【技术实现步骤摘要】
一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列
[0001]本专利技术属于电磁场与微波
，涉及一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，具体是一种工作在双频带上且两个天线单元在工作频带上具有高隔离特性的单极锥天线阵列，其中低频为2.4GHz
‑
2.5GHz频带，高频为5GHz
‑
6GHz频带。
技术介绍
[0002]在5G无线通信领域中，频谱资源是尤为宝贵且稀缺的，多输入多输出(Multi
‑
Input Multi
‑
Output，MIMO)技术可以在不扩大频谱资源使用的同时极大的提高信道容量和高数据传输速率，因此被广泛的应用于现代无线通信系统。但在实际系统的设计中存在空间限制，迫使天线单元之间摆放过于紧密，天线之间会产生强烈的互耦，互耦的产生会降低天线的辐射效率，恶化匹配条件，扭曲辐射模式。为了减小MIMO系统天线单元之间的互耦从而获得满意的MIMO系统性能，多种去耦方案被陆续提出。
[0003]目前已有的去耦方案包括缺陷地结构，去耦中和线，寄...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，为全向天线阵列，其特征在于包括两个轴对称的单极锥天线(1)、低频去耦元件、高频去耦元件、以及系统地板；所述单极锥天线(1)的外周连接有环状结构的顶帽(2)，顶帽(2)底部设有两根关于单极锥天线(1)中心对称的第一接地短柱(3)，所述单极锥天线(1)通过锥顶加载馈电贴片(4)激励；所述低频去耦元件位于两个单极锥天线(1)间，包括两个“C”形环(5)、长条带(6)、两个第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)；所述“C”形环(5)位于所述顶帽(2)的下方，且所述“C”形环(5)与所述顶帽(2)间留有间隙；两个“C”形环(5)的外凸侧中心通过长条带(6)连接；所述“C”形环(5)与所述长条带(6)的连接端下方设有第二接地短柱(7)，所述长条带(6)的中心位置下方设有第三接地短柱(8)；所述高频去耦元件位于低频去耦元件两侧，包括两个关于所述长条带(6)轴对称的高频去耦元件，每个高频去耦元件包括相互正交的金属短柱(9)、第四接地短柱(10)；所述金属短柱(9)与所述长条带(6)垂直设置，且两者间留有间距；所述第四接地短柱(10)与所述第三接地短柱(8)平行设置；所述第一接地短柱(3)、第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)、第四接地短柱(10)接系统地板；所述金属短柱(9)与系统地板平行设置。2.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，两个单极锥天线(1)中心距离为0.8λ0，λ0表示低频与高频的平均中心频率所对应波长；第一接地短柱(3)与所在单极锥天线(1)中心的距离为0.28λ0；低频去耦元件中“C”形环(5)与所述顶帽(2)的距离为0.003λ0。3.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述长条带(6)的长度为0.26λ0。4.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)的高度为0.13λ0。5.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第一接地短柱(3)的高度hm为0.14λ0。6.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第四接地短柱(10)的高度为0.1λ0，所述金属短柱(9)的长度为0.25λ0。7.根据权利要求1或4所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第二接地短柱(7)长度为0.02λ0。8.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述单极锥天线(1)、系统地板、低频去耦元件、高频去耦元件均采用金属材质。9.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，低频为2.4GHz
‑
2.5GHz频带，高频为5GHz
‑
6GHz频带。10.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，两个单极锥天线(1)等效电路A由RLC串联谐振电路构成，包括电阻R1、电容C
1a
、电感L
1a
、电容C
1b
、电感L
1b
，其中电阻R1的一端接地，另一端接电容C
1a
的一端；电容C
1a
的另一端接电感L
1a
的一端，电感L
1a
的另一端接电感L
1b
的一端，电感L
1b
的另一端接电容C
1b
的一端；电容C
1b
的另一端接端口；R1＝1...
【专利技术属性】
技术研发人员：程一峰，何阳阳，陈世昌，王高峰，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。