膜红外光的透过率较低，在近红外(1000nm
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2500nm)区域其透光率甚至低至20％，在需要利用红外光透过的光伏和电致变色领域应用受限。(3)通常ITO的厚度为100
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200nm，而非晶态的ITO导电率不高，为了提高ITO的导电率通常需要进一步提高其厚度，导致ITO薄膜电极的电阻很高，无法实现真正意义的大面积制备。<br/>[0003]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明电极制备方法，其特征在于，包括:对衬底进行紫外线清洁处理，以改善所述衬底表面的亲水性；在所述衬底上进行自组装处理，以使微球呈第一预设方式分布在所述衬底表面，所述微球的直径为20纳米；在所述衬底上覆盖电极材料，所述电极材料的厚度为2
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15纳米；去除所述衬底上的所述微球，以得到透明电极。2.根据权利要求1所述的透明电极制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述微球呈第一预设方式分布在所述衬底表面后，对所述衬底进行等离子刻蚀，以露出所述衬底的部分表面。3.根据权利要求1所述的透明电极制备方法，其特征在于，所述微球为聚苯乙烯微球，所述衬底为玻璃衬底，在所述衬底上覆盖电极材料包括：对所述衬底进行低温原子层沉积，以使所述电极材料沉积在所述衬底上，形成金属电极；去除所述衬底上的所述微球包括：对所述衬底进行150℃持续15分钟的加热处理，以去除所述微球。4.根据权利要求1所述的透明电极制备方法，其特征在于，所述微球为二氧化硅微球，所述衬底为氟化钙衬底或硫酸钡衬底，在所述衬底上覆盖电极材料包括：对所述衬底进行低温原子层沉积，以使所述电极材料沉积在所述衬底上，形成金属电极；或者，对所述衬底进行真空蒸镀，以使所述电极材料沉积在所述衬底上，形成金属电极；或者，对所述衬底进行磁控溅射，以使所述电极材料沉积在所述衬底上，形成金属电极；或者，对所述衬底进行真空离子镀，以使所述电极材料沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：段羽，袁梦，刘一桐，张卜月，姜欣，朱学昊，
申请(专利权)人：长沙汽车创新研究院，
类型：发明
国别省市：