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铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的制备方法技术

技术编号:37255032 阅读:10 留言:0更新日期:2023-04-20 23:31
铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的制备方法,它涉及CoS2/MXene复合材料的制备方法。它是要解决现有的Co

【技术实现步骤摘要】
铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的制备方法


[0001]本专利技术涉及CoS2/MXene复合材料的制备方法。

技术介绍

[0002]近几年随着科技的快速发展,对高性能电子器件的需求越来越多,而超级电容器因其高的功率密度和良好的稳定性而受到广泛关注。
[0003]MXene是一组二维(2D)材料,由于其出色的导电性、大表面积和丰富的成分多样性,已被证明在能量存储和转换方面具有巨大潜力。通常制备MXene复合材料采用的是一步水热法将金属氢氧化物沉积在MXene纳米片上生成层状金属氢氧化物/MXene。
[0004]申请号为202011579306.9的中国专利《铝离子电池及其正极材料CoxSy@MXene》公开了一种铝离子电池及其正极材料CoxSy@MXene,该正极材料为在MXene基体材料上原位生长微纳米钴硫化物制成,所述微纳米钴硫化物为CoxSy,其中的x>0,y>0,所述微纳米钴硫化物的质量占所述正极材料总质量的5%~95%。提高纳米微纳米钴硫化物的分散性,细化晶粒,提高导电性,但将该材料用于电容器领域时,电容器的比电容较低。

技术实现思路

[0005]本专利技术是要解决现有的Co
x
S
y
@MXene电极材料的比电容低的技术问题,而提供铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的制备方法。本专利技术通过氟化镍刻蚀的MXene纳米片与金属化合物进行一步水热反应,生成铁离子掺杂的金属氢氧化物/MXene复合材料,之后在高温下与硫粉反应生成铁离子掺杂的金属硫化物/MXene异质结构复合材料。
[0006]本专利技术的铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的制备方法,按以下步骤进行:
[0007]一、MXene纳米片的制备:
[0008]a、按20mL 9M的HCl中加入1g氟化镍的比例,将9M的HCl与氟化镍混合搅拌20~40分钟,得到混合溶液;
[0009]b、将钛碳化铝加入到混合溶液中,加热至35~45℃并保持85~95小时;
[0010]c、将产物先用1M HCl在离心洗涤,弃去上清液,再将沉淀物用去离子水离心洗涤至上清液的pH值达到6~7,弃去上清液,再将沉淀物加入到去离子水中,在氮气下并保持温度为5~15℃的条件下超声处理50~70分钟,最后再离心处理,弃去上层悬浊液,将沉淀物冷冻干燥,得到MXene纳米片粉末;
[0011]二、铁掺杂的金属氢氧化物/MXene复合材料的制备:
[0012]a、将MXene纳米片粉末加入水中先超声20~30分钟,然后依次加入氟化铵、尿素、七水硫酸钴和七水硫酸亚铁,混合均匀后,得到前驱液;
[0013]b、将前驱液转移至特氟龙高压釜中,加热至100~140℃并保持3~6小时后取出;
[0014]c、将产物用依次用乙醇和去离子水离心清洗干净,然后冷冻干燥,得到铁掺杂的金属氢氧化物/MXene复合材料,记为Fe

CoOOH/MXene;
[0015]三、铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的制备:
[0016]将Fe

CoOOH/MXene与硫粉分别放在瓷舟的两端,再将瓷舟放入管式炉中,在氮气气氛下加热至300~400℃并保持1~3h进行退火,得到铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料,记为Fe

CoS2/MXene。
[0017]更进一步地,步骤二a中,MXene纳米片粉末的质量与水的体积的比为1g:(550~650)mL。
[0018]更进一步地,步骤二a中,MXene纳米片粉末与七水硫酸钴的质量比为1:(4~6)。
[0019]更进一步地,步骤二a中,七水硫酸钴、七水硫酸亚铁、氟化铵与尿素的摩尔比为1:(0.05~0.1):(2~2.5):(5~5.5)。
[0020]更进一步地,步骤二c中,离心清洗是在转速为10000~11000rpm的条件下离心处理10~15分钟;离心清洗4~7次。
[0021]更进一步地,步骤二c中,冷冻干燥是放在温度为

