【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板和显示设备
[0001]本专利技术涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板和显示设备。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(OLED)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一。与使用稳定电压来控制亮度的薄膜晶体管液晶显示器(TFT
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LCD)不同，OLED由需要保持恒定以控制照度的驱动电流来驱动。OLED显示面板包括多个像素单元，所述多个像素单元配置有以多行和多列排列的像素驱动电路。每个像素驱动电路包括驱动晶体管，该驱动晶体管具有栅极端子和漏极端子，每行栅极端子连接到一个栅极线，每列漏极端子连接到一个数据线。当其中像素单元被选通的行导通时，连接到驱动晶体管的开关晶体管导通，并且数据电压从数据线经由开关晶体管施加到驱动晶体管，使得驱动晶体管将与数据电压对应的电流输出到OLED装置。OLED装置被驱动以发射相应亮度的光。
技术实现思路
[0003]在一个方面，本公开提供了一种阵列基板，包括：平坦化层；阳极材料层，其位于所述平坦化层上且位于所述阵列基板的外围区域中；以及多个气体释放通孔，所述多...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板，包括：平坦化层；阳极材料层，其位于所述平坦化层上且位于所述阵列基板的外围区域中；以及多个气体释放通孔，所述多个气体释放通孔延伸穿过所述阳极材料层，其被配置为在制造过程期间释放所述平坦化层中的气体；其中，第一区域中的第一相应气体释放通孔的开口尺寸小于第二区域中的第二相应气体释放通孔的开口尺寸。2.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括像素限定材料层，所述像素限定材料层包括在所述阳极材料层上彼此间隔开的多个通孔块，相应通孔块覆盖并填充相应气体释放通孔；其中，所述相应通孔块的位于所述相应气体释放通孔外部的部分的宽度大于所述相应气体释放通孔的开口宽度。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一区域中的第一相应通孔块的第一宽度与第一相应气体释放通孔的第一开口宽度的第一比大于所述第二区域中的第二相应通孔块的第二宽度与第二相应气体释放通孔的第二开口宽度的第二比。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述第一宽度和所述第二宽度实质上相同；以及所述第一开口宽度小于所述第二开口宽度。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述多个通孔块在所述外围区域的第一子区域中的所述阳极材料层的第一部分上；所述像素限定材料层还包括限定发光元件的子像素开口的像素限定层；以及所述像素限定层延伸至所述外围区域的第二子区域中，覆盖并填充所述阳极材料层的第二部分中的气体释放通孔。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述像素限定层在所述外围区域的整个所述第二子区域中连续地延伸。7.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其中，在所述阵列基板的至少一个角区中，在所述第一子区域中的至少一个气体释放通孔的开口尺寸小于在所述第二子区域中的至少一个气体释放通孔的开口尺寸。8.根据权利要求5至7中任一项所述的阵列基板，其中，在所述阵列基板的至少一个非角区中，在所述第一子区域中的至少一个气体释放通孔的开口尺寸与在所述第二子区域中的至少一个气体释放通孔的开口尺寸实质上相同。9.根据权利要求5至8中任一项所述的阵列基板，其中，在与所述第一子区域接界的所述像素限定层的边缘部分下面的至少一个气体释放通孔的开口尺寸小于在所述第一子区域中的至少一个气体释放通孔的开口尺寸，并且小于在所述像素限定层的非边缘部分下面的至少一个气体释放通孔的开口尺寸。10.根据权利要求5到9中任一项所述的阵列基板，其中，在与所述像素限定层的边缘部分接界的所述第一子区域中的至少一个气体释放通孔的开口尺寸小于在所述第一子区域中的至少另一个气体释放通孔的开口尺寸，所述至少另一个气体释放通孔通过所述至少一个气体释放通孔与所述边缘部分间隔开。
11.根据权利要求5至10中任一项所述的阵列基板，其中，在所述阵列基板的所述第一子区域中且在角区中的至少一个气体释放通孔的开口尺寸小于在所述阵列基板的所述第一子区域中且在非角区中的至少一个气体释放通孔的开口尺寸。12.根据权利要求5至11中任一项所述的阵列基板，其中，所述外围区域包括位于显示区域的第一侧的第一侧区、位于所述显示区域的第二侧的第二侧区、位于所述显示区域的第三侧的第三侧区、位于所述显示区域的第四侧的第四侧区；所述第一侧与所述第四侧相对；所述第二侧与所述第三侧相对；所述第一侧区被配置为键合集成电路；在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：周炟，王建波，张陶然，黄鹂，周洋，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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