一种具内藏电容的基板结构制造技术

本发明专利技术公开了一种具内藏电容的基板结构，该基板结构是由单层或是数层内藏电容基板所组成，而每一层内藏电容基板包含有多个电容单元，可借助该基板结构上下方的线路连接层任意将连接至各个电容单元的导线进行并联或是串联，组合成各种具有不同电容值与不同频宽之电容，以适用于不同电路的需求；且每个电容单元亦可依不同的电路设计而具有用以进行该基板结构上方与下方之电子组件的电气讯号传递的信号传输线，因此，可利用简单的电路设置来实现电气讯号连接的目的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具内藏电容的基板结构，尤其是涉及应用于电子电路进行整合缩装时的内藏电容基板结构。
技术介绍
为满足科技产品高频、高速化的发展需求，电路系统的信号上升时间(RiseTime；tr)越来越快，同时使得时序盈余度(Timing Budget)及噪声边界(NoiseMargin)越来越小。除了组件的选用之外，系统的稳定与否与电路的噪声免疫(Noise Immunity)能力有绝对的关系，其中，噪声抑制主要的三大课题为反射噪声(Reflection Noise)、耦合噪声(Coupled Noise)以及切换噪声(SwitchingNoise)。抑制反射噪声(Reflection Noise)主要必须做好阻抗匹配，对付耦合噪声(Coupled Noise)必须注意并行线距离及长度的控制，而IC高速切换(turn on/turn off)时所产生的切换噪声(或是称为同步切换噪声Simultaneous Switching Noise；SSN)则必须靠大量的解耦合电容(De-coupling Capacitor)或旁路电容(Bypass Capacitor)来稳定电源并过滤高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内藏电容的基板结构，其特征在于，包括有：一层以上的内藏电容基板，该内藏电容基板由一个以上的电容单元所组成，借助电路设置以组成任意电容值，该电容单元包括有：一介电层；一正电极层，连接于该介电层的一侧；一负电 极层，连接于该介电层的另一侧；其中，该正电极层、该负电极层与该介电层中各具有一正电极引线孔、一负电极引线孔及一个以上的信号传输线孔，借助连接导通该正电极层、该负电极层与该介电层的各该正电极引线孔、各该负电极引线孔及各该信号传输线孔， 以形成一正电极引线、一负电极引线及一个以上的信号传输线，该正电极引线及该信号传输...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟佩翰，李明林，赖信助，吴仕先，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]