电解电容器用电极箔、电解电容器、电解电容器用电极箔的制造方法及电解电容器的制造方法技术

本发明专利技术的电解电容器用电极箔具备具有多孔部及与多孔部连续的芯部的阳极体、和覆盖构成多孔部的金属骨架的表面的电介质层。在构成多孔部的金属骨架与电介质层之间，具有包含第1元素的界面层。第1元素为选自硫、氮及磷中的至少1种。至少1种。至少1种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电解电容器用电极箔、电解电容器、电解电容器用电极箔的制造方法及电解电容器的制造方法


[0001]本专利技术涉及电解电容器用电极箔、电解电容器、电解电容器用电极箔的制造方法及电解电容器的制造方法。

技术介绍

[0002]电解电容器的电极箔具备在表面具有多孔部的阳极体。阳极体例如使用包含阀作用金属的金属箔，通过对金属箔进行蚀刻处理而形成多孔部，电解电容器的容量得到提高。另外，电极箔具备覆盖多孔部的电介质层。例如，专利文献1中提出利用气相法来形成电介质层。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2017/26247号小册子

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]电介质层的表面由导电性高分子化合物覆盖的电解电容器中，若在电介质层中产生缺陷，则漏电流容易增大。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]本专利技术的一个方面涉及一种电解电容器用电极箔，其具备阳极体和电介质层，上述阳极体具有多孔部以及与上述多孔部连续的芯部，上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电解电容器用电极箔，其具备：具有多孔部以及与所述多孔部连续的芯部的阳极体、和覆盖构成所述多孔部的金属骨架的表面的电介质层，在所述金属骨架与所述电介质层之间具有包含第1元素的界面层，所述第1元素为选自硫、氮及磷中的至少1种。2.根据权利要求1所述的电解电容器用电极箔，其中，所述多孔部具有多个隧道状凹坑。3.根据权利要求2所述的电解电容器用电极箔，其中，所述凹坑的平均直径为170nm以上且2100nm以下。4.根据权利要求2或3所述的电解电容器用电极箔，其中，所述凹坑至少包含从所述多孔部的表面侧向所述芯部侧延伸的主凹坑。5.根据权利要求4所述的电解电容器用电极箔，其中，对于所述主凹坑的直径而言，与所述多孔部的表面侧相比，在所述芯部侧变小。6.根据权利要求4所述的电解电容器用电极箔，其中，对于所述主凹坑的直径而言，与所述多孔部的表面侧相比，在所述芯部侧变大。7.根据权利要求5或6所述的电解电容器用电极箔，其中，在所述阳极体的所述多孔部的厚度方向的剖面中，所述主凹坑的壁面相对于所述主凹坑的长度方向倾斜。8.根据权利要求7所述的电解电容器用电极箔，其中，所述主凹坑的壁面相对于所述主凹坑的长度方向以0.01
°
以上且3
°
以下的角度倾斜。9.根据权利要求4～8中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，所述阳极体具有第1主面和与所述第1主面相反的一侧的第2主面，所述多孔部具有设于所述第1主面的一侧的第1多孔部和设于所述第2主面的一侧的第2多孔部，所述主凹坑具有所述第1多孔部内的第1凹坑和所述第2多孔部内的第2凹坑，所述第1凹坑的至少一部分从所述第1多孔部向所述第2多孔部的方向进一步延伸。10.根据权利要求9所述的电解电容器用电极箔，其中，所述第1凹坑的至少一部分与所述第2凹坑的至少一部分相连。11.根据权利要求4～10中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，在所述阳极体的所述多孔部的厚度方向的剖面中，由所述主凹坑的长度方向和所述多孔部的厚度方向形成的角度为45
°
以下。12.根据权利要求4～11中任一项所述的电解电容器用电极箔，其中，所述凹坑在所述多孔部的表面区域中包含具有所述主凹坑的长度的70％以下的长度的小凹坑。13.根据权利要求12所述的电解电容器用电极箔，其中，在所述阳极体的所述多孔部的厚度方向的剖面中，由所述小凹坑的长度方向和所述多孔部的厚度方向形成的角度大于45
°
且88
°
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉村满久，椿真佐美，栗原直美，小川美和，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：