浆料腐蚀深度的测试方法技术

本发明专利技术公开了浆料腐蚀深度的测试方法，包括以下步骤：将隧穿氧化层钝化接触电池片进行预清洁，得到清洁后的隧穿氧化层钝化接触电池片；将清洁后的隧穿氧化层钝化接触电池片置于X射线光电子能谱仪内，进行抽真空，对隧穿氧化层钝化接触电池片表面浆料进行溅射剥离，将隧穿氧化层钝化接触电池片表面刻蚀至预设深度，之后进行取谱分析，以此循环，得到元素含量；根据采谱得到的元素含量的变化趋势，得到浆料的腐蚀深度。本发明专利技术随着腐蚀深度的增加，测试了银元素Ag和硅元素Si在纵向方向、横向方向上Ag和Si随着深度不同含量也会发生变化，同时表征出银的深度，即能够测出银元素Ag和硅元素Si的含量变化趋势，得出银浆的腐蚀深度。得出银浆的腐蚀深度。得出银浆的腐蚀深度。

【技术实现步骤摘要】
浆料腐蚀深度的测试方法


[0001]本专利技术涉及光伏
，更具体地，涉及一种浆料腐蚀深度的测试方法。

技术介绍

[0002]TOPCon电池(TunnelOxidePassivatedContact的缩写，隧穿氧化层钝化接触)是采用管式LPCVD(LowPressureChemicalVaporDeposition，低压化学气相沉积)设备进行制备，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层两层共同形成钝化接触结构，该隧穿氧化钝化接触结构能够使得多数载流子穿过氧化层，对少数载流子起阻挡作用，有效地实现了载流子的选择通过性，从而极大地降低了少数载流子的复合速率，提高了电池的效率。
[0003]测试浆料腐蚀深度，可以直观的了解浆料的腐蚀深度，若浆料腐蚀至隧穿氧化层，从而减弱钝化效果，进而大幅度降低光电转换效率。现有技术中通过SEM观察银硅截面并通过不同物质界面的差异判断银浆腐蚀深度，实际银硅烧结后形成合金，合金的银硅比例随着深度增加呈现梯度变化，单纯从形貌很难观测出。
[0004]因此，亟需提供一种浆料腐蚀深度的测试方法，随着腐蚀深度的增加，测试了银元素Ag和硅元素Si在纵向方向、横向方向上Ag和Si随着深度不同含量也会发生变化，同时表征出银的深度，即能够测出银元素Ag和硅元素Si的含量变化趋势，得出银浆的腐蚀深度。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种浆料腐蚀深度的测试方法，包括以下步骤：将隧穿氧化层钝化接触电池片进行预清洁，得到清洁后的隧穿氧化层钝化接触电池片；
[0006]将清洁后的隧穿氧化层钝化接触电池片置于X射线光电子能谱仪内，进行抽真空，对隧穿氧化层钝化接触电池片表面浆料进行溅射剥离，将隧穿氧化层钝化接触电池片表面刻蚀至预设深度，之后进行取谱分析，以此循环，得到元素含量；
[0007]根据采谱得到的元素含量的变化趋势，得到浆料的腐蚀深度。
[0008]可选地，所述对隧穿氧化层钝化接触电池片表面浆料进行溅射剥离，将隧穿氧化层钝化接触电池片表面刻蚀至预设深度，之后进行取谱分析，以此循环，得到元素含量包括：
[0009]利用离子枪将隧穿氧化层钝化接触电池片表面银浆进行氩粒子溅射剥离，控制溅射强度和溅射时间，每刻蚀预设隧穿氧化层钝化接触电池片厚度范围，采一次集谱，之后分析硅和银两种元素的含量比例。
[0010]可选地，所述溅射强度为0.5～5kev。
[0011]可选地，单次循环刻蚀的隧穿氧化层钝化接触电池片厚度范围为40
‑
50nm。
[0012]可选地，利用离子枪对隧穿氧化层钝化接触电池片表面浆料进行溅射剥离包括：利用离子枪对隧穿氧化层钝化接触电池片正面银浆进行溅射剥离，和/或，利用离子枪对隧穿氧化层钝化接触电池片背面银浆进行溅射剥离。
[0013]可选地，所述根据采谱得到的元素含量的变化趋势，得到浆料的腐蚀深度包括：随
着刻蚀隧穿氧化层钝化接触电池片深度的增加，采用的谱图显示银元素逐渐减少，硅元素逐渐增加，当采谱到银含量为0时，停止测试，并记录刻蚀次数和刻蚀时间。
[0014]可选地，离子枪的溅射剥离速率为10
‑
20nm/min。
[0015]可选地，所述隧穿氧化层钝化接触电池片包括硅基底、第一电极和第二电极；
[0016]所述硅基底的其中一面沿远离所述硅基底方向，依次叠层设置有隧穿氧化层、多晶硅层和第一钝化层，第一电极贯穿所述第一钝化层与所述多晶硅层电连接，其中，测试浆料腐蚀深度等于所述第一电极进入所述多晶硅层的厚度；
[0017]所述硅基底包括基区和发射极，所述发射极位于基区远离所述隧穿氧化层一侧，所述发射极远离所述基区一侧设置有第二钝化层；
[0018]所述第二电极贯穿所述第二钝化层与所述发射极电连接，其中，测试浆料腐蚀深度等于所述第二电极进入所述发射极的厚度。
[0019]可选地，沿垂直于硅基底的方向上，所述多晶硅层的厚度为100
‑
150nm。
[0020]可选地，在将隧穿氧化层钝化接触电池片进行预清洁，得到清洁后的隧穿氧化层钝化接触电池片之前，还包括制备隧穿氧化层钝化接触电池片的步骤，包括：
