阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法技术

本申请提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。所述阵列基板包括：衬底；源极，设置于所述衬底的一侧，所述源极包括一金属层和覆盖在所述金属层表面的氧化层，所述氧化层包括所述金属层中的至少一种金属元素的氧化物。本申请提供的阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，可以降低阵列基板上的薄膜晶体管关闭时的漏电流。晶体管关闭时的漏电流。晶体管关闭时的漏电流。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)作为一种半导体开关器件，包括栅极、源极、漏极、栅极绝缘层、有源半导体层，可通过向栅极输入不同的电信号来控制有源半导体层的导通和关断，被广泛应用于显示领域。
[0003]当TFT作为开关控制显示面板像素的显示时，首先TFT打开，为像素电极充电，然后TFT关闭，使像素电极的电压保持一帧时间，等待下一次TFT的打开充电。然而，TFT在关闭时，有源半导体层的沟道中仍会有电流通过，这种电流被称为漏电流。漏电流过高会导致像素电极的电压在TFT关闭后的电压维持阶段无法维持在一个稳定的值，从而对像素显示的稳定性产生影响，降低显示面板的显示品质。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，可以降低阵列基板上薄膜晶体管关闭时的漏电流。
[0005]本申请实施例提供一种阵列基板，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；源极，设置于所述衬底的一侧，所述源极包括金属层和覆盖在所述金属层表面的氧化层，所述氧化层包括所述金属层中的至少一种金属元素的氧化物。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一种金属元素包括铜、铝、铬、钼、钛、钨、锑、镍、铪和钽中的一种或多种，所述氧化层包括与所述金属元素对应的绝缘氧化物。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化层的厚度为60～150埃。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置于所述第二金属层远离所述衬底的一侧且与所述氧化层直接接触，所述第二金属层设置在所述第一金属层靠近所述衬底的一侧，所述第一金属层的金属元素的活泼性高于所述第二金属层的金属元素的活泼性。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层的材料包括铝，所述第二金属层的材料包括钼钛合金。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦家俊，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：