磷空位磷化钼材料及其制备和在HER催化中的应用制造技术

本发明专利技术涉及催化材料领域，具体涉及一种磷空位磷化钼材料，其为表面具有磷空位的磷化钼材料。本发明专利技术还涉及所述材料的制备和在HER催化中的应用。本发明专利技术所述的磷空位磷化钼材料具有丰富的电活性位点和快速电荷转移能力，其在碱性和酸性介质中均表现出较低的过电位和较高的TOF值，可以表现出优异的HER催化活性。可以表现出优异的HER催化活性。可以表现出优异的HER催化活性。

【技术实现步骤摘要】
Heterostructure Nanosheets,ACS Appl.Mater.Interfaces 11(2019)25986
‑
25995.
[0012][0013][8]H.Zhou,F.Yu,Y.Huang,J.Sun,Z.Zhu,R.J.Nielsen,R.He,J.Bao,W.A.Goddard III,S.Chen,Z.Ren,Efficient Hydrogen Evolution by Ternary Molybdenum Sulfoselenide Particles on Self
‑
Standing Porous Nickel Diselenide Foam,Nat Commun 7(2016)12765.

技术实现思路

[0014]针对现有HER催化材料催化性能不理想的问题，本专利技术第一目的在于，提供一种磷空位磷化钼材料，旨在提供一种在酸和碱体系下均能表现出优异HER催化性能的新材料。
[0015]本专利技术第二目的在于，提供所述的磷空位磷化钼材料的制备方法，旨在制备所述的具有优异HER本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磷空位磷化钼材料，其特征在于，为表面具有磷空位的磷化钼单晶材料。2.如权利要求1所述的磷空位磷化钼材料，其特征在于，包括六方相单晶磷化钼核以及复合在其上的磷空位粗糙表面壳，构成核壳结构。3.一种权利要求1或2所述的磷空位磷化钼材料的制备方法，其特征在于，将MoO2和磷源进行第一段焙烧，制得MoP，随后再在还原性气氛、负压下进行第二段焙烧，制得所述的磷空位磷化钼材料；第二段焙烧阶段的温度为630～800℃。4.如权利要求3所述的磷空位磷化钼材料的制备方法，其特征在于，所述的MoO2通过包含钼源、表面活性剂、载体的水溶液进行水热、焙烧处理得到；优选地，所述的钼源为水溶性的钼酸盐、多钼酸盐中的至少一种；优选地，所述的表面活性剂为阴离子表面活性剂；优选地，所述的载体为碳载体；优选地，水热反应的温度大于或等于100℃；优选地，煅烧的气氛为氮气、惰性气体中的至少一种；优选地，煅烧的温度为400～650℃。5.如权利要求3所述的磷空位磷化钼材料的制备方法，其特征在于，所述的磷源为次磷酸钠、红磷中的至少一种；优选地，MoO2和磷源中的Mo/P元素比为1～2:1～2。6.如权利要求3所述的磷空位磷化钼材料的制备方法，其特征在于，第一段焙烧的气氛为保护性气氛；优选地，所述的保...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雷，马惠，严文思，宋利，洪哲，邓利华，
申请(专利权)人：嘉兴学院，
类型：发明
国别省市：