[0021]对硅基底清洗制绒；
[0022]硼扩散；
[0023]去除背面硼硅玻璃；
[0024]背面碱抛光；
[0025]背面制备隧穿氧化层并沉积多晶硅层；
[0026]去除正面多晶硅层绕镀；
[0027]背面掺杂；
[0028]退火，使所述多晶硅层晶化且使杂质激活；
[0029]正背面镀膜；
[0030]印刷电极；
[0031]烧结。
[0032]可选地，所述烧结峰值温度范围在750
‑
850℃。
[0033]与现有技术相比，本专利技术提供的浆料腐蚀深度的测试方法，至少实现了如下的有益效果：
[0034]本专利技术提供的浆料腐蚀深度的测试方法包括以下步骤：将隧穿氧化层钝化接触电池片进行预清洁，得到清洁后的隧穿氧化层钝化接触电池片；将清洁后的隧穿氧化层钝化接触电池片置于X射线光电子能谱仪内，进行抽真空，对隧穿氧化层钝化接触电池片表面浆料进行溅射剥离，将隧穿氧化层钝化接触电池片表面刻蚀至预设深度，之后进行取谱分析，以此循环，得到元素含量；根据采谱得到的元素含量的变化趋势，得到浆料的腐蚀深度，采用上述方案，随着腐蚀深度的增加，测试了银元素Ag和硅元素Si在纵向方向、横向方向上Ag和Si随着深度不同含量也会发生变化，同时表征出银的深度，即能够测出银元素Ag和硅元素Si的含量变化趋势，得出银浆的腐蚀深度。
[0035]当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
[0036]通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0037]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。
[0038]图1为SEM测试截面形貌的背面剖面图；
[0039]图2为SEM测试截面形貌的正面剖面图；
[0040]图3是本专利技术所提供的一种浆料腐蚀深度的测试方法的流程示意图；
[0041]图4是本专利技术所提供的银硅含量XPS深度元素分布图；
[0042]图5是本专利技术所提供的隧穿氧化层钝化接触电池片的结构示意图；
[0043]图6是本专利技术所提供的隧穿氧化层钝化接触电池片制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0044]现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。
[0045]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。
[0046]对于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浆料腐蚀深度的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：将隧穿氧化层钝化接触电池片进行预清洁，得到清洁后的隧穿氧化层钝化接触电池片；将清洁后的隧穿氧化层钝化接触电池片置于X射线光电子能谱仪内，进行抽真空，对隧穿氧化层钝化接触电池片表面浆料进行溅射剥离，将隧穿氧化层钝化接触电池片表面刻蚀至预设深度，之后进行取谱分析，以此循环，得到元素含量；根据采谱得到的元素含量的变化趋势，得到浆料的腐蚀深度。2.根据权利要求1所述的浆料腐蚀深度的测试方法，其特征在于，所述对隧穿氧化层钝化接触电池片表面浆料进行溅射剥离，将隧穿氧化层钝化接触电池片表面刻蚀至预设深度，之后进行取谱分析，以此循环，得到元素含量包括：利用离子枪将隧穿氧化层钝化接触电池片表面银浆进行氩粒子溅射剥离，控制溅射强度和溅射时间，每刻蚀预设隧穿氧化层钝化接触电池片厚度范围，采一次集谱，之后分析硅和银两种元素的含量比例。3.根据权利要求2所述的浆料腐蚀深度的测试方法，其特征在于，所述溅射强度为0.5～5kev。4.根据权利要求2所述的浆料腐蚀深度的测试方法，其特征在于，单次循环刻蚀的隧穿氧化层钝化接触电池片厚度范围为40
‑
50nm。5.根据权利要求2所述的浆料腐蚀深度的测试方法，其特征在于，利用离子枪对隧穿氧化层钝化接触电池片表面浆料进行溅射剥离包括：利用离子枪对隧穿氧化层钝化接触电池片正面银浆进行溅射剥离，和/或，利用离子枪对隧穿氧化层钝化接触电池片背面银浆进行溅射剥离。6.根据权利要求2所述的浆料腐蚀深度的测试方法，其特征在于，所述根据采谱得到的元素含量的变化趋势，得到浆料的腐蚀深度包括：随着刻蚀隧穿氧化层钝化接触电池片深度的增加，采用的谱图显示银元素逐渐减少，硅元素逐...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾康，徐强，周静，曾庆云，邱彦凯，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：