半导体元件的冷却装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示了一种半导体元件的冷却装置，其增加了机械强度且减少了冷却液的压力损耗。构成冷却装置的板材构件具有流通通路，例如冷却液供给和释放开口，被脊分开的槽，和被突出部或隔离体分开的贯通部。这些脊，突出部，和隔离体与相邻板材构件相结合来增加结合强度，且通过在不同板材构件的相同位置形成这些脊，突出部，和隔离体来更进一步增加结合强度。在将其表面具有焊料层的板材构件层叠的情况下，在板材构件的结合面上形成大量的微小空腔，而不形成通路等等，且焊料切片在整个结合面上形成来增加结合强度。槽、贯通部和板材构件的外形可以由化学蚀刻技术形成。多个板材构件可以从一单块金属板同时制备得到。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种诸如半导体激光器元件的电子装置元件的冷却装置，特别涉及一种包括薄板单元的冷却装置，在其中使冷却液流通来实现冷却，且具有一改进的结构，其机械强度足够大以防止板材构件剥落或变形。
技术介绍
激光器可用来作为焊接、切割等装置。在这些需要高输出的激光器应用中，半导体激光器最近被用作诸如Nd:YAG激光器的固体激光器的泵浦或直接加工的光源。这时因为半导体激光器具有如下特点比其它激光器高出大约50％的电-光转换效率，因为相对容易地在从可见光到近红外的范围内选择波长而容易构造一光学系统，从而可以使用光纤光缆传输，且尺寸紧凑、服务寿命长。因为用于加工目的的半导体激光器需要具有kW级的高输出，所以通常使用包括单片集成LDs(激光二极管)的线性阵列。通过使用大量的阵列半导体激光装置获得所需的输出，每个阵列半导体激光装置皆具有安装于其上的线性LD阵列。半导体激光器产生等同于其光输出能量的焦耳热量。产生数十瓦热量的集成线性LD阵列需要一冷却冷却设备，来防止因为半导体激光器温度上升而导致的光输出降低和性能的恶化。对于这样的高输出线性LD阵列，通常使用有源冷却装置，使得诸如水等冷却液流过。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件的冷却装置，包括：一个由至少三个板材构件层叠起来的层叠片，其中在这些板材构件中的至少其中一个上形成用于流通冷却液的通路，在这些结合且层叠在一起的板材构件中的至少其中一个的至少一个结合面上形成焊料层，其中，在至少 一个形成焊料层的结合面上，以及在相对于形成该焊料层的结合面的另一个板材构件的一个的结合面上形成一个或多个未用空间，所述的一个或多个未用空间除了被形成为导入冷却液的入口开口、释放冷却液的出口开口、用作冷却液流通通路的一个槽或一个贯通部或一个凹陷，以及构成流通冷却液的通路或定位冷却装置的通孔之外，还形成凹陷、槽和通孔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：坂野哲朗，泷川宏，西川佑司，早野浩次，大山昭宪，宫田龙介，
申请(专利权)人：发那科株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]