55℃、真空度为10~100Pa的真空干燥箱中冷冻干燥20~26小时。
[0022]本专利技术通过氟化镍刻蚀的MXene纳米片,并将其与金属化合物进行一步水热反应生成金属氧化物/MXene复合材料,之后在高温下与硫粉反应生成铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料。
[0023]本专利技术利用掺杂的Fe元素能够产生晶格扭曲并调节带隙、降低电子跃迁能垒,同时利用硫元素提高材料的氧化还原反应动力学性能,从而改善CoOOH/MXene的比电容和倍率性能。本专利技术的铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的电容在电流密度为2A g
‑1时为1190C g
‑1,当电流密度从2A g
‑1增至12A g
‑1时,电容保持率达71%。可用于高性能电容器领域。
附图说明
[0024]图1是实施例1经步骤一得到的MXene的扫描电镜照片;
[0025]图2是实施例1经步骤二得到的Fe

CoOOH/MXene的扫描电镜照片;
[0026]图3是实施例1经步骤三得到的Fe

CoS2/MXene的扫描电镜照片;
[0027]图4是实施例1经步骤二得到的Fe

CoOOH/MXene与经步骤三得到的Fe

CoS2/MXene的XRD谱图;
[0028]图5是实施例1经步骤二得到的Fe

CoOOH/MXene与经步骤三得到的Fe

CoS2/MXene的XPS谱图;
[0029]图6是实施例1经步骤三得到的Fe

CoS2/MXene的恒流充放电曲线图(GCD)图;
[0030]图7是实施例1经步骤三得到的Fe

CoS2/MXene的倍率性能曲线图;
[0031]图8是对比实施例2制备的CoS2/MXene的恒流充放电曲线图(GCD)图;
[0032]图9是对比实施例2制备的CoS2/MXene的倍率性能曲线图。
具体实施方式
[0033]用下面的实施例验证本专利技术的有益效果。
[0034]实施例1:本实施例的铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的制备方法,按以下步骤进行:
[0035]一、MXene纳米片的制备:
[0036]a、向20mL 9M的HCl中加入1g氟化镍,混合搅拌30分钟,得到混合溶液;
[0037]b、将1g钛碳化铝加入到混合溶液中,加热至40℃并保持90小时;
[0038]c、将产物先用1M HCl在3500rpm下离心6分钟,弃去上清液,再将沉淀物用去离子水在3500rpm离心洗涤6分钟,共离心洗涤6次,此时本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的制备方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:一、MXene纳米片的制备:a、按20mL 9M的HCl中加入1g氟化镍的比例,将9M的HCl与氟化镍混合搅拌20~40分钟,得到混合溶液;b、将钛碳化铝加入到混合溶液中,加热至35~45℃并保持85~95小时;c、将产物先用1M HCl离心洗涤,弃去上清液,再将沉淀物用去离子水离心洗涤至上清液的pH值达到6~7,弃去上清液,再将沉淀物加入到去离子水中,在氮气下并保持温度为5

15℃的条件下超声处理50~70分钟,最后再离心处理,弃去上层悬浊液,将沉淀物冷冻干燥,得到MXene纳米片粉末;二、铁掺杂的金属氢氧化物/MXene复合材料的制备:a、将MXene纳米片粉末加入水中先超声20~30分钟,然后依次加入氟化铵、尿素、七水硫酸钴和七水硫酸亚铁,混合均匀后,得到前驱液;b、将前驱液转移至特氟龙高压釜中,加热至100~140℃并保持3~6小时后取出;c、将产物用依次用乙醇和去离子水离心清洗干净,然后冷冻干燥,得到铁掺杂的金属氢氧化物/MXene复合材料,记为Fe

CoOOH/MXene;三、铁离子掺杂的CoS2/MXene异质结构复合材料的制备:将Fe

CoOOH/MXene与硫粉分别放在瓷舟的两端,再将瓷...

【专利技术属性】
技术研发人员:马丽娜张仁杰张伟吴晓董继东范卓迪崔茹颖吴长江
申请(专利权)人:青岛大学
类型:发明
国别省市:

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