片式电阻器及片式电阻器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种片式电阻器，包括：绝缘基板；成对的表面电极，设于绝缘基板的表面两端部；电阻体，连接于两表面电极之间；第一保护膜，覆盖电阻体的整体和表面电极的连接部分；成对的第一导电膜，覆盖第一保护膜的两端部和从第一保护膜露出的表面电极；第二保护膜，覆盖第一保护膜和第一保护膜的两端部重叠的第一导电膜的端部；成对的第二导电膜，覆盖从第二保护膜露出的第一导电膜，并与第二保护膜的两端部相接；成对的端面电极，设于绝缘基板的端面并与表面电极和第一导电膜及第二导电膜的各端部连接；成对的外部镀层，覆盖端面电极和第二导电膜；第一导电膜和第二导电膜由比表面电极更难以硫化的金属材料所形成。面电极更难以硫化的金属材料所形成。面电极更难以硫化的金属材料所形成。

【技术实现步骤摘要】
片式电阻器及片式电阻器的制造方法


[0001]本专利技术涉及片式电阻器及其片式电阻器的制造方法。

技术介绍

[0002]一般的片式电阻器主要由：长方体形状的绝缘基板、在绝缘基板的表面存有特定间隔并对向配置的成对的表面电极、在绝缘基板的背面存有特定间隔并对向配置的成对的背面电极、导通表面电极和背面电极的成对的端面电极、覆盖所述各个电极的成对的外部镀层、桥接成对的表面电极彼此的电阻体、及具有绝缘性并覆盖电阻体的保护膜所构成。
[0003]在这种片式电阻器中，于表面电极通常使用电阻率低的Ag(银)系的金属材料，虽为形成外部镀层以覆盖此表面电极的构成，但因为腐蚀性强的硫化气体等容易从外部镀层和保护膜的边界部分形成的间隙侵入，使表面电极和保护膜的边界位置中的表面电极部分被硫化气体等腐蚀，有着导致电阻值变化或断线等的问题的疑虑。
[0004]因为如此一直以来，如图7(a)所示，为了不使表面电极104和保护膜101的边界位置中的表面电极部分曝露于硫化气体，提出了一种片式电阻器(举例来说，参考专利文献1)，随着在超过表面电极104和保护膜101本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种片式电阻器，其特征在于，包括：长方体形状的绝缘基板；成对的电极，其设于所述绝缘基板的主面两端部；电阻体，其连接于成对的所述电极之间；第一保护膜，其具有绝缘性并覆盖所述电阻体的整体和所述电极的连接部分；成对的第一导电膜，其覆盖所述第一保护膜的两端部和从所述第一保护膜露出的所述电极的露出部整体；第二保护膜，其具有绝缘性并覆盖所述第一保护膜的至少一部分和所述第一保护膜的两端部重叠的所述第一导电膜的一个端部；成对的第二导电膜，其在覆盖从所述第二保护膜露出的所述第一导电膜的露出部整体的同时，与所述第二保护膜的两端部相接；成对的端面电极，其在所述绝缘基板的两端面延伸，并与所述电极和所述第一导电膜及所述第二导电膜的各端部连接；及成对的外部镀层，其覆盖所述端面电极和所述第二导电膜；其中，所述第一导电膜和所述第二导电膜由具有比起所述电极更难以硫化的特性的金属材料所形成。2.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，所述外部镀层具有由镀Ni制成的阻挡层，在所述第一导电膜由包含Cr的合金材料所形成的同时，所述第二导电膜由包含Ni的合金材料所形成。3.根据权利要求2所述的片式电阻器，其特征在于，所述第一导电膜是Cr的含有量为50wt％以上的Ni
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Cr，所述第二导电膜是Cr的含有量为50wt％以下的Ni
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Cr。4.根据权利要求2或3所述的片式电阻器，其特征在于，所述第一导电膜为具有1.0μm以上的膜厚的溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村太郎，川上圭太，
申请(专利权)人：KOA株式会社，
类型：发明
国别省市：