用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉制造技术

一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉，其中包括：一电介质热沉基片；一微波传输线，该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧，该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面，形成在微波传输线的端点的尾端；多条金属电极，该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧；一地电极，该地电极制作在电介质热沉基片的下表面，且将电介质热沉基片的下表面覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子器件领域，是一种用于光电子器件封装的热沉，更具体说是一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉。
技术介绍
电吸收调制器(EAM)与分布反馈激光器(DFB LD)的单片集成(EML)光源，因具备低啁啾、小工作电压、尺寸小、结构紧凑、可靠性高、器件间光耦合效率高、输出光功率大、成本低等优点，是WDM光通信系统，尤其是长距离高速率光纤网络的理想光源。当光电器件芯片制作完毕后，封装是器件性能是否充分实现和发挥，器件能否实用化的关键，电信号引入和分配，光能量的耦合，模块保护，恒温散热等在一定程度上都依赖于器件封装。热沉作为光电器件管芯封装时的直接载体，主要解决管芯的散热和电信号的引入和分配等电连接问题。对于高频工作的光电器件的封装，由于信号速率很高，波长很短，造成的电磁辐射，损耗和干扰的影响严重。这时具有良好高频微波传输性能，能将信号源输出的高频电信号高效率、低反射、低损耗的传输到高频工作的光电器件管芯的P、N电极两端的热沉至关重要。一般的光电器件管芯P、N电极不共面，分别位于管芯的上下表面。通常是把管芯的下电极焊接在热沉的一个电极上，管芯的上电极则通过金丝连接到热沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉，其特征在于，其中包括：一电介质热沉基片；一微波传输线，该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧，该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面，形成在微波传输线的端点的尾端；多条金属电极，该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧；一地电极，该地电极制作在电介质热沉基片的下表面，且将电介质热沉基片的下表面覆盖。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李宝霞，张靖，杨华，